检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

499 篇 会议
67 篇 期刊文献
4 篇 法律法规

馆藏范围

570 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

472 篇 工学
- 349 篇 电子科学与技术（可...
- 294 篇 材料科学与工程（可...
- 61 篇 光学工程
- 46 篇 电气工程
- 29 篇 仪器科学与技术
- 13 篇 控制科学与工程
- 12 篇 航空宇航科学与技...
- 11 篇 计算机科学与技术...
- 10 篇 机械工程
- 10 篇 化学工程与技术
- 8 篇 信息与通信工程
- 7 篇 动力工程及工程热...
- 6 篇 交通运输工程
- 3 篇 食品科学与工程（可...
- 2 篇 轻工技术与工程
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 建筑学
- 1 篇 土木工程
- 1 篇 地质资源与地质工...
45 篇 理学
- 37 篇 物理学
- 7 篇 化学
- 2 篇 数学
- 1 篇 地球物理学
- 1 篇 地质学
24 篇 经济学
- 23 篇 应用经济学
- 1 篇 理论经济学
3 篇 教育学
- 3 篇 教育学
3 篇 管理学
- 2 篇 公共管理
2 篇 农学
2 篇 医学
2 篇 军事学
1 篇 哲学
- 1 篇 哲学
1 篇 法学
- 1 篇 社会学

主题

50 篇 半导体器件
26 篇 半导体分立器件
23 篇 氮化镓
22 篇 性能表征
22 篇 性能评价
18 篇 半导体功率器件
17 篇 高电子迁移率晶体...
17 篇 技术研讨会
17 篇 制备工艺
17 篇 功率半导体器件
15 篇 技术分析
14 篇 仿真分析
13 篇 行业协会
12 篇 半导体材料
12 篇 中国
12 篇 优化设计
11 篇 发光二极管
11 篇 新技术研讨会
11 篇 年会
10 篇 器件技术

机构

51 篇 电子科技大学
13 篇 中国科学院微电子...
12 篇 专用集成电路重点...
11 篇 中国科学院苏州纳...
9 篇 中国科学院半导体...
9 篇 东南大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 中国电子科技集团...
8 篇 西安交通大学
8 篇 国家半导体器件质...
7 篇 华中科技大学
7 篇 中国科学院大学
7 篇 中国电子科技集团...
7 篇 北京大学
7 篇 北京工业大学
6 篇 中国科学院
6 篇 上海华虹nec电子有...
6 篇 西安芯派电子科技...
6 篇 北京微电子技术研...
5 篇 航天长征火箭技术...

作者

26 篇 李泽宏
23 篇 张金平
21 篇 任敏
15 篇 张波
13 篇 冯志红
10 篇 敦少博
8 篇 高巍
8 篇 杜江锋
8 篇 郭旗
8 篇 于奇
6 篇 陈万军
6 篇 黄杰
5 篇 杨辉
5 篇 李豫东
5 篇 龚海梅
5 篇 徐立生
5 篇 钱文生
5 篇 文林
4 篇 聂海
4 篇 刘杰

语言

570 篇 中文

检索条件"任意字段=2010’全国半导体器件技术研讨会"

共 570 条记录，以下是71-80 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

集成电路芯片的射频测试技术

集成电路芯片的射频测试技术

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：徐光吴振海陈金远钱峰陈新宇中国电子科技集团公司第五十五研究所

射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并完成了测试数据统计及成品率统计程序的编写。测试结果表明,该系统解决了射频芯片100%在片测试的技术问题... 详细信息

射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并完成了测试数据统计及成品率统计程序的编写。测试结果表明,该系统解决了射频芯片100%在片测试的技术问题,为射频集成电路应用提供了有力保障。

关键词：射频集成电路在片测试直流测试小信号S参数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

表面安装半导体功率器件稳态热阻测试研究

表面安装半导体功率器件稳态热阻测试研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：郭美洋孙克郝勇济南市半导体元件实验所

随着整机系统可靠性要求的提升，产品的热特性被越来越多的设计师所关注，因为超过一半的半导体器件失效都与温度有关。传统封装器件的热阻测试便于实现，目前包括测试设备、测试方法都已经比较成熟，但对于近十年发展迅速的表面安装器...

随着整机系统可靠性要求的提升，产品的热特性被越来越多的设计师所关注，因为超过一半的半导体器件失效都与温度有关。传统封装器件的热阻测试便于实现，目前包括测试设备、测试方法都已经比较成熟，但对于近十年发展迅速的表面安装器件，其结构的特殊性决定了到目前为止还没有一个良好的稳态热阻测试方案。

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

直接敷铜陶瓷基板技术的研究进展

直接敷铜陶瓷基板技术的研究进展

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：卢会湘胡进王子良中国电子科技集团公司第五十五研究所

功率模块以及集成电力电子模块（integrated power electronics module,IPEM）的发展带动直接敷铜（direct bonded copper,DBC）基板技术的迅猛发展。详细介绍了DBC基板技术的技术原理与技术路线,通过机理的分析,指出重点,然后分别讲述... 详细信息

功率模块以及集成电力电子模块（integrated power electronics module,IPEM）的发展带动直接敷铜（direct bonded copper,DBC）基板技术的迅猛发展。详细介绍了DBC基板技术的技术原理与技术路线,通过机理的分析,指出重点,然后分别讲述了AlO-DBC和AlN-DBC基板制备的关键技术、解决方向以及一些最新的研究进展和研究方向,结合实例说明了DBC技术的应用前景,并指出了今后的发展方向。

关键词：集成电力电子模块直接敷铜氮化铝基板敷合

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

单晶金刚石及其电子器件的研究

单晶金刚石及其电子器件的研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王宏兴樊叔维侯洵李奉南李硕业颜建平胡超刘璋成巨鑫张景文卜忍安西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si与SiC微波功率器件的比较

Si与SiC微波功率器件的比较

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰李亚丽周瑞中国电子科技集团公司第十三研究所

对已经研制出的S波段连续波状态下输出功率为10 W的Si与SiC功率器件进行了对比分析,SiC微波功率器件无论是在微波功率增益、功率附加效率还是在器件的体积和重量等方面都表现出了明显优势,SiC器件的功率增益达9 dB以上,比Si器件高3 dB,... 详细信息

对已经研制出的S波段连续波状态下输出功率为10 W的Si与SiC功率器件进行了对比分析,SiC微波功率器件无论是在微波功率增益、功率附加效率还是在器件的体积和重量等方面都表现出了明显优势,SiC器件的功率增益达9 dB以上,比Si器件高3 dB,功率附加效率提高5%以上,体积减小近8倍,重量只为Si功率器件的1/5左右。除此之外,由于SiC材料的优势,SiC微波MOS器件和电力电子器件也展现了诱人的应用前景。

关键词：碳化硅功率器件微波硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现... 详细信息

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

IGBT技术发展概述

IGBT技术发展概述

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：吴郁北京工业大学电控学院北京100124

本文简述了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构、性能，分析了其发展历程，从能耗、制造工艺及设计方面研究了IGBT技术发展的现状，并进一步探讨了人们对新结构、新工艺的探索和对器件高性能的追求。

关键词：绝缘栅双极型晶体管器件结构性能评价技术分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

深结n+/n-型Si衬底扩散技术

深结n+/n-型Si衬底扩散技术

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：毛建军王铮任亮朱志远陈福元杭州杭鑫电子工业有限公司

自20世纪60年代Si功率晶体管问世以来,供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的n/n,p/p,n/p型Si重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到蓬勃发展。尤其是有关Si中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在Si扩散结区的浓度优化分... 详细信息

自20世纪60年代Si功率晶体管问世以来,供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的n/n,p/p,n/p型Si重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到蓬勃发展。尤其是有关Si中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在Si扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、Si衬底扩散片的结构优化和市场开拓等工作,为半个世纪以来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。简述了重掺杂Si衬底片的发展史,并对与重掺杂Si衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。

关键词：硅半导体杂质扩散专利晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

4.8 W连续输出大功率红光半导体激光器的研制

4.8 W连续输出大功率红光半导体激光器的研制

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：王海卫张新李沛旭汤庆敏李树强夏伟徐现刚山东华光光电子有限公司山东大学晶体材料国家重点实验室

利用MOCVD生长Mg掺杂的AlGaInP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AlGaInP/GaInP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术,制作出150μm条宽1 200μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,... 详细信息

利用MOCVD生长Mg掺杂的AlGaInP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AlGaInP/GaInP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术,制作出150μm条宽1 200μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,阈值电流560 mA,最大输出功率超过4.8 W。器件激射波长658 nm,光谱半峰宽(FWHM)只有1.2 nm,寿命超过5 000 h。

关键词：镁掺杂锌扩散无吸收窗口 650 nm MOCVD

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

热轧对电子半导体用Ni15wt%Pt合金溅射靶材微观形貌和相结构均匀性的影响

热轧对电子半导体用Ni15wt%Pt合金溅射靶材微观形貌和相结构均匀...

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王传军张俊敏谭志龙闻明管伟明毕珺沈月昆明贵金属研究所贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用国家重点实验室

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共57页 << < 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：