检索结果-内蒙古大学图书馆

TFC'05全国薄膜技术学术研讨会

作者：冯煜东张福甲兰州大学物理科学与技术学院兰州大学物理科学与技术学院

半导体材料广泛应用于电子元件、高密度信息存储、光电器件等领域,是第三次技术革命的基础。随着人们对有机半导体功能材料的开发,将推动信息技术的一次变革。有机半导体材料与传统的无机半导体材料相比有一定的相似性,但又具有许多不... 详细信息

半导体材料广泛应用于电子元件、高密度信息存储、光电器件等领域,是第三次技术革命的基础。随着人们对有机半导体功能材料的开发,将推动信息技术的一次变革。有机半导体材料与传统的无机半导体材料相比有一定的相似性,但又具有许多不同于无机半导体材料的新特点。有机半导体材料除了其器件制作方法的简单性外,有机化合物的丰富多彩也为材料的设计和选择提供了广阔的天地。典型的有机半导体技术包括如有机发光显示技术,有机薄膜晶体管技术,有机/聚合物太阳能电池与染料敏化纳米二氧化钛太阳能电池技术等。有

关键词：真空镀膜技术有机半导体器件有机半导体材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高能大功率电子辐照加速器应用初探

高能大功率电子辐照加速器应用初探

引用

2005全国(γ、EB)辐照装置质量与安全管理研讨会

作者：李涛黄医军北京原子高科金辉辐射技术应用有限责任公司核工业第四研究设计院

高能大功率电子辐照加速器是具有较高技术含量的辐照加工生产装置，在医疗卫生用品的辐照消毒、食品的辐照保鲜、粮食和其它农副产品的检疫和贮藏、电力半导体器件和高分子材料的辐照改性、出口海产品辐照加工、新材料的制备等领域均有... 详细信息

高能大功率电子辐照加速器是具有较高技术含量的辐照加工生产装置，在医疗卫生用品的辐照消毒、食品的辐照保鲜、粮食和其它农副产品的检疫和贮藏、电力半导体器件和高分子材料的辐照改性、出口海产品辐照加工、新材料的制备等领域均有较为广泛的应用，具有较好的应用前景和市场前景。

关键词：辐照加工辐照加速器生产装置电力半导体器高分子材料辐照改性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展

Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展

引用

首届全国先进焦平面技术研讨会

作者：龚海梅李向阳亢勇许金通汤英文李雪张燕赵德刚杨辉传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083 中国科学院半导体研究所北京100083

文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用.然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻... 详细信息

文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用.然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些评述.

关键词：紫外探测器氮化镓铝镓氮紫外焦平面器件光电探测

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

引用

首届全国先进焦平面技术研讨会

作者：徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心上海200083

文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)... 详细信息

文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

关键词： CdZnTe衬底 HgCdTe薄膜材料液相外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si基CdTe复合衬底分子束外延研究

Si基CdTe复合衬底分子束外延研究

引用

首届全国先进焦平面技术研讨会

作者：陈路王元樟巫艳吴俊于梅芳乔怡敏何力中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心上海200083

文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延... 详细信息

文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.

关键词：硅基碲镉汞复合衬底分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

面向第三代红外焦平面的碲镉汞材料器件研究

面向第三代红外焦平面的碲镉汞材料器件研究

引用

首届全国先进焦平面技术研讨会

作者：何力丁瑞军李言谨杨建荣张勤耀中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心上海200083

文章叙述了第三代红外焦平面中所需求的碲镉汞分子束外延(MBE)的一些研究成果.对GaAs、Si基大面积异质外延、表面缺陷抑制、p型掺杂等MBE的主要难点问题进行了阐述.研究表明,3in材料的组分均匀性良好,组分x的偏差为0.5％.晶格失配引发... 详细信息

文章叙述了第三代红外焦平面中所需求的碲镉汞分子束外延(MBE)的一些研究成果.对GaAs、Si基大面积异质外延、表面缺陷抑制、p型掺杂等MBE的主要难点问题进行了阐述.研究表明,3in材料的组分均匀性良好,组分x的偏差为0.5％.晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效的抑制.在GaAs和Si衬底上外延的HgCdTe材料的(422)x射线衍射半峰宽(FWHM)的典型值为60～80arc·sec.大于2μm缺陷的表面密度可以控制在小于300cm-2水平.研究发现As的表面黏附系数很低,对生长温度十分敏感,在170℃下约为1×10-4.通过合适的退火,可以实现As的受主激活.采用碲镉汞多层材料已试制了长波n-on-p与p-on-n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,本文报道了一些初步结果.

关键词：分子束外延碲镉汞红外焦平面碲镉汞材料器平面探测器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

第五届国际电子测试与测量专业研讨会

引用

仪表技术 2005年第6期 39-39页

在2005年秋季（第66届）全国电子产品展览会期间。主办单位在上海新国际博览中心举办了电子测试与测量专业研讨会。会上，中国工程院院士张钟华先生介绍了“‘十一五’电子测试与测量技术的发展”、美国吉时利公司介绍了“半导体器件特... 详细信息

在2005年秋季（第66届）全国电子产品展览会期间。主办单位在上海新国际博览中心举办了电子测试与测量专业研讨会。会上，中国工程院院士张钟华先生介绍了“‘十一五’电子测试与测量技术的发展”、美国吉时利公司介绍了“半导体器件特性测试的新技术”、日本横河公司介绍了“高性能便捷的电子元件测试技术”、美国NI公司介绍了“高效、模块化的消费电子测试解决方案”、凌华集团介绍了“PXI系统于各式量测应用开发环境中的实际案例”、北京航天测控公司介绍了“故障诊断技术研究与应用”、赛宝实验室介绍了“电磁兼容测试仪器的计量校准”、南京长盛公司介绍了“电子设备（电器设备）的防触电措施和安全测试（试验）”等。

关键词：上海新国际博览中心电子测试测量专业第五届应用开发环境电子产品展览会中国工程院院士公司介绍测试解决方案故障诊断技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

国内外电力电子器件发展现状

国内外电力电子器件发展现状

引用

2004年全国电力网无功/电压技术研讨会

作者：孟庆宗西安电力电子技术研究所(陕西西安)

简要回顾了电力半导体器件的发展历史.对光控晶闸管(LTT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及反向开关两端晶闸管(RSD)等新型器件的工作原理、现状做了介绍.指出电力半导体是电力电子技术的基石,离开他们,电力电子... 详细信息

简要回顾了电力半导体器件的发展历史.对光控晶闸管(LTT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及反向开关两端晶闸管(RSD)等新型器件的工作原理、现状做了介绍.指出电力半导体是电力电子技术的基石,离开他们,电力电子技术将是无米之炊.

关键词：光触发晶闸管整流管两端晶闸管静电感应晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

二次包封CMOS器件电子辐照实验研究

二次包封CMOS器件电子辐照实验研究

引用

第四届电子产品防护技术研讨会

作者：卫宁于伦正郭红霞党军航天时代电子公司第771研究所(西安) 西北核技术研究所(西安)

对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1~2个数量级,得到了预期的数据和结果,这些工作为商用器件在空间的使用提供了... 详细信息

对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1~2个数量级,得到了预期的数据和结果,这些工作为商用器件在空间的使用提供了很好的途径.

关键词：二次封装电离辐射电子辐照实验 CMOS器件半导体器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

中国ICT(信息和通信技术)现状与展望

引用

世界电子元器件 2004年第12期 70-72页

作者：雷震洲信息产业部电信研究院科技委

无线和宽带,是通信技术的发展方向,中国整个无线市场发展非常迅猛。射频技术在很多领域里,其中包括移动电话、无线局域网,家庭宽带网、数字电视、接收和传输、GPS,都得到广泛的应用。另外,宽带市场现在也在大幅度增长。根据最新的数据统... 详细信息

无线和宽带,是通信技术的发展方向,中国整个无线市场发展非常迅猛。射频技术在很多领域里,其中包括移动电话、无线局域网,家庭宽带网、数字电视、接收和传输、GPS,都得到广泛的应用。另外,宽带市场现在也在大幅度增长。根据最新的数据统计,中国目前互联网的宽带用户已经超过两千万。所以,目前无线和宽带正在走向融合,而射频技术和宽带技术也成为技术和市场的热点。为进一步跟踪中外信息和通信领域的最新技术和产品,为企业和工程技术人员提供一个高层次面对面进行技术交流的良好机会,2004年10月28日,中电网与中国邮电器材集团公司在中国国际展览中心共同举办了2004中国射频与宽带通信技术研讨会"。在此次研讨会上,来自信息产业部、全球著名半导体器件生产厂家、国内知名通信厂商的领导、专家和工程师们共同探讨了通信技术的行业走向和技术潮流,气氛十分热烈。为了进一步延伸此次研讨会的重大意义和重要价值,我们将此次研讨会所有专家的演讲内容精华做了整理,希望和我们的读者一起分享。

关键词：中国世界经济电话用户高速增长信息通信产业信息产业宽带用户宽带通信通信技术射频

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：