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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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- 3 篇 教育学
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15 篇 中国电子科技集团...
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作者

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CCD-MOS高精度界面态的测试研究

CCD-MOS高精度界面态的测试研究

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：袁之光荣丽梅张富杜江峰郭跃伟郭宇恒电子科技大学微电子与固体电子学院

高精度界面态测试是CCD-MOS可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差,讨论了采用Agilent 4294A电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容和误差的关系,也对CCD-MOS样品进行了测量及相关讨论。该方法界面态... 详细信息

高精度界面态测试是CCD-MOS可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差,讨论了采用Agilent 4294A电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容和误差的关系,也对CCD-MOS样品进行了测量及相关讨论。该方法界面态测试精度小于10cmeV,研究结果为CCD-MOS高精度界面态测试提供了重要依据。

关键词： CCD-MOS 电导法界面态

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干法栅挖槽GaAs HFET功率管

干法栅挖槽GaAs HFET功率管

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：栗锐王义林罡陈堂胜南京电子器件研究所

介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖槽,确... 详细信息

介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖槽,确定了低损伤与各向异性刻蚀的最佳条件。采用该工艺制作的GaAs HFET功率管,4个27 mm管芯合成的内匹配功率管在5.6 GHz条件下输出功率为53 W、功率增益11 dB、功率附加效率大于47%。

关键词：干法刻蚀自停止表面缺陷侧蚀

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超声扫描检测技术在半导体封装中的应用

超声扫描检测技术在半导体封装中的应用

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：姚立新中国电子科技集团公司第四十五研究所

超声扫描检测是一种非常重要的无损检测方法,可以在不破坏或不损害被检材料和工件的情况下,评估其质量和使用价值。可以极其灵敏地探测封装/器件内部不连续型缺陷如分层、开裂、空洞等,而且在判别密度差异、弹性模量、厚度等特性和几何... 详细信息

超声扫描检测是一种非常重要的无损检测方法,可以在不破坏或不损害被检材料和工件的情况下,评估其质量和使用价值。可以极其灵敏地探测封装/器件内部不连续型缺陷如分层、开裂、空洞等,而且在判别密度差异、弹性模量、厚度等特性和几何形状的变化方面也具有一定的能力。超声扫描检测技术正朝着智能化、自动化、图像化、数字化、小型化、系列化、多功能化、信息化和交叉领域的前沿方向发展,实现了复杂形面复合构件的超声扫描成像无损检测,满足现代质量对无损检测的要求。

关键词：超声波声阻界面超声扫描检测 A-扫描方式 B-扫描方式 C-扫描方式半导体封装发展趋势

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高可靠快恢复二极管中寿命控制技术的研究

高可靠快恢复二极管中寿命控制技术的研究

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：门永娟刘军北京微电子技术研究所北京时代民芯科技有限公司

随着现代电力电子技术的发展,各种新型器件被开发并大量应用,快恢复二极管就是其中一类关键的器件。介绍了快恢复二极管中采用的各类寿命控制技术并比较了各类技术的特点。针对高可靠快恢复二极管特点,分析了其适用的寿命控制技术。最... 详细信息

随着现代电力电子技术的发展,各种新型器件被开发并大量应用,快恢复二极管就是其中一类关键的器件。介绍了快恢复二极管中采用的各类寿命控制技术并比较了各类技术的特点。针对高可靠快恢复二极管特点,分析了其适用的寿命控制技术。最后通过扩铂、扩金试验,讨论了不同方法对反向恢复时间t正向压降V以及反向漏电流I等参数的影响,最终确认在高可靠性产品中扩铂是二者中的优选方法。

关键词：寿命控制高可靠快恢复二极管反向恢复时间正向压降反向漏电流

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高功率半导体激光器的单光纤耦合输出

高功率半导体激光器的单光纤耦合输出

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：高欣薄报学乔忠良芦鹏王玉霞李辉长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用MBE方法生长的宽波导、双量子阱结构的AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的厘米条线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,单发光区宽度100μm... 详细信息

设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用MBE方法生长的宽波导、双量子阱结构的AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的厘米条线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,单发光区宽度100μm,发光周期500μm。单条器件包括19个发光单元,单条器件的连续输出功率为50 W,每只单条器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称化变换实现了多线阵器件输出的高光束质量功率合成。采用平凸柱透镜实现了合束光束与400μm芯径、数值孔径0.22石英光纤的高效率耦合,整体耦合效率达到65%,最大耦合输出功率达到195 W,光纤端面功率密度达到1.55×10～5W/cm。

关键词：半导体技术线阵半导体激光器光纤耦合空间合束光束变换

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我国半导体照明市场政策分析

我国半导体照明市场政策分析

引用

2010全国节能灯用原材料、元器件及设备技术研讨会

作者：张瑞西王海波南京工业大学电光源材料研究所

文章简单介绍了我国半导体照明产业的现状。对我国各地推出的半导体照明相关扶持政策进行了分析，探讨了这些政策对我国LED产业未来发展的影响，对今后的政策支持重点提出了新的看法。

关键词：发光二极管照明产业政策半导体照明

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Ku波段高性能介质振荡器设计

Ku波段高性能介质振荡器设计

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：陈在孙健朱良凡南京电子器件研究所

利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34 mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 kHz,17 GHz测得相位噪声为-98 dBc/Hz@10 k... 详细信息

利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34 mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 kHz,17 GHz测得相位噪声为-98 dBc/Hz@10 kHz;介质振荡器测得的输出功率和频率随环境温度变化缓慢,平坦度特性较好。设计的高性能介质振荡器可作为各类接收的本振信号源,同时为更高性能毫米波介质振荡器的开发提供技术指导。

关键词：介质谐振器振荡器相位噪声稳频 Ku波段

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微波器件(组件)可装配性设计探讨

微波器件(组件)可装配性设计探讨

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：崔洪波钱兴成中国电子科技集团公司第五十五研究所

微波器件(组件)装配工艺在微波领域的应用日益广泛,随着工程上的不断深入,对其性能、一致性及可靠性的要求越来越高。微波器件的可装配性设计是微波器件设计的一部分,设计的合理与否不仅会影响到微波器件的性能和可靠性,而且决定了后续... 详细信息

微波器件(组件)装配工艺在微波领域的应用日益广泛,随着工程上的不断深入,对其性能、一致性及可靠性的要求越来越高。微波器件的可装配性设计是微波器件设计的一部分,设计的合理与否不仅会影响到微波器件的性能和可靠性,而且决定了后续的批生产效率和质量及开发周期。在相关标准的基础上,结合实际工作,阐述了装配工艺的基本设计要求。只有在最初的设计阶段,把电路、结构和装配工艺紧密结合通盘考虑,才能保证产品的性能、可批产性和长期可靠性。

关键词：微波器件装配工艺封装可靠性

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晶圆黏着键合技术研究进展及其应用

晶圆黏着键合技术研究进展及其应用

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2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：罗巍屈芙蓉李超波夏洋中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室

晶圆黏着键合方法优点是工艺温度低,与标准IC工艺兼容,能使键合表面平坦化,同时还能够补偿表面小直径的微粒,工艺相对简单,成本低,已逐渐成为微电子和MEMS制造中比较重要的工艺。概括论述了黏着键合技术的基本原理,阐述了黏合剂种类以... 详细信息

晶圆黏着键合方法优点是工艺温度低,与标准IC工艺兼容,能使键合表面平坦化,同时还能够补偿表面小直径的微粒,工艺相对简单,成本低,已逐渐成为微电子和MEMS制造中比较重要的工艺。概括论述了黏着键合技术的基本原理,阐述了黏合剂种类以及选择的原则,并对一些有重要影响的工艺参数结合工艺流程进行了分析,最后着重介绍了晶圆黏着键合技术在微电子和MEMS领域中的最新应用。

关键词：晶圆黏着键合聚合物黏合剂薄膜结构转移三维集成电路超薄晶圆

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应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究

应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究

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2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：莫尚军张继华电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根... 详细信息

用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根表面粗糙度小于4.5 nm,1 MHz下介电常数为713,介电损耗为0.007。10 V偏压下,漏电流密度为1×10A/cm。

关键词： DRAM 钛酸锶钡射频磁控溅射介电性能

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