检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：李先允廖德利许峰陈刚南京工程学院电力工程学院南京 211167

电力电子技术是一门利用电力半导体开关器件对电能进行高效率的变换和控制的技术，已发展成为一门横跨电子、电力和控制三个领域的新型的工程技术学科,是以应用为主的综合性工程技术基础类课程，是电气工程及其自动化和自动化专业的一... 详细信息

电力电子技术是一门利用电力半导体开关器件对电能进行高效率的变换和控制的技术，已发展成为一门横跨电子、电力和控制三个领域的新型的工程技术学科,是以应用为主的综合性工程技术基础类课程，是电气工程及其自动化和自动化专业的一门重要的专业基础课。本文从教学体系、课程的重点、难点及解决办法，教学手段，实践教学，教学研究等几方面对该课程的教学改革与实践进行了探索。

关键词：应用性本科教学电力电子技术电力半导体开关器件基础类课程电气工程自动化专业

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纳米颗粒可控自组装及功能性(仿生)修饰

纳米颗粒可控自组装及功能性(仿生)修饰

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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：李晓禹贺军辉中国科学院理化技术研究所功能纳米材料实验室北京100190

抗反射和自清洁功能在日常生产生活以及军事领域中有着广泛的用途，在太阳能电池，建筑幕墙，挡风窗和其他光学显示器上有着非常重要的应用，因此引起的了广泛的关注和研究。人们迫切需要研究出一种具有高抗反射性能，同时还能够具有自...

抗反射和自清洁功能在日常生产生活以及军事领域中有着广泛的用途，在太阳能电池，建筑幕墙，挡风窗和其他光学显示器上有着非常重要的应用，因此引起的了广泛的关注和研究。人们迫切需要研究出一种具有高抗反射性能，同时还能够具有自清洁作用的涂层制备技术。介孔二氧化硅材料具有高孔隙率，高的机械和热稳定性，同时还具有低的介电常数(low-k)和折射率(low-n)。在半导体器件，光学显示器上都引起了科学研究者的极大兴趣。近期日本研究者制备出了用作抗反射涂层的介孔二氧化硅薄膜。

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氧化锌半导体纳米线横向电极结构与光电探测器的应用

氧化锌半导体纳米线横向电极结构与光电探测器的应用

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第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会

作者：盛赟孙华斌潘力嘉濮林徐春祥施毅郑有炓南京大学电子科学与工程学江苏省光电功能材料重点实验室南京大学电科学与工程学江苏省光电功能材料重点实验室东南大学电子工程系南京 210093

纳米线为例的纳米材料开创了不同于传统微加工的自下而上的工艺概念，并且紧跟摩尔定律的历史发展趋势。高质量的半导体纳米线提供了一种装配高集成度光电子器件的新颖而有潜力的途径。本文介绍了氧化锌半导体纳米线横向电极结构与光电... 详细信息

纳米线为例的纳米材料开创了不同于传统微加工的自下而上的工艺概念，并且紧跟摩尔定律的历史发展趋势。高质量的半导体纳米线提供了一种装配高集成度光电子器件的新颖而有潜力的途径。本文介绍了氧化锌半导体纳米线横向电极结构与光电探测器的应用。

关键词：氧化锌半导体纳米线电极结构光电探测器

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如何运用SEPIC转换器同时驱动多个LED灯串

如何运用SEPIC转换器同时驱动多个LED灯串

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2010全国照明LED驱动与电源技术研讨会

作者： L．K．Wong T．K．Man 美国国家半导体有限公司

近年来，LED照明已经成为最具市场潜力的行业之一。因此，驱动高亮度LED也成为一个热门话题。对于需要采用多个LED灯泡的应用而言，可以将LED串联形成LED灯串来使用。如果需要更多的LED灯泡，还可以同时使用多个LED灯串。驱动多个LED灯... 详细信息

近年来，LED照明已经成为最具市场潜力的行业之一。因此，驱动高亮度LED也成为一个热门话题。对于需要采用多个LED灯泡的应用而言，可以将LED串联形成LED灯串来使用。如果需要更多的LED灯泡，还可以同时使用多个LED灯串。驱动多个LED灯串的常用方法是利用功率转换器和线性电流调节器。在功率转换器中，通常根据与灯串中LED数目相关的输入电压和输出电压，采用降压或升压拓扑技术。但是，如果输入电压与输出电压相近，就不适用该种拓扑技术。本文将介绍一种解决这个问题的SEPIC拓扑技术，并配合设计示例来对该技术进行详细阐述。

关键词： LED灯串 LED照明驱动电源 SEPIC转换器拓扑结构线性电流调节器

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磷掺杂ZnO纳米梳的制备和特性研究

磷掺杂ZnO纳米梳的制备和特性研究

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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会

作者：王珏孙景昌冯秋菊冯宇蒋俊岩陶鹏程许瑞卓刘爽李梦轲宋哲辽宁师范大学物理与电子技术学院辽宁大连 116029

ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能(60 meV)比室温下的离化能(26 meV)大得多,室温或更高温度下仍可实现有效的紫外光发射,因此,在紫外探测器、紫外激光器等紫外光电器件中具有广泛的应用....

ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能(60 meV)比室温下的离化能(26 meV)大得多,室温或更高温度下仍可实现有效的紫外光发射,因此,在紫外探测器、紫外激光器等紫外光电器件中具有广泛的应用.近年来,各种各样的ZnO形貌格外的引起科学家们的关注,例如：纳米线,纳米丝,纳米棒,纳米管.不掺杂的ZnO从本质上来说是N型的半导体,可是通过掺杂获得P型的ZnO纳米结构是非常困难的.虽然P型掺杂的ZnO薄膜已经有很多报道,但是P型掺杂的ZnO纳米结构的报道却很少.目前P型掺杂的ZnO纳米材料的制备严重限制了ZnO纳米器件在宽波段的应用和发展.本文采用简单的化学气相沉积方法制备出了高质量的磷掺杂ZnO纳米梳.这为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的方法.

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GaN位错滑移区的的空间分辨光谱研究

GaN位错滑移区的的空间分辨光谱研究

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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会

作者：黄俊周桃飞曾雄辉黄凯王建峰徐科杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215125 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215125 苏州纳维科技有限公司江苏苏州215125

GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而...

GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往高达108-109/cm2)。所以,研究位错对GaN光学性质的影响,对了解GaN发光器件失效的机理,提高其发光效率,具有重要的意义。由于对单根位错的进行光学分析需要很高的空间分辨率,常规的测试手段往往很难满足要求。我们通过纳米压痕的办法引入位错束,用对一束为错的研究来代替对单根位错的研究,从而降低对空间分辨的要求。同时利用液氦温度(6k)下SEM-CL(扫描电镜-阴极荧光)获得了足够高的空间分辨率和光谱分辨率。

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蓝绿色VCSEL与RCLED研究

蓝绿色VCSEL与RCLED研究

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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会

作者：张保平张江勇胡晓龙蔡丽娥刘文杰陈明王启明厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心/物理系福建厦门 361005 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室北京 100083

Ⅲ族氮化物属于第三代半导体材料,具有优异的物理及化学性质,其宽的直接带隙非常适合制作紫外及蓝绿色发光器件.目前,GaN基发光二极管(LED)和边发射激光器(LD)已实现了商业化应用,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)和谐振腔二极管(RCLED)...

Ⅲ族氮化物属于第三代半导体材料,具有优异的物理及化学性质,其宽的直接带隙非常适合制作紫外及蓝绿色发光器件.目前,GaN基发光二极管(LED)和边发射激光器(LD)已实现了商业化应用,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)和谐振腔二极管(RCLED)也处于紧张的研发之中.GaN基VCSEL是一种新型的半导体激光器,具有成本低、圆形光斑、阈值电流低、易于实现二维阵列等诸多优点,在光存储、显示、医疗、照明等领域都具有非常广阔的应用前景.RCLED则同时具备了传统LED和VCSEL两者的优点,其光束质量、发光效率、温度特性优于传统的LED,而其工艺难度、生产成本则低于VCESL.其独特的优势使其在照明、显示、光通信及其它许多领域都极具应用潜力.

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超疏水ZnO的结构和光学性质研究

超疏水ZnO的结构和光学性质研究

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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会

作者：吴春霞周明张帆蔡兰江苏大学光子制造科学与技术中心镇江 212013

宽带系半导体ZnO (E=3.37 eV)具有很大的激子束缚能(60 meV).近年来作为平板显示、紫外激光、紫外探测、太阳能电池等光电器件的重要材料受到广泛的关注.随着器件的微型化，一系列与表面相关的科学问题一直困扰着人们，因此获得具有表...

宽带系半导体ZnO (E=3.37 eV)具有很大的激子束缚能(60 meV).近年来作为平板显示、紫外激光、紫外探测、太阳能电池等光电器件的重要材料受到广泛的关注.随着器件的微型化，一系列与表面相关的科学问题一直困扰着人们，因此获得具有表面超疏水特性的ZnO微纳米结构，并研究其光学性质，对于提高微纳米光电器件表面的抗粘附和抗腐蚀性能具有重要的现实意义.本文利用VLS的方法在ITO衬底上制备了类草坪状的ZnO结构，其表面与水的接触角为150.7°，具有超疏水特性.同时在室温下我们测得了ZnO纳米草坪结构的光致发光谱，通过变温光致发光谱的研究我们确认室温下观察到的位于3.28eV较强的紫外发射峰归结为自由激子及相关发射的叠加.

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GaN的HVPE生长和光谱研究

GaN的HVPE生长和光谱研究

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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会

作者：王建峰蔡德敏刘建奇黄俊张敏徐科杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司苏州215123

高质量氮化镓衬底对氮化物半导体实现在大功率LED、蓝绿光激光器、功率微波器件和电力电子器件等方面应用具有重要的意义.目前制备GaN衬底的方法主要有氢化物汽相外延生长方法(HVPE)、氨热法、助熔剂法、高压熔体生长法.近年来，前三种...

高质量氮化镓衬底对氮化物半导体实现在大功率LED、蓝绿光激光器、功率微波器件和电力电子器件等方面应用具有重要的意义.目前制备GaN衬底的方法主要有氢化物汽相外延生长方法(HVPE)、氨热法、助熔剂法、高压熔体生长法.近年来，前三种方法取得了巨大的进展，用三种不同方法均有报道实现2英寸GaN衬底的成功制备.HVPE方法具有大面积、批量制备的能力，如果能够在有效的材料生长厚度内将缺陷密度降低到器件要求的水平，将是最有竞争力的一种方法.本文从HVPE材料生长和光学光谱表征的角度，讨论氮化镓衬底制备的关键问题.

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卷首语

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电力电子 2010年第5期8卷 1-1页

“2010年欧洲PCIM学术研讨会论文选译”专辑（2）新的拓扑结构，新的调制方法和未来的宽能带隙的半导体器件技术将会满足电力电子系统更高效率，更高功率密度和更低成本的要求。

关键词：电力电子系统学术研讨会高功率密度拓扑结构器件技术调制方法半导体能带隙

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