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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

165 篇 会议

馆藏范围

165 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

139 篇 工学
- 97 篇 电子科学与技术（可...
- 74 篇 材料科学与工程（可...
- 13 篇 仪器科学与技术
- 11 篇 光学工程
- 8 篇 电气工程
- 8 篇 控制科学与工程
- 8 篇 计算机科学与技术...
- 8 篇 化学工程与技术
- 7 篇 机械工程
- 7 篇 航空宇航科学与技...
- 2 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 信息与通信工程
- 1 篇 交通运输工程
- 1 篇 环境科学与工程（可...
- 1 篇 食品科学与工程（可...
21 篇 理学
- 15 篇 物理学
- 5 篇 化学
- 1 篇 数学
2 篇 经济学
- 1 篇 理论经济学
- 1 篇 应用经济学
2 篇 管理学
- 2 篇 公共管理
1 篇 法学
- 1 篇 社会学
1 篇 农学
- 1 篇 畜牧学

主题

12 篇 高电子迁移率晶体...
12 篇 氮化镓
10 篇 性能表征
9 篇 制备工艺
6 篇 仿真分析
6 篇 氮化铝铟
5 篇 优化设计
5 篇 碳化硅
4 篇 垂直双扩散金属氧...
4 篇 发光二极管
4 篇 半导体材料
4 篇 可靠性分析
4 篇 氮化镓铝
4 篇 数值分析
3 篇 质量控制
3 篇 功率放大器
3 篇 航天电子设备
3 篇 终端结构
3 篇 砷化镓
3 篇 电路设计

机构

25 篇 电子科技大学
6 篇 专用集成电路重点...
5 篇 中国科学院大学
5 篇 东南大学
5 篇 西安交通大学
4 篇 中国科学院
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 中国科学院特殊环...
4 篇 中国电子科技集团...
4 篇 北京工业大学
3 篇 华中科技大学
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 苏州英诺迅科技有...
3 篇 上海华虹宏力半导...
3 篇 株洲南车时代电气...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 聊城大学
3 篇 成都信息工程学院
3 篇 新疆电子信息材料...

作者

11 篇 张金平
11 篇 李泽宏
10 篇 任敏
9 篇 张波
8 篇 高巍
7 篇 郭旗
6 篇 冯志红
6 篇 敦少博
6 篇 杜江锋
6 篇 于奇
5 篇 文林
4 篇 汪波
4 篇 玛丽娅
4 篇 李豫东
3 篇 聂海
3 篇 刘默涵
3 篇 谢中华
3 篇 吕元杰
3 篇 姜柯
3 篇 陆妩

语言

165 篇 中文

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用于微量-痕量物质现场检测的亚稳态解吸附离子源研究

用于微量-痕量物质现场检测的亚稳态解吸附离子源研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：张晓天陈池来刘友江王泓伟阮智铭孔德义中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室合肥 230031 合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥 230009 中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室合肥 230031 中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室合肥 230031 中国科学技术大学自动化系合肥 230027

本文探究亚稳态解吸附离子源的电离效率特性，包括流速、电场等参数对亚稳态解吸附装置电离效率的影响。结果表明放电功率和放电气体流速都存在一个最优值：流速保持5.7m/s时随着放电电压逐渐升高，放电模式从电晕到辉光转变过程中，离... 详细信息

本文探究亚稳态解吸附离子源的电离效率特性，包括流速、电场等参数对亚稳态解吸附装置电离效率的影响。结果表明放电功率和放电气体流速都存在一个最优值：流速保持5.7m/s时随着放电电压逐渐升高，放电模式从电晕到辉光转变过程中，离化效率急速上升，后由于浓度逐渐趋于饱和增加离子复合导致其又逐渐趋于一个稳定的值;放电电压恒定2.1kV时，当流速小于9.0m/s，离化效率保持一个线性相关度r=0.9986的趋势随流速增长。本文所研究的微量一痕量现场检测用离子源具有独特的软电离、低离子歧视、无需样品前处理、操作简便、快速高通量和高电离效率等优点，也可以在表面分析、原位成像、样品筛查，真伪鉴定，指纹图谱等方面成为独有的技术。此外，从材料、结构和参数控制等方面针对放电稳定性进行了优化设计并提出展望。

关键词：物质现场检测仪器亚稳态解吸附离子源放电稳定性优化设计

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CMOS有源像素传感器质子辐射损伤机理研究

CMOS有源像素传感器质子辐射损伤机理研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：汪波李豫东郭旗刘昌举文林任迪远玛丽娅王海娇曾骏哲中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐 830011 重庆光电技术研究所重庆 400060

通过10MeV质子辐照试验，研究了CMOS有源像素传感器(CMOS Active Pixel Sensors 简称CMOS APS)的辐射损伤效应，结合器件结构和工艺参数，深入分析了参数退化的物理机理.结果显示：随着质子注量的不断增大暗信号和暗信号非均匀性显著退...

通过10MeV质子辐照试验，研究了CMOS有源像素传感器(CMOS Active Pixel Sensors 简称CMOS APS)的辐射损伤效应，结合器件结构和工艺参数，深入分析了参数退化的物理机理.结果显示：随着质子注量的不断增大暗信号和暗信号非均匀性显著退化，暗信号的增大既有电离损伤效应产生大量的氧化物陷阱电荷Not和界面态Nit导致的表面暗信号，又有位移损伤效应诱发的体缺陷充当载流子产生中心使体暗信号增大.通过分析暗信号非均匀性的形成原因，认为其退化主要由以下两点引起：1)由场增强发射导致局部暗信号增大，引起了暗信号退化的不一致性引起;2)由于体缺陷能级引入了生成率差异明显的热载流子，这也将导致像素单元间暗信号增大的不一致性.CMOS APS的饱和输出信号随辐照注量增大而减小，分析认为其退化是由于电离效应产生大量的氧化物陷阱电荷引起PN结耗尽层厚度WD增大、电容减小导致满阱变小的缘故.试验中还观察到光谱响应的退化，分析认为质子位移辐射损伤在体Si禁带中的体缺陷使耗尽层的光生载流子收集效率下降，引起600-850nm附近波长的响应度降低.通过本次试验，获得了CMOS APS的质子辐射效应规律，揭示其辐射损伤机理，研究结果可为星载CMOS APS的辐射损伤评估和抗质子辐射加固技术研究提供理论依据和试验支持.

关键词：

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载气湿度对UV-FAIMS检测VOCs谱图识别影响

载气湿度对UV-FAIMS检测VOCs谱图识别影响

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王泓伟陈池来刘友江张晓天张乐华孔德义中国科学技术大学自动化系合肥 230027 中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室合肥 230031 中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室合肥 230031 中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室合肥 230031 合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥 230011

湿度是高场不对称离子迁移谱(High-Field Asymmetric Waveform Ion Mobility Spectrometry,FAIMS)检测的一个重要环境参数。常温常压下采用以紫外灯((ultraviolet lamp,UV)为离子源的自制FAIMS样机,在不同载气湿度下,对6种常见的挥发性... 详细信息

湿度是高场不对称离子迁移谱(High-Field Asymmetric Waveform Ion Mobility Spectrometry,FAIMS)检测的一个重要环境参数。常温常压下采用以紫外灯((ultraviolet lamp,UV)为离子源的自制FAIMS样机,在不同载气湿度下,对6种常见的挥发性有机物(volatile organic compounds,VOCs)：丙酮,乙醇,异丙醇,异丁醇,邻二甲苯,对二甲苯,进行检测并得到信号谱图。通过对FAIMS谱图识别,即对不同物质的谱图信号主峰位置(即补偿电压)的确定,可实现对物质种类的检测判定。实验结果表明,随着载气湿度的增大,所有的物质最大谱图峰数量增加,这将增大谱图识别的复杂性。干燥条件下各VOCs物质的主峰位置都很靠近(＜10V),通过基于主峰位置的谱图识别方法对物质检测判定可能会出现误判。同一种物质在湿度不同时,谱图峰位置发生改变,而湿度对不同的物质谱图峰位置改变不同,各物质主峰位置差异增大,这将有利于谱图识别。因此,合适的载气湿度将有利于UV-FAIMS检测VOCs谱图识别。

关键词：高场不对称离子迁移谱(FAIMS) 紫外灯(UV) 湿度谱图识别 VOCs

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假塑性金属纳米粒子流体的气压纳米压印技术

假塑性金属纳米粒子流体的气压纳米压印技术

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：段智勇郑州大学物理工程学院郑州 450001

纳米压印技术自2003年始，十多年来一直是国际半导体蓝图推荐的下一代图形转移技术，相继出现了热塑压印;紫外压印;转轴连续压印;逆压印;以及气体、激光、静电等辅助压印等新颖的实现方式。课题组从压印图形转移均匀性和保真度角度出发... 详细信息

纳米压印技术自2003年始，十多年来一直是国际半导体蓝图推荐的下一代图形转移技术，相继出现了热塑压印;紫外压印;转轴连续压印;逆压印;以及气体、激光、静电等辅助压印等新颖的实现方式。课题组从压印图形转移均匀性和保真度角度出发，提出气体活塞式施压方式和假塑性金属纳米粒子流体作为转移介质的新方法。采用气体活塞式施压方式，避免了半球滑移、刀口支撑、多自由度平台等较复杂的系统结构，施压系统更为简单;采用自适应活塞结构确保施压过程中系统振动幅度较低，同时采用特殊的多层阻尼减震结构，克服施压过程中系统振动对压印样品的影响;假塑性金属纳米粒子流体在施压过程中存在剪切变稀的流变行为，对掩模板间隙的填充较常规流体更为充分，有效的提高了转移图形的保真度;同时，金属纳米粒子图形在130℃-140℃的温度环境即可以实现从金属粒子堆积结构转变为体金属连线，获得良好的导电性能，经过工艺优化，金属粒子堆积结构的压印图形以及体金属连线的形貌误差都可以控制在一定范围。前期的研究工作还对活塞式施压方式的应力均匀性;假塑性金属纳米粒子流体介质对压印图形间隙的填充度;脱模稀化现象对转移图形微纳形貌的影响;体金属微纳图形低温热熔成型的保真度等进行了深入研究。研究成果为该新型微纳加工技术的实用化提供了理论上的和实验上的支持。课题组同时开展质子束微纳加工技术的研究，质子束由于质子流较大的质量系数，在微纳加工技术领域具有电子束、激光、离子束等传统三束加工技术不具有的优势，在高深宽比、三维加工等方面具有发展潜力。

关键词：纳米压印技术质子束加工技术假塑性金属纳米粒子流体气体压缩施压高深宽比

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水热法合成纳米花状二硫化钼及其微观结构表征

水热法合成纳米花状二硫化钼及其微观结构表征

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：傅重源吴一新董前民梁培中国计量学院光学与电子科技学院杭州 310018

本文以钼酸钠、硫代乙酰胺为前驱体,硅钨酸为添加剂,成功用水热法合成高纯度纳米花状二硫化钼.产物特性用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)进行表征.XRD和EDS图显示实验产物为二硫化钼,且其结晶度和层状堆垛良好.... 详细信息

本文以钼酸钠、硫代乙酰胺为前驱体,硅钨酸为添加剂,成功用水热法合成高纯度纳米花状二硫化钼.产物特性用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)进行表征.XRD和EDS图显示实验产物为二硫化钼,且其结晶度和层状堆垛良好.SEM图谱则表明二硫化钼为纳米花状结构,颗粒直径300纳米左右,由几十上百片花瓣组成,每片花瓣厚度几个纳米左右.通过以硅钨酸为变量的梯度实验,研究发现,硅钨酸对于纳米花状MoS2的形成具有重要作用.不添加硅钨酸时,没有中间产物H4SiMo12O40生成,MoS2纳米片会主要进行边缘-表面结合,生成尺寸较大的MoS2纳米片,当添加硅钨酸,有H4SiMo12O40存在时,由于H4SiMo12O40对MoS2纳米片的电荷屏蔽效应,使得MoS2纳米片表面和边缘的电荷差异减小或者消失,进而MoS2纳米片会进行大量边缘-表面结合、边缘-边缘附着以及少量表面-表面附着,但随着边缘-表面结合、边缘-边缘附着以及表面-表面附着,MoS2纳米片的表面能又会减少,从而抑制MoS2的生长最终自组装形成纳米花状MoS2.此外,硅钨酸的剂量会影响合成MoS2的大小和形貌.当不添加硅钨酸时,MoS2纳米片会主要进行边缘-表面结合,生成尺寸较大的MoS2纳米片;当添加硅钨酸不足时,电荷屏蔽效应比较弱,所以有纳米花状MoS2生成,但团聚严重;当添加适量硅钨酸时,生成比较完美的MoS2;当添加硅钨酸过量时,电荷屏蔽效应比较强,MoS2纳米片的表面能较弱,MoS2生长受到抑制,所以生成花径较小的MoS2.该MoS2具有较大的比表面积,在催化材料方面将有着较大的应用前景.

关键词：二硫化钼纳米花水热法

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