检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

499 篇 会议
67 篇 期刊文献
4 篇 法律法规

馆藏范围

570 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

472 篇 工学
- 349 篇 电子科学与技术（可...
- 294 篇 材料科学与工程（可...
- 61 篇 光学工程
- 46 篇 电气工程
- 29 篇 仪器科学与技术
- 13 篇 控制科学与工程
- 12 篇 航空宇航科学与技...
- 11 篇 计算机科学与技术...
- 10 篇 机械工程
- 10 篇 化学工程与技术
- 8 篇 信息与通信工程
- 7 篇 动力工程及工程热...
- 6 篇 交通运输工程
- 3 篇 食品科学与工程（可...
- 2 篇 轻工技术与工程
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 建筑学
- 1 篇 土木工程
- 1 篇 地质资源与地质工...
45 篇 理学
- 37 篇 物理学
- 7 篇 化学
- 2 篇 数学
- 1 篇 地球物理学
- 1 篇 地质学
24 篇 经济学
- 23 篇 应用经济学
- 1 篇 理论经济学
3 篇 教育学
- 3 篇 教育学
3 篇 管理学
- 2 篇 公共管理
2 篇 农学
2 篇 医学
2 篇 军事学
1 篇 哲学
- 1 篇 哲学
1 篇 法学
- 1 篇 社会学

主题

50 篇 半导体器件
26 篇 半导体分立器件
23 篇 氮化镓
22 篇 性能表征
22 篇 性能评价
18 篇 半导体功率器件
17 篇 高电子迁移率晶体...
17 篇 技术研讨会
17 篇 制备工艺
17 篇 功率半导体器件
15 篇 技术分析
14 篇 仿真分析
13 篇 行业协会
12 篇 半导体材料
12 篇 中国
12 篇 优化设计
11 篇 发光二极管
11 篇 新技术研讨会
11 篇 年会
10 篇 器件技术

机构

51 篇 电子科技大学
13 篇 中国科学院微电子...
12 篇 专用集成电路重点...
11 篇 中国科学院苏州纳...
9 篇 中国科学院半导体...
9 篇 东南大学
9 篇 南京电子器件研究...
9 篇 中国电子科技集团...
8 篇 西安交通大学
8 篇 国家半导体器件质...
7 篇 华中科技大学
7 篇 中国科学院大学
7 篇 中国电子科技集团...
7 篇 北京大学
7 篇 北京工业大学
6 篇 中国科学院
6 篇 上海华虹nec电子有...
6 篇 西安芯派电子科技...
6 篇 北京微电子技术研...
5 篇 航天长征火箭技术...

作者

26 篇 李泽宏
23 篇 张金平
21 篇 任敏
15 篇 张波
13 篇 冯志红
10 篇 敦少博
8 篇 高巍
8 篇 杜江锋
8 篇 郭旗
8 篇 于奇
6 篇 陈万军
6 篇 黄杰
5 篇 杨辉
5 篇 李豫东
5 篇 龚海梅
5 篇 徐立生
5 篇 钱文生
5 篇 文林
4 篇 聂海
4 篇 刘杰

语言

570 篇 中文

检索条件"任意字段=2010’全国半导体器件技术研讨会"

共 570 条记录，以下是81-90 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

微束等离子体弧在大型复杂金属表面精密抛光加工研究

微束等离子体弧在大型复杂金属表面精密抛光加工研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：戴伟李建军华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室武汉 430074 华中科技大学材料科学与工程学院武汉 430074

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

浅谈电子级八氟环丁烷纯化技术

浅谈电子级八氟环丁烷纯化技术

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈艳珊佛山市华特气体有限公司

本文对现有八氟环丁烷的用途和纯化工艺进行简述,并介绍了公司自主研发的纯化工艺,采用精馏-吸附相结合的工艺,产品符合半导体行业使用要求.

关键词：八氟环丁烷精馏吸附工艺质量控制蚀刻剂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ku波段高性能介质振荡器设计

Ku波段高性能介质振荡器设计

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：陈在孙健朱良凡南京电子器件研究所

利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34 mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 kHz,17 GHz测得相位噪声为-98 dBc/Hz@10 k... 详细信息

利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34 mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 kHz,17 GHz测得相位噪声为-98 dBc/Hz@10 kHz;介质振荡器测得的输出功率和频率随环境温度变化缓慢,平坦度特性较好。设计的高性能介质振荡器可作为各类接收的本振信号源,同时为更高性能毫米波介质振荡器的开发提供技术指导。

关键词：介质谐振器振荡器相位噪声稳频 Ku波段

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

干法栅挖槽GaAs HFET功率管

干法栅挖槽GaAs HFET功率管

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：栗锐王义林罡陈堂胜南京电子器件研究所

介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖槽,确... 详细信息

介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖槽,确定了低损伤与各向异性刻蚀的最佳条件。采用该工艺制作的GaAs HFET功率管,4个27 mm管芯合成的内匹配功率管在5.6 GHz条件下输出功率为53 W、功率增益11 dB、功率附加效率大于47%。

关键词：干法刻蚀自停止表面缺陷侧蚀

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究

应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：莫尚军张继华电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根... 详细信息

用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根表面粗糙度小于4.5 nm,1 MHz下介电常数为713,介电损耗为0.007。10 V偏压下,漏电流密度为1×10A/cm。

关键词： DRAM 钛酸锶钡射频磁控溅射介电性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率MOSFET概述

功率MOSFET概述

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：胡冬青北京工业大学功率半导体器件研究室北京100124

本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介，中国功率MOSFET产业的发展也很... 详细信息

本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介，中国功率MOSFET产业的发展也很迅速，目前华虹NEC采用深槽填充技术己研制出700 V超结MOSFET，比通态电阻小于30mΩcm2，且漏电非常低。期待中国功率半导体技术能有更蓬勃的发展。

关键词：金属氧化物半导体器件产品结构技术分析性能评价

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

宽禁带半导体材料和器件发展动态及军事影响分析

宽禁带半导体材料和器件发展动态及军事影响分析

引用

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者：刘雅轩胡开博工信部电子情报所北京100040

本文介绍了宽禁带半导体发展总体态势的表现：制造成本不断下降、应用范围迅速扩大、研发领域继续拓展。阐述了工艺技术的发展，并分析了宽禁带半导体材料和器件发展趋势，最后探讨了其对军事的影响：1、促进有源相控阵雷达性能获得跃... 详细信息

本文介绍了宽禁带半导体发展总体态势的表现：制造成本不断下降、应用范围迅速扩大、研发领域继续拓展。阐述了工艺技术的发展，并分析了宽禁带半导体材料和器件发展趋势，最后探讨了其对军事的影响：1、促进有源相控阵雷达性能获得跃升;2、推动制导探测技术和天基电子系统进一步发展。

关键词：宽禁带半导体材料器件开发技术分析军事电子系统

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计

一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计

引用

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：殷丽王传敏北京微电子技术研究所

主要通过对场板和场限环结构的理论分析,总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素,提出采用场限环和场板的组合设计,可大大降低环间距、氧化层厚度及氧化层电荷对击穿电压的影响、简化工艺,获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件M... 详细信息

主要通过对场板和场限环结构的理论分析,总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素,提出采用场限环和场板的组合设计,可大大降低环间距、氧化层厚度及氧化层电荷对击穿电压的影响、简化工艺,获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件Medici模拟具有1200V高压阻断能力的平面快恢复二极管(FRD),最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性。对功率器件终端结构的设计具有一定借鉴意义。

关键词：击穿电压平面终端结构场板场限环优化设计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率MOSFET体二极管di/dt特性

功率MOSFET体二极管di/dt特性

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈周帅西安芯派电子科技有限公司西安 720075

本文以体二极管结构加实验验证的方式讲述了功率MOSFET体二极管反向恢复特性,分析发现,功率MOSFET的体二极管的di/dt对MOSFET的反向恢复电流、时间和电荷有着比较直接的影响.

关键词：功率金属氧化物半导体场效应器件寄生二极管反向恢复特性

来源：评论