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165 篇 会议

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139 篇 工学
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- 8 篇 电气工程
- 8 篇 控制科学与工程
- 8 篇 计算机科学与技术...
- 8 篇 化学工程与技术
- 7 篇 机械工程
- 7 篇 航空宇航科学与技...
- 2 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 信息与通信工程
- 1 篇 交通运输工程
- 1 篇 环境科学与工程（可...
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21 篇 理学
- 15 篇 物理学
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主题

12 篇 高电子迁移率晶体...
12 篇 氮化镓
10 篇 性能表征
9 篇 制备工艺
6 篇 仿真分析
6 篇 氮化铝铟
5 篇 优化设计
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4 篇 垂直双扩散金属氧...
4 篇 发光二极管
4 篇 半导体材料
4 篇 可靠性分析
4 篇 氮化镓铝
4 篇 数值分析
3 篇 质量控制
3 篇 功率放大器
3 篇 航天电子设备
3 篇 终端结构
3 篇 砷化镓
3 篇 电路设计

机构

25 篇 电子科技大学
6 篇 专用集成电路重点...
5 篇 中国科学院大学
5 篇 东南大学
5 篇 西安交通大学
4 篇 中国科学院
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 中国科学院特殊环...
4 篇 中国电子科技集团...
4 篇 北京工业大学
3 篇 华中科技大学
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 苏州英诺迅科技有...
3 篇 上海华虹宏力半导...
3 篇 株洲南车时代电气...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 聊城大学
3 篇 成都信息工程学院
3 篇 新疆电子信息材料...

作者

11 篇 张金平
11 篇 李泽宏
10 篇 任敏
9 篇 张波
8 篇 高巍
7 篇 郭旗
6 篇 冯志红
6 篇 敦少博
6 篇 杜江锋
6 篇 于奇
5 篇 文林
4 篇 汪波
4 篇 玛丽娅
4 篇 李豫东
3 篇 聂海
3 篇 刘默涵
3 篇 谢中华
3 篇 吕元杰
3 篇 姜柯
3 篇 陆妩

语言

165 篇 中文

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硅中杂质扩散的影响因素研究

硅中杂质扩散的影响因素研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：杨会静王庆禄王莉唐山师范学院物理系

从微观角度上来说,杂质在硅材料内的扩散即是原子的布朗运动。杂质的扩散能力可用扩散系数来表示，不同物质的扩散系数不同，同一物质在不同温度下的扩散系数也不同。杂质在扩散过程中若半导体表面外的杂质浓度始终保持不变，称为恒定... 详细信息

从微观角度上来说,杂质在硅材料内的扩散即是原子的布朗运动。杂质的扩散能力可用扩散系数来表示，不同物质的扩散系数不同，同一物质在不同温度下的扩散系数也不同。杂质在扩散过程中若半导体表面外的杂质浓度始终保持不变，称为恒定表面源扩散;若杂质在扩散过程中没有外来杂质补充,仅限于扩散前积累在半导体表面无限薄层内的杂质总量，这种扩散称为限定表面源扩散。研究表明，随着时间的增长，杂质的浓度越来越低，说明杂质从表面处向材料内部扩散;随着时间的增长，杂质进入硅片的深度越来越深;曲线下的面积表示杂质的总量，曲线下面积相等，杂质总量不变。

关键词：半导体硅材料杂质扩散系数数据分析

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一种具有辅助埋层的恒流JFET

一种具有辅助埋层的恒流JFET

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：刘建李泽宏张金平任敏张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054

本文提出一种具有辅助埋层的恒流JFET,借助Medici仿真软件,通过对传统恒流JFET和本文所提具有辅助埋层的恒流JFET的恒流特性进行比较可得,本文所提的恒流JFET能有效的提高器件的恒流特性,在同等参数条件下,恒流器件10～20V、20～50V、50... 详细信息

本文提出一种具有辅助埋层的恒流JFET,借助Medici仿真软件,通过对传统恒流JFET和本文所提具有辅助埋层的恒流JFET的恒流特性进行比较可得,本文所提的恒流JFET能有效的提高器件的恒流特性,在同等参数条件下,恒流器件10～20V、20～50V、50～100V的电流变化率由普通的8.0％、11.9％、7.8％分别减小为4.2％、6.5％、5.1％.很明显,本文提出的具有辅助埋层的恒流JFET在不影响器件其他特性的同时可以更好的改善器件的恒流特性,可以很好地应用于高精度的恒流源.

关键词：恒流PN结型场效应晶体管发光二极管辅助埋层电流变化率

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高性能InAlN/GaN HEMT的研制与分析

高性能InAlN/GaN HEMT的研制与分析

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：谭鑫顾国栋宋旭波敦少博吕元杰冯志红专用集成电路重点实验室石家庄 050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051

本文利用栅下氧处理注入技术成功降低了InA1N/GaN HEMT的栅漏电。通过优化欧姆接触工艺，降低了源漏接触电阻进而得到较低的导通电阻。器件的饱和电流密度在vG=0V时达到2.03mA/mm，在VG=1V时达到2.2A/m m，这也是国内首次报道GaN基HEMT... 详细信息

本文利用栅下氧处理注入技术成功降低了InA1N/GaN HEMT的栅漏电。通过优化欧姆接触工艺，降低了源漏接触电阻进而得到较低的导通电阻。器件的饱和电流密度在vG=0V时达到2.03mA/mm，在VG=1V时达到2.2A/m m，这也是国内首次报道GaN基HEMT电流密度超过2A/mm，导通电阻为1.49Ωmm，最大跨导达到375mS/mm。器件的电流截止频率和最高振荡频率分别达到81GHz和138GHz。器件的性能可以通过工艺优化进一步的提高。

关键词：高电子迁移率晶体管制备工艺氮化镓氮化铝铟

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一种具有低导通压降的旁路开关

一种具有低导通压降的旁路开关

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：肖栩李泽宏张金平任敏高巍张波聂海电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054 成都信息工程学院四川成都 610000

本文提出一种具有低导通压降的旁路开关电路.借助仿真软件,通过对用于旁路开关的传统肖特基二极管和本文所提新型旁路开关电路的各项参数进行比较可得,本文所提新型旁路开关电路通过电路模块的控制作用及利用VDMOS器件的特性,减少了器... 详细信息

本文提出一种具有低导通压降的旁路开关电路.借助仿真软件,通过对用于旁路开关的传统肖特基二极管和本文所提新型旁路开关电路的各项参数进行比较可得,本文所提新型旁路开关电路通过电路模块的控制作用及利用VDMOS器件的特性,减少了器件的导通压降.与传统肖特基二极管相比,在电流为8A的情况下,导通压降从400mV下降到64mV,且具有更小的反向漏电流、更低的功耗和更长的寿命.

关键词：旁路开关低导通压降电路设计使用寿命

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AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的瞬态仿真与分析

AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的瞬态仿真与分析

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：周幸叶王元刚宋旭波顾国栋敦少博吕元杰冯志红专用集成电路重点实验室石家庄 050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051

本文对AIGaN/GaN HEMT进行了瞬态仿真和分析，用于研究陷阱效应导致的电流崩塌现象，考虑了陷阱和热效应的耦合影响。结果显示，除了表面陷阱以外，受主型体陷阱也会影响A1GaN/GaN HEMT的栅延迟瞬态特性，而且热效应会加速陷阱释放被捕... 详细信息

本文对AIGaN/GaN HEMT进行了瞬态仿真和分析，用于研究陷阱效应导致的电流崩塌现象，考虑了陷阱和热效应的耦合影响。结果显示，除了表面陷阱以外，受主型体陷阱也会影响A1GaN/GaN HEMT的栅延迟瞬态特性，而且热效应会加速陷阱释放被捕获的电子。脉冲瞬态仿真在分析动态电流崩塌非常有意义，本工作将为研究人员进一步开展GaN基器件建模和可靠性分析工作提供参考。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓氮化铝铟电流崩塌瞬态仿真

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耗尽型沟道超势垒整流器

耗尽型沟道超势垒整流器

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈文锁刘嵘侃钟怡刘玉奎廖瑞金许国磊邓琪重庆中科渝芯电子有限公司输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 模拟集成电路国家重点实验室(中国电子科技集团公司第24研究所) 重庆中科渝芯电子有限公司输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)

提出一种耗尽型沟道新型超势垒整流器(Depletion Channel Super Barrier Rectifier, DC-SBR).实验测试结果表明,对于60V的低压应用,与肖特基整流器(Schottky)相比,该新型整流器具有更低的正向压降、更小的反向漏电、更好的高温稳定性.

关键词：沟道超势垒整流器结构分析工作原理性能表征

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复合绝缘层IGZO-TFT器件的制备工艺及特性研究

复合绝缘层IGZO-TFT器件的制备工艺及特性研究

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王若铮西安交通大学电子物理与器件研究所

在玻璃衬底上，采用底栅极结构制备IGZO-TFTe，测试了不同氨氧比条件下IGZO-TFT的输出特性曲线，可以看出，通氧气为2sccm和3sccm时，器件工作在饱和区的电流较大，但是源漏电流IDS不太稳定，随漏源电压VDS的增大有一定幅度的上下波动... 详细信息

在玻璃衬底上，采用底栅极结构制备IGZO-TFTe，测试了不同氨氧比条件下IGZO-TFT的输出特性曲线，可以看出，通氧气为2sccm和3sccm时，器件工作在饱和区的电流较大，但是源漏电流IDS不太稳定，随漏源电压VDS的增大有一定幅度的上下波动。同时，测试了当IGZO氩氧比为25sccm:2sccm的器件特性，发现退火之后器件的栅控能力显著增强，可以在较低的栅压下开启。因此，提出了一种复合绝缘层IGZO-TFT的制备方法，这种SiNxISi02结构可以有效地防止器件的泄漏电流。

关键词：薄膜晶体管复合绝缘层铟镓锌氧化物制备工艺底栅极结构性能表征

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焊线设备中的超声波闭环控制

焊线设备中的超声波闭环控制

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：崔存华王惟朱绍德贺云波王勇大族光电设备有限公司

焊线是半导体封装中的关键环节，焊线技术直接关系到焊线品质。具有成熟的超声波驱动技术是焊接质量、焊接速度的决定性因素之一。要提高焊接质量，可以通过频率自动跟踪和电流受控输出来实现。通过在频率自动跟踪和电流受控输出的研究... 详细信息

焊线是半导体封装中的关键环节，焊线技术直接关系到焊线品质。具有成熟的超声波驱动技术是焊接质量、焊接速度的决定性因素之一。要提高焊接质量，可以通过频率自动跟踪和电流受控输出来实现。通过在频率自动跟踪和电流受控输出的研究，频率自动跟踪可覆盖较宽频率段的超声换能器，锁相时间快、精度高，可实时跟踪。电流受控输出解决了超声电流上升时间和超调之间的矛盾，能平稳受控地输出电流，更好地控制超声振动。频率自动跟踪和电流受控输出一起实现了超声的闭环输出，为高质量的焊接品质提供了坚实的保障。

关键词：半导体封装工艺焊线设备超声波闭环控制

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晶体管电流增益高低温变化率的研究

晶体管电流增益高低温变化率的研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：赵志桓张礼安兆嵬吕瑜陶红玉济南市半导体元件实验所

依据用户针对晶体管的电流增益高低温变化率的实际需求及器件可靠性的要求，从晶体管原理进行展开分析，降低掺杂区的掺杂浓度和加深发射结的结深等工艺控制是降低晶体管温度特性的有效方法。但是降低了掺杂区的掺杂浓度，会导致晶体管...

依据用户针对晶体管的电流增益高低温变化率的实际需求及器件可靠性的要求，从晶体管原理进行展开分析，降低掺杂区的掺杂浓度和加深发射结的结深等工艺控制是降低晶体管温度特性的有效方法。但是降低了掺杂区的掺杂浓度，会导致晶体管的饱和压降等参数变大，影响到电路的应用;随着发射结加深特征频率等参数也会变小;同时晶体管的电容也会增大，因此必须保证其他各种参数的前提下，降低晶体管的温度特性。通过关键的工艺进行工艺攻关，结果表明，通过降低掺杂区的掺杂浓度和加深发射结的结深工艺能够有效地降低晶体管温度特性，并能控制其他参数实测值满足设计要求。

关键词：

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无引线片式厚薄膜混合集成电路集成方法研究

无引线片式厚薄膜混合集成电路集成方法研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：杨成刚贵州振华风光半导体有限公司

本文主要论述无引线片式厚薄膜混合集成电路的集成方法,取消传统封装方法的封装外壳,在陶瓷基片的正面和(或)底面进行混合集成,对厚薄膜导带、厚薄膜阻带、厚薄膜电容、厚薄膜电感等厚薄膜元件采用绝缘介质膜进行密封、绝缘保护,对半导... 详细信息

本文主要论述无引线片式厚薄膜混合集成电路的集成方法,取消传统封装方法的封装外壳,在陶瓷基片的正面和(或)底面进行混合集成,对厚薄膜导带、厚薄膜阻带、厚薄膜电容、厚薄膜电感等厚薄膜元件采用绝缘介质膜进行密封、绝缘保护,对半导体裸芯片采用绝缘介质浆料进行涂封和固化保护,将厚薄膜混合集成电路对外连接端制作在陶瓷基片的底面,直接对外进行表贴式电气连接,从而实现无封装外壳、无外壳引脚内引线、小型化、高密度集成,减小高频干扰,缩小整机体积,提升整机的高频性能和可靠性.

关键词：混合集成电路无引线片式厚薄膜工艺设计性能优化

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