检索结果-内蒙古大学图书馆

TFC’09全国薄膜技术学术研讨会

作者：杨铭施展张群复旦大学材料科学系

P型CuAlO与透明氧化物InGaZnO（IGZO）沟道层薄膜的发现开拓了透明电子学全新的研究领域—透明氧化物半导体（Transparent oxide semiconductor,TOS）,使得透明p-n结、晶体管以及相应的半导体器件的实现成为可能。然而目前已经实用化的... 详细信息

P型CuAlO与透明氧化物InGaZnO（IGZO）沟道层薄膜的发现开拓了透明电子学全新的研究领域—透明氧化物半导体（Transparent oxide semiconductor,TOS）,使得透明p-n结、晶体管以及相应的半导体器件的实现成为可能。然而目前已经实用化的TOS薄膜材料均为n型半导体,性能与之对应的p型材料则一直未能有重大进展,在新型TOS材料的研发、导电机理、合成工艺、新器件和新的应用领域的开拓等方面都有待进一步深入。

关键词：氧化物半导体电导率

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新一代微波/毫米波器件用磁性薄膜材料的研究进展

新一代微波/毫米波器件用磁性薄膜材料的研究进展

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TFC’09全国薄膜技术学术研讨会

作者：钟智勇张怀武电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

磁性器件是微波/毫米波电子设备和系统中不可或缺的基础元器件。随着微波设备/系统向集成、高频化、模块化、小型多功能化的总体发展,微波磁性器件也需要向高频化、小型化、片式化和与半导体器件集成组件化方向发展。

关键词：毫米波器件磁性薄膜铁氧体材料

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在金刚石基片上射频溅射生长声表面波用氧化锌薄膜

在金刚石基片上射频溅射生长声表面波用氧化锌薄膜

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2009年全国压电和声波理论及器件技术研讨会暨2009年全国频率控制技术年会

作者：陈瑞边旭明范佰杰李丽何春河范子坤 100854 北京长峰声表面波公司

ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，同时也是一种机电耦合系数较大的压电材料。在光电器件、声光器件和声表面波器件等领域有很大的应用潜力。本文利用射频磁控溅射系统在金刚石衬底上生长了ZnO薄膜，溅射系统的本底真空度为3... 详细信息

ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，同时也是一种机电耦合系数较大的压电材料。在光电器件、声光器件和声表面波器件等领域有很大的应用潜力。本文利用射频磁控溅射系统在金刚石衬底上生长了ZnO薄膜，溅射系统的本底真空度为3×10-5mTorr，溅射靶材为纯度为99.999％的3英寸ZnO陶瓷靶，使用氩气和氧气纯度均为99.999％，溅射气压保持在3.6mTorr。利用X射线衍射方法分析了ZnO薄膜的结晶性能，其中，在氧氩比为1：2、衬底温度为400℃、射频功率为200W的条件下溅射2h得到的ZnO薄膜，利用X射线衍射观察到ZnO的(002)峰。其中(002)峰的半峰宽为0.589。同时在ZnO薄膜上制作了叉指换能器，线条宽度1.59μm，并利用矢量网络分析仪对制作的器件进行测量，得到器件的频率为1.07GHz。

关键词：射频磁控溅射氧化锌薄膜金刚石基片声表面波叉指换能器

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辐射伏特效应同位素电池组阵可行性初步研究

辐射伏特效应同位素电池组阵可行性初步研究

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第二届全国核技术及应用研究学术研讨会

作者：王关全胡睿熊晓玲张华明杨玉青魏洪源高晖刘业兵中国工程物理研究院核物理与化学研究所

将辐射伏特效应同位素电池形成电池组阵,是其满足实际应用对电性能要求必然要采取的一种方式。本文通过对两片受Ni-63放射源辐照的半导体器件分别以串联、并联的方式连接,测试了在这些连接方式下他们的电输出性能。结果显示,串联方式和... 详细信息

将辐射伏特效应同位素电池形成电池组阵,是其满足实际应用对电性能要求必然要采取的一种方式。本文通过对两片受Ni-63放射源辐照的半导体器件分别以串联、并联的方式连接,测试了在这些连接方式下他们的电输出性能。结果显示,串联方式和并联方式可以分别提高总输出电流和输出电压,两种方式都可以提高总输出功率。由于本文使用两个器件以夹心方式接受同一Ni-63源辐照,充分利用4π方向β射线,改进以前仅利用2π方向β射线的情况,实现了在不增加驱动源强度的前提下提高电输出性能。

关键词：射伏特效应同位素电池电池组阵电输出性能

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发挥优势促进大连半导体产业发展

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电子元器件资讯 2009年第7期 19-19页

第二届大连国际IC产业论坛暨工业电子技术研讨会是第七届中国国际软件和信息服务交易会(简称软交会)期间重要的论坛会议之一.希望这次研讨会能够进一步推动大连乃至辽宁集成电路发展,推动全国集成电路和工业电子的产业创新.

关键词：发挥优势大连半导体集成电路和技术研讨会信息服务论坛国际软件工业电子产业创新交易会中国辽宁交会

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氮化硼一维纳米结构的合成和生长机理的研究

氮化硼一维纳米结构的合成和生长机理的研究

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第十二届全国青年材料科学技术研讨会

作者：陈拥军广西大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室广西大学化学化工学院南宁 530004

氮化硼(BN)是一种很重要的宽带隙半导体,具有高熔点、高力学性能、强的抗氧化和抗腐蚀性能;BN 一维纳米结构在纳米电子和器件方面特别是高温领域有着极高的应用价值。本文采用硼粉和锌粉作为原料,在氮气和氢气的混合气氛下于商业不锈... 详细信息

氮化硼(BN)是一种很重要的宽带隙半导体,具有高熔点、高力学性能、强的抗氧化和抗腐蚀性能;BN 一维纳米结构在纳米电子和器件方面特别是高温领域有着极高的应用价值。本文采用硼粉和锌粉作为原料,在氮气和氢气的混合气氛下于商业不锈钢箔上合成了氮化硼实心纳米线和竹节状空心纳米管,并对其生长机理进行了分析探索。结果表明,由硼和氧化锌反应生成的B2O2 气体作为硼源,1100°C 下合成的产物是高纯度的BN 纳米线,而在1200°C 下合成的产物是高纯度的竹节状BN 纳米管,另外发现了由实心纳米线和空心纳米管组成的复合纳米结构。本研究中,不锈钢箔既是沉积基片,又对纳米结构的生长起着有效的催化作用;纳米线和纳米管的生长机理均属于气–液–固(vapor-liquid-solid,VLS)机制。

关键词：无机非金属材料氮化硼一维纳米结构合成生长机理

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世强电讯暨NEC电子“All Flash MCU应用技术全国巡回研讨会”首站告捷

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微计算机信息 2008年第33期24卷 317-317页

2008年10月9日，国内知名电子元器件分销商世强电讯携手优秀的半导体厂商NEC电子在北京成功举办了“All F1ash MCU应用技术研讨会”。

关键词：电子元器件技术研讨会 NEC MCU Flash 电讯应用首站

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加速寿命试验评估“水立方”功率LED平均寿命

加速寿命试验评估“水立方”功率LED平均寿命

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第十一届全国LED产业与技术研讨会

作者：黄杰高兆丰张瑞霞高金环徐立生国家半导体器件质量监督检验中心石家庄市179信箱45分箱 050051 国家半导体器件质量监督检验中心石家庄市179信箱45分箱050051

本文通过恒定温度应力的加速寿命试验，对“水立方”XR7090BL-L1-B3-0-0001功率型蓝光LED的平均寿命进行了评估，通过图估法和数值分析法进行数据处理，得到了其工作结温不超过80℃、光通量衰减至70％的平均寿命，为LED长期使用可靠性... 详细信息

本文通过恒定温度应力的加速寿命试验，对“水立方”XR7090BL-L1-B3-0-0001功率型蓝光LED的平均寿命进行了评估，通过图估法和数值分析法进行数据处理，得到了其工作结温不超过80℃、光通量衰减至70％的平均寿命，为LED长期使用可靠性的评价工作提供了一定的参考。

关键词：蓝光LED 平均寿命加速寿命试验光通量可靠性

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我国高亮度LED产业发展概况

我国高亮度LED产业发展概况

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第十一届全国LED产业与技术研讨会

作者：彭万华中国光学光电子行业协会光电器件分会厦门华联电子有限公司厦门 361006

本文简要描述半导体照明含义，着重介绍国内LED产业发展、应用市场、产业投资以及加速发展我国半导体照明产业的建议。

关键词：半导体照明高亮度LED 产业投资产业发展

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关于大功率LED光源热失散问题的讨论

关于大功率LED光源热失散问题的讨论

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第十一届全国LED产业与技术研讨会

作者：王国定上海大晨光电有限公司(邮编201206)

本文是作者从事半导体照明应用工作的一些体会。文中讨论了LED光源作为一种与温度密切相关的半导体热敏器件，如何正确地控制和降低其芯片上的温度，对应用工作至关重要。本文通过实验，指出了应用中除要了解LED器件的热阻外，还要通过... 详细信息

本文是作者从事半导体照明应用工作的一些体会。文中讨论了LED光源作为一种与温度密切相关的半导体热敏器件，如何正确地控制和降低其芯片上的温度，对应用工作至关重要。本文通过实验，指出了应用中除要了解LED器件的热阻外，还要通过分析设计，降低光源模组与周边环境闻的等效热阻。指出不同散热方法可达到不同的等效热阻的控制，从而使LED光源的光电参数，预期工作寿命处在可控范围之内。

关键词：半导体照明大功率LED光源热失散等效热阻光电参数

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