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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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3 篇 教育学
- 3 篇 教育学
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1 篇 哲学
- 1 篇 哲学
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15 篇 技术分析
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机构

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15 篇 中国电子科技集团...
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11 篇 中国科学院苏州纳...
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作者

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15 篇 张波
13 篇 敦少博
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7 篇 吕元杰
7 篇 赵正平
7 篇 计建新
6 篇 陈万军
6 篇 王莉
6 篇 黄杰
6 篇 胡冬青
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5 篇 杨辉

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747 篇 中文
4 篇 英文

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平板式静电微执行器的静态pull-in现象

平板式静电微执行器的静态pull-in现象

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：石文尚方玉明朱文俊南京邮电大学电子科学与工程学院

基于平板式静电微执行器的模型,分析了其pull-in现象,并且在考虑边缘效应的情况下,即根据考虑电容边缘效应的理论模型,推导出平板式静电微执行器的pull-in参数。然后用有限元分析软件ANSYS建模,得到其pull-in参数的标准数值,最后实现理... 详细信息

基于平板式静电微执行器的模型,分析了其pull-in现象,并且在考虑边缘效应的情况下,即根据考虑电容边缘效应的理论模型,推导出平板式静电微执行器的pull-in参数。然后用有限元分析软件ANSYS建模,得到其pull-in参数的标准数值,最后实现理论数值和标准数值的比较,得出各种理论模型的精确度。

关键词：平板式微执行器 pull-in现象有限元分析

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《半导体技术》稿约

《半导体技术》稿约

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

投稿须知:我刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊。为适应我国信息化建设需要,扩大作者交流渠道,本刊已加入国内外多家数据库:美国化学文摘《CA》、美国剑桥科学文摘《CSA》、美国乌利希国际期刊指南《Ulrich's》、英国科学文摘《SA... 详细信息

投稿须知:我刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊。为适应我国信息化建设需要,扩大作者交流渠道,本刊已加入国内外多家数据库:美国化学文摘《CA》、美国剑桥科学文摘《CSA》、美国乌利希国际期刊指南《Ulrich's》、英国科学文摘《SA,INSPEC》、俄罗斯文摘杂志《AJ》、日本科学技术文献速报《CBST,JST》、清华同方数据库、万方数据库、中国期刊网、中国科学引文数据库、中国学术期刊综合评价数据库等。

关键词：核心期刊剑桥科学文摘乌利希国际期刊指南《半导体技术》中国学术期刊综合评价数据库万方数据库中国科学引文数据库清华同方数据文摘杂志中国期刊网一稿多投

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高压SOI-LIGBT特性研究

高压SOI-LIGBT特性研究

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：孙伟锋陈越政钱钦松东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心

对于绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(silicon-on-insulator-lateral insulated gatebipolar transistor,SOI-LIGBT)器件,击穿电压与饱和电流特性是其两个重要参数。分析了SOI-LIGBT的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度、低压n阱掺杂... 详细信息

对于绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(silicon-on-insulator-lateral insulated gatebipolar transistor,SOI-LIGBT)器件,击穿电压与饱和电流特性是其两个重要参数。分析了SOI-LIGBT的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度、低压n阱掺杂剂量及缓冲层掺杂剂量的关系,并对器件饱和电流大小和击穿电压进行了优化。采用二维器件模拟仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真优化,在SOI层7μm和埋氧层1.0μm构成的材料上设计得到了击穿电压185 V、开态饱和电流2×10A/μm的SOI-LIGBT器件。

关键词：绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管击穿电压饱和电流缓冲层

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封装基板用聚酰亚胺材料研究进展

封装基板用聚酰亚胺材料研究进展

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：杨海霞徐红岩刘金刚范琳杨士勇中国科学院化学研究所高技术材料实验室

随着电子产品高速化、高性能化、小型化、低成本化以及先进封装技术的不断出现和高密度封装基板的发展需求,对封装基板材料提出了更高的性能要求,包括高玻璃化转变温度、高热分解温度、低的热膨胀系数、高电绝缘性等性能。综述了高性能... 详细信息

随着电子产品高速化、高性能化、小型化、低成本化以及先进封装技术的不断出现和高密度封装基板的发展需求,对封装基板材料提出了更高的性能要求,包括高玻璃化转变温度、高热分解温度、低的热膨胀系数、高电绝缘性等性能。综述了高性能封装基板的发展进展以及柔性封装基板和刚性封装基板用高性能聚酰亚胺材料的研究进展。

关键词：封装基板聚酰亚胺芯材

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S波段微波脉冲功率放大模块研制

S波段微波脉冲功率放大模块研制

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：张鸿亮刘英坤邓建国潘茹何宇新寇彦雨中国电子科技集团公司第十三研究所

介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×20.7 mm×7.... 详细信息

介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻抗参数为参考结合Wilkinson功分器/合成器设计器件匹配电路,实现模块尺寸为53.3 mm×20.7 mm×7.5mm,端口阻抗为50Ω。模块在3.1～3.4 GHz全频段、36 V工作、脉冲宽度300μs、占空比10%条件下输出功率大于120 W,增益大于8 dB,效率40%,通过3:1抗负载失配,表现出了良好的微波性能和可靠性。

关键词： S波段脉冲功率放大模块硅微波功率晶体管

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C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制

C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：徐永刚蔡昱王义南京电子器件研究所

微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研... 详细信息

微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研制的大功率、高效率的GaAs内匹配晶体管(简称内匹配功率管),它采用4枚南京电子器件研究所研制的30.24 mmHFET晶体管,匹配电路使用集总参数与分布参数相结合的形式,将器件的输入输出端口阻抗匹配到50Ω。最终研制的内匹配功率管在5.3～5.9 GHz频带范围内,输出功率大于45 W,功率增益大于10 dB,功率附加效率大于41%。

关键词：砷化镓内匹配大功率

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基于空间材料二次电子发射系数自动测试系统

基于空间材料二次电子发射系数自动测试系统

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：常天海陈名开梁添华南理工大学电子与信息学院

运用可编程控制器PLC与组态王6.52作为开发平台,并结合电子控制和通信技术,设计并研制出测量空间材料二次电子发射特性的新型系统装置。该系统使用PLC实现真空获取、电子枪脉冲调制以及各种电源启闭的多线程智能控制。组态王软件的应用... 详细信息

运用可编程控制器PLC与组态王6.52作为开发平台,并结合电子控制和通信技术,设计并研制出测量空间材料二次电子发射特性的新型系统装置。该系统使用PLC实现真空获取、电子枪脉冲调制以及各种电源启闭的多线程智能控制。组态王软件的应用使开发更容易,提高了系统的控制品质。工业控制计算机通过串行口与PLC通信,提高了数据的自动采集与实时处理能力。

关键词： PLC 组态王软件空间材料二次电子

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P波段350 W LDMOS功率管研制

P波段350 W LDMOS功率管研制

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆中国电子科技集团公司第十三研究所

由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LDD区场板优化,阻止热载... 详细信息

由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LDD区场板优化,阻止热载流子效应引起的性能退化。设计研制成功了高性能P波段LDMOSFET,在480～610 MHz频率带宽内,输出功率大于350 W,功率增益大于17 dB,漏极效率大于50%,呈现出良好RF性能。

关键词：微波功率LDMOSFET 亚微米栅源电阻栅屏蔽

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太阳电池逆电流对热斑保护的影响研究

太阳电池逆电流对热斑保护的影响研究

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：徐文武杨宏王鹤西安交通大学理学院

从晶体Si电池的正向和反向特性出发,对晶体Si光伏组件热斑效应的产生做了理论分析。并通过光伏组件中不同逆电流的单晶Si电池遮挡研究,得到了太阳电池逆电流对热斑保护的限制条件。对于应用光伏组件的单晶Si电池,其逆电流必须控制在1.9 ... 详细信息

从晶体Si电池的正向和反向特性出发,对晶体Si光伏组件热斑效应的产生做了理论分析。并通过光伏组件中不同逆电流的单晶Si电池遮挡研究,得到了太阳电池逆电流对热斑保护的限制条件。对于应用光伏组件的单晶Si电池,其逆电流必须控制在1.9 A以下;运用红外成像验证了逆电流的大小确实影响晶体Si光伏组件的热斑温度。因此,在光伏电池生产中,应将晶体Si电池的逆电流控制在一定范围内,以防热斑效应的产生,并能提高组件的可靠性。

关键词：热斑反向特性逆电流行业标准

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等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室

自等离子体浸没注入技术被提出以来,该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。近年来该技术被用于32 nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比,该技术注入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没注... 详细信息

自等离子体浸没注入技术被提出以来,该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。近年来该技术被用于32 nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比,该技术注入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没注入系统,该系统基于感应耦合等离子体技术。用该系统进行的超浅结注入实验结果表明,注入深度可以达到10 nm以内(@1×10/cm),注入陡峭度可以达到2.5 nm/decade,注入离子剂量达到1×10/cm。

关键词：等离子体浸没注入超浅结感性耦合等离子体

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