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微束等离子体弧在大型复杂金属表面精密抛光加工研究
微束等离子体弧在大型复杂金属表面精密抛光加工研究
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 戴伟 李建军 华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室 武汉 430074 华中科技大学材料科学与工程学院 武汉 430074
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浅谈电子级八氟环丁烷纯化技术
浅谈电子级八氟环丁烷纯化技术
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 陈艳珊 佛山市华特气体有限公司
本文对现有八氟环丁烷的用途和纯化工艺进行简述,并介绍了公司自主研发的纯化工艺,采用精馏-吸附相结合的工艺,产品符合半导体行业使用要求.
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Ku波段高性能介质振荡器设计
Ku波段高性能介质振荡器设计
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2010’全国半导体器件技术研讨会
作者: 陈在 孙健 朱良凡 南京电子器件研究所
利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34 mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 kHz,17 GHz测得相位噪声为-98 dBc/Hz@10 k... 详细信息
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干法栅挖槽GaAs HFET功率管
干法栅挖槽GaAs HFET功率管
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2010’全国半导体器件技术研讨会
作者: 栗锐 王义 林罡 陈堂胜 南京电子器件研究所
介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖槽,确... 详细信息
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应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究
应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究
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2010’全国半导体器件技术研讨会
作者: 莫尚军 张继华 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根... 详细信息
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功率MOSFET概述
功率MOSFET概述
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者: 胡冬青 北京工业大学功率半导体器件研究室 北京100124
本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段:1998年之前,主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始,引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介,中国功率MOSFET产业的发展也很... 详细信息
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宽禁带半导体材料和器件发展动态及军事影响分析
宽禁带半导体材料和器件发展动态及军事影响分析
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者: 刘雅轩 胡开博 工信部电子情报所 北京100040
本文介绍了宽禁带半导体发展总体态势的表现:制造成本不断下降、应用范围迅速扩大、研发领域继续拓展。阐述了工艺技术的发展,并分析了宽禁带半导体材料和器件发展趋势,最后探讨了其对军事的影响:1、促进有源相控阵雷达性能获得跃... 详细信息
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一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计
一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计
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2010’全国半导体器件技术研讨会
作者: 殷丽 王传敏 北京微电子技术研究所
主要通过对场板和场限环结构的理论分析,总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素,提出采用场限环和场板的组合设计,可大大降低环间距、氧化层厚度及氧化层电荷对击穿电压的影响、简化工艺,获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件M... 详细信息
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功率MOSFET体二极管di/dt特性
功率MOSFET体二极管di/dt特性
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 陈周帅 西安芯派电子科技有限公司 西安 720075
本文以体二极管结构加实验验证的方式讲述了功率MOSFET体二极管反向恢复特性,分析发现,功率MOSFET的体二极管的di/dt对MOSFET的反向恢复电流、时间和电荷有着比较直接的影响.
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LED产业国内外技术发展
LED产业国内外技术发展
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者: 江忠永 张昊翔 杭州士兰明芯科技有限公司 杭州310018
本文阐述了LED芯片的制造技术,包括红、绿、蓝三基色发光二极管的外延生长以及芯片制造的过程,同时还就如何提高芯片的发光效率进行了讨论。
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