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高性能LED路灯驱动电路的设计方案

高性能LED路灯驱动电路的设计方案

引用

2010全国照明LED驱动与电源技术研讨会

作者：沈忠德美国国家半导体有限公司

文章针对LED路灯的要求，提出了高性能的串行LED灯的实际驱动电路设计方案，通过模块设计的方法进行灵活组合、宽泛的电压输入范围使其能够满足不同设计的要求。文章同时给出了具体参数计算方法及设计要点。

关键词： LED路灯驱动电路模块设计电压输入

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Er2O3/Si薄膜界面层研究

Er2O3/Si薄膜界面层研究

引用

2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会

作者：汪雪朱银莲马秀良中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室辽宁沈阳 110016

@@在半导体器件领域，稀土氧化物Erz0，由于具有高的介电常数、大的带隙、与Si又有大的能带偏移、漏电流小以及良好的界面热稳定性，是替代栅介质氧化硅的理想材料。然而，通常在稀土族氧化物生长过程中会有一层界面层，与生长的氧化物... 详细信息

@@在半导体器件领域，稀土氧化物Erz0，由于具有高的介电常数、大的带隙、与Si又有大的能带偏移、漏电流小以及良好的界面热稳定性，是替代栅介质氧化硅的理想材料。然而，通常在稀土族氧化物生长过程中会有一层界面层，与生长的氧化物层组成串联电路，如果这一界面层的介电常数低且较厚，就会影响整体薄膜的电容。本文利用透射电子显微技术(TEM)研究了用激光分子外延（Laser-MBE）法在Si(001)衬底上生长的的Er2O3薄膜。研究发现在Er203与Si界面存在一个原子排列混乱的约2 nm厚的界面层，与通常具有较低的介电常数的氧化硅非晶界面层不同，这一界面层的成分主要是Er和0.以及少量的Si。

关键词：半导体器件稀土氧化物硅衬底

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高性能LED路灯驱动器解决方案

高性能LED路灯驱动器解决方案

引用

2010全国照明LED驱动与电源技术研讨会

作者： Christopher Richardson 美国国家半导体有限公司

文章在阐述了LED路灯应用需求的同时，提出了一个为100个高功率LED供电的可行性驱动器解决方案。该解决方案采用模块化结构，可为设计者提供很大的灵活性，而且拥有较宽的输入电压范围，能够满足各种设计的需要。

关键词： LED路灯驱动器模块化结构输入电压

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高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

高温DC SQUID探针显微镜在半导体样品检测中的应用

引用

第十一届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：孔祥燕中谷悦起系崎秀夫中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验上海200050 日本大阪大学基础工学研究科日本大阪560-8531

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蓝、绿光LED芯片技术发展历程及展望

蓝、绿光LED芯片技术发展历程及展望

引用

2010全国LED显示应用技术交流暨产业发展研讨会

作者：刘榕武汉华灿光电有限公司

面对即将来临的半导体固态照明(SSL)技术革命,蓝、绿光LED芯片技术在过去关键的20年中所走过的历程是值得认真回顾的。文章简要介绍了SSL技术的材料物理基础以及器件的基本光电参数特征,在此基础上回顾了该技术发展历程的关键节点。针... 详细信息

面对即将来临的半导体固态照明(SSL)技术革命,蓝、绿光LED芯片技术在过去关键的20年中所走过的历程是值得认真回顾的。文章简要介绍了SSL技术的材料物理基础以及器件的基本光电参数特征,在此基础上回顾了该技术发展历程的关键节点。针对该技术核心应用领域——固态节能照明发展的需要,对未来技术发展趋势也做了展望。

关键词：半导体固态照明蓝、绿光LED 材料物理技术回顾

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紧凑型荧光灯芯片驱动技术探析

紧凑型荧光灯芯片驱动技术探析

引用

2010全国节能灯用原材料、元器件及设备技术研讨会

作者：李纪明陈嵘恩智浦半导体(上海)有限公司

目前紧凑型荧光灯朝着高性能、高可靠性、多功能方向发展。自激振荡的分立元件构成的电子镇流器自身的弊端很难适应荧光灯未来发展趋势的要求，芯片驱动的逆变电路除了能很好地克服分立元件系统缺点外，还可以简化设计、降低产品失效、... 详细信息

目前紧凑型荧光灯朝着高性能、高可靠性、多功能方向发展。自激振荡的分立元件构成的电子镇流器自身的弊端很难适应荧光灯未来发展趋势的要求，芯片驱动的逆变电路除了能很好地克服分立元件系统缺点外，还可以简化设计、降低产品失效、提高产品的质量，具有更完善的工作和保护性能。高性价比的驱动芯片技术符合紧凑型荧光灯发展的趋势要求。因此越来越多的荧光灯镇流器生产厂家采用镇流器IC作为镇流器的驱动。

关键词：紧凑型荧光灯驱动电路自激振荡电子镇流器保护性能

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能隙连续可调半导体合金纳米线单基片梯度生长及超宽波长可调谐纳米线激光器

能隙连续可调半导体合金纳米线单基片梯度生长及超宽波长可调谐纳...

引用

第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会

作者：潘安练周伟昌刘瑞斌邹炳锁 L．Eunice C．Z．Ning 湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室长沙 410082 北京理工大学材料学院北京 100081 湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室长沙 410082 北京理工大学材料学院北京 100081 美国亚利桑那州立大学电子工程系凤凰城 85287

半导体材料和结构是光电器件的核心部件。半导体的组分和能隙决定了半导体的光电子学性质，从而决定了所构建的器件的性能或功能。本文介绍了能隙连续可调半导体合金纳米线单基片梯度生长及超宽波长可调谐纳米线激光器。

关键词：能隙连续可调半导体合金纳米线单基片梯度生长超宽波长可调谐纳米线激光器

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比较AAO和SiO2薄膜对InGaN/GaN MQW出光效率的影响

比较AAO和SiO2薄膜对InGaN/GaN MQW出光效率的影响

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：刘荣海陈鹏于治国谢自力韩平刘斌宋雪云施毅张荣郑有南京大学电子工程学院江苏省光电信息功能材料重点试验室南京大学扬州光电研究院

分别在InGaN/GaN多量子阱（MQW）上生长了SiO薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝（AAO）膜,测定了这些样品的光致发光谱（PL）,并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAO和SiO膜的样品出... 详细信息

分别在InGaN/GaN多量子阱（MQW）上生长了SiO薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝（AAO）膜,测定了这些样品的光致发光谱（PL）,并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAO和SiO膜的样品出光效率均得到了增强,AAO膜增强效果比SiO膜明显。AAO膜覆盖的样品在某波长处增强因子（E）达到3.5,强度积分增强因子（E）达到2.29;覆盖SiO膜的样品在某波长处的最大增强因子为1.7,强度积分增强因子为1.47。AAO薄膜覆盖的样品出光增强因子（包括E和E）随着孔隙率的减小而增加,表明AAO膜中的纳米结构对出光增强起着非常重要的作用。

关键词： InGaN/GaN多量子阱多孔氧化铝膜 SiO2膜出光增强

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不断发展中的行波管技术

不断发展中的行波管技术

引用

2010年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会

作者：刘军华北京真空电子技术研究所北京100015

自从上世纪40年代第一支行波管改进以来,行波管技术不断发展,成为真空器件最重要的一个分支,并在各类军事与民用系统中发挥了重要的作用.目前行波管正朝着微/小型化、大功率和高频率三个方向发展.近年来,随着化学物半导体技术的发展,行... 详细信息

自从上世纪40年代第一支行波管改进以来,行波管技术不断发展,成为真空器件最重要的一个分支,并在各类军事与民用系统中发挥了重要的作用.目前行波管正朝着微/小型化、大功率和高频率三个方向发展.近年来,随着化学物半导体技术的发展,行波管受到固态器件的挑战,但是由于行波管所具有的宽频带、高功率、高效率及高频率工作的优点,在竞争中仍然具有生命力,还是军事和类似商业应用的主要产品.

关键词：行波管固态器件微波功率模块太赫兹

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基于碳化硅的大功率电力电子器件

基于碳化硅的大功率电力电子器件

引用

第三届电能质量及柔性输电技术研讨会

作者：金锐温家良雷林绪赵东元中国电力科学研究院北京市海淀区 100192

半导体器件是“智能”功率电子技术的关键元件。与硅功率器件相比,碳化硅功率器件能够阻挡更高的电压,具有更低的寄生电阻和小得多的物理尺寸,所以响应时间更短。更快的开关速度不但提高了功率系统的转换效率。而且能够使用更小的变压...

半导体器件是“智能”功率电子技术的关键元件。与硅功率器件相比,碳化硅功率器件能够阻挡更高的电压,具有更低的寄生电阻和小得多的物理尺寸,所以响应时间更短。更快的开关速度不但提高了功率系统的转换效率。而且能够使用更小的变压器和电容器,大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且,碳化硅的耐高温特性大大地降低了冷却需要,而这些冷却设备也是功率转换和传送系统中的很大一部分。因此,碳化硅器件有望从本质上提高电力传送效率和使用效率。本文对碳化硅材料特性做了简单的介绍,进而深刻了解碳化硅器件的物理和电气特性。就下列五种电力系统中主要应用的中、大功率SiC功率器件的电气特性水甲和初步应用等主要问题作一评述： (1)碳化硅二极管(2)碳化硅电力场效应管(SiC-MOSFET)(3)碳化硅晶闸管和碳化硅门极可关断晶闸管(SiC-GTO) (4)碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC-IGBT)(5)碳化硅门极换流自关断晶闸管(SiCGT)。

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