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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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165 篇 会议

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165 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

139 篇 工学
- 97 篇 电子科学与技术（可...
- 74 篇 材料科学与工程（可...
- 13 篇 仪器科学与技术
- 11 篇 光学工程
- 8 篇 电气工程
- 8 篇 控制科学与工程
- 8 篇 计算机科学与技术...
- 8 篇 化学工程与技术
- 7 篇 机械工程
- 7 篇 航空宇航科学与技...
- 2 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 信息与通信工程
- 1 篇 交通运输工程
- 1 篇 环境科学与工程（可...
- 1 篇 食品科学与工程（可...
21 篇 理学
- 15 篇 物理学
- 5 篇 化学
- 1 篇 数学
2 篇 经济学
- 1 篇 理论经济学
- 1 篇 应用经济学
2 篇 管理学
- 2 篇 公共管理
1 篇 法学
- 1 篇 社会学
1 篇 农学
- 1 篇 畜牧学

主题

12 篇 高电子迁移率晶体...
12 篇 氮化镓
10 篇 性能表征
9 篇 制备工艺
6 篇 仿真分析
6 篇 氮化铝铟
5 篇 优化设计
5 篇 碳化硅
4 篇 垂直双扩散金属氧...
4 篇 发光二极管
4 篇 半导体材料
4 篇 可靠性分析
4 篇 氮化镓铝
4 篇 数值分析
3 篇 质量控制
3 篇 功率放大器
3 篇 航天电子设备
3 篇 终端结构
3 篇 砷化镓
3 篇 电路设计

机构

25 篇 电子科技大学
6 篇 专用集成电路重点...
5 篇 中国科学院大学
5 篇 东南大学
5 篇 西安交通大学
4 篇 中国科学院
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 中国科学院特殊环...
4 篇 中国电子科技集团...
4 篇 北京工业大学
3 篇 华中科技大学
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 苏州英诺迅科技有...
3 篇 上海华虹宏力半导...
3 篇 株洲南车时代电气...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 聊城大学
3 篇 成都信息工程学院
3 篇 新疆电子信息材料...

作者

11 篇 张金平
11 篇 李泽宏
10 篇 任敏
9 篇 张波
8 篇 高巍
7 篇 郭旗
6 篇 冯志红
6 篇 敦少博
6 篇 杜江锋
6 篇 于奇
5 篇 文林
4 篇 汪波
4 篇 玛丽娅
4 篇 李豫东
3 篇 聂海
3 篇 刘默涵
3 篇 谢中华
3 篇 吕元杰
3 篇 姜柯
3 篇 陆妩

语言

165 篇 中文

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用于LTE基站的GaN功率晶体管

用于LTE基站的GaN功率晶体管

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：张新川邓光敏陈洪维杨天应裴轶苏州能讯高能半导体有限公司苏州 215300

本文介绍了AIGaN/GaN HEMT器件样品主要工艺并将型号为DX1H2527150的GaN HEMT器件在Demo板上测试WCDMA信号的漏极效率以及DPD校正前后的ACLR随平均输出功率的变化。输入信号为峰均比PAR=7.5dB的单载波WCDMA信号，信号中心频率为2600MHz... 详细信息

本文介绍了AIGaN/GaN HEMT器件样品主要工艺并将型号为DX1H2527150的GaN HEMT器件在Demo板上测试WCDMA信号的漏极效率以及DPD校正前后的ACLR随平均输出功率的变化。输入信号为峰均比PAR=7.5dB的单载波WCDMA信号，信号中心频率为2600MHz，器件栅宽为21 mm。器件工作在40W输出功率时DPD校正后的ACLR达到-55dBc，且漏极效率为32％，非常适合用于LTE基站。

关键词：氮化镓功率晶体管性能表征移动网络服务站台

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SOI器件辐射敏感性模拟研究

SOI器件辐射敏感性模拟研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：杨茂森陈吉华国防科技大学计算机学院长沙 410073

随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(SOI)技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固,本文利用软件分别对SOI PMOSFET和体硅PMOSFET的单粒子瞬态... 详细信息

随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(SOI)技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固,本文利用软件分别对SOI PMOSFET和体硅PMOSFET的单粒子瞬态进行了模拟.重点研究了SET脉冲宽度在两种器件表面的分布状态,以及阱接触对SET脉冲宽度分布区域的影响,并对模拟结果以及影响机理进行了分析和阐述.

关键词：绝缘体上硅器件单粒子瞬态脉冲宽度敏感面积

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基于砷化镓m-i-n结构的太赫兹源器件设计与优化

基于砷化镓m-i-n结构的太赫兹源器件设计与优化

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：徐公杰朱亦鸣上海市现代光学仪器重点实验室教育部光学仪器与系统工程研究中心光电信息与计算机工程学院上海理工大学200093

利用砷化嫁m-i-n结构设计并制作了反射式太赫兹源，器件可耐50 kV/cm以上的场强，频宽可以达到4 THz以上，半高全宽可以达到2.7 THz。但现在仍然存在一个问题一太赫兹辐射强度低，如何提高泵浦光的吸收，以及增强光生电子一空穴对的复... 详细信息

利用砷化嫁m-i-n结构设计并制作了反射式太赫兹源，器件可耐50 kV/cm以上的场强，频宽可以达到4 THz以上，半高全宽可以达到2.7 THz。但现在仍然存在一个问题一太赫兹辐射强度低，如何提高泵浦光的吸收，以及增强光生电子一空穴对的复合来提高辐射效率是这个课题现在努力的方向。

关键词：光电导天线太赫兹源器件砷化镓 m-i-n结构制备工艺

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功率IGBT模块测试设备校准技术研究

功率IGBT模块测试设备校准技术研究

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：张玉锋刘冲徐迎春于利红中国电子技术标准化研究院

功率IGBT模块应用广泛,其动静态参数测试设备应用较为广泛,因此,对于功率IGBT模块测试设备校准装置需求较大.在调研国内外功率IGBT模块测试设备校准方法的基础上,对该测试设备重要参数脉冲电流进行校准方法的研究,采用罗氏线圈和数据采... 详细信息

功率IGBT模块应用广泛,其动静态参数测试设备应用较为广泛,因此,对于功率IGBT模块测试设备校准装置需求较大.在调研国内外功率IGBT模块测试设备校准方法的基础上,对该测试设备重要参数脉冲电流进行校准方法的研究,采用罗氏线圈和数据采集器实现脉冲电流幅度(高达5000A)参数的校准,并实现功率IGBT模块测试设备校准装置的研建,编制功率IGBT模块测试设备校准规范,保证功率IGBT模块测试设备测量量值的准确可靠.

关键词：功率绝缘栅双极晶体管模块测试设备脉冲电流校准技术

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不同退火温度下氧化锌薄膜光学性能的研究

不同退火温度下氧化锌薄膜光学性能的研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：庞天奇邓金祥王吉有陈亮陈仁刚苗一鸣北京工业大学应用数理学院北京 100124

采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同的温度(100-800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了退火温度对薄膜光学... 详细信息

采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同的温度(100-800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了退火温度对薄膜光学性能的影响,并分析其原因。

关键词：氧化锌半导体薄膜退火温度结晶性能折射率

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影响金丝键合拉力的颈部缺陷及基于Arrhenius的加速寿命预计

影响金丝键合拉力的颈部缺陷及基于Arrhenius的加速寿命预计

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：李金龙中国电子科技集团公司第24研究所重庆400060

与传统认为键合拉力的衰减主要取决于金属间化合物及Kirkendall孔洞形成的理论不同,笔者认为,键合拉力值以键合压点是否存在脱键为急剧变化的转折点,压点脱键前的断开位置主要集中在焊球颈部,所以键合拉力主要取决于颈部强度.文章运用... 详细信息

与传统认为键合拉力的衰减主要取决于金属间化合物及Kirkendall孔洞形成的理论不同,笔者认为,键合拉力值以键合压点是否存在脱键为急剧变化的转折点,压点脱键前的断开位置主要集中在焊球颈部,所以键合拉力主要取决于颈部强度.文章运用颈部缺陷及应力理论解释了金丝键合在高温存储中的拉力衰减及其分段式规律,并基于Arrhenius模型,建立了以时间为变量的键合拉力衰减模型,通过参数拟合获得了模型基本参数,并针对其长期可靠性进行了寿命预计.

关键词：微电子封装工艺金丝键合颈部缺陷 Arrhenius模型加速寿命预计

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结晶硅薄膜的晶化率和晶化方式对比研究

结晶硅薄膜的晶化率和晶化方式对比研究

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王志雄王欣李霞霞黄飞武张霞上海工程技术大学材料工程学院上海 201620

为制备高质量的结晶硅薄膜,以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备非晶硅(α-Si)薄膜,然后分别通过固相晶化和激光晶化两种方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜.采用激光显微拉曼光谱仪对两类结晶硅薄膜的结晶率进行定量分析。... 详细信息

为制备高质量的结晶硅薄膜,以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备非晶硅(α-Si)薄膜,然后分别通过固相晶化和激光晶化两种方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜.采用激光显微拉曼光谱仪对两类结晶硅薄膜的结晶率进行定量分析。结果表明;固相晶化的硅薄膜结晶率为70％左右,激光晶化的硅结晶率可达90％。无论何种方式得到的的结晶硅薄膜，当激光拉曼测试条件变化时，薄膜的结晶率几乎不变。

关键词：结晶硅薄膜半导体材料激光晶化固相晶化

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一种具有线性跨导的高速误差放大器设计

一种具有线性跨导的高速误差放大器设计

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：刘晓阳张国俊电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054

针对LED驱动的输出电流恒定以及PFC功能实现的设计要求,本文设计了一种具有线性跨导的误差放大器.该方案相比于经典误差放大器结构,可在保证跨导线性的同时,引入自适应正反馈偏置结构,提高了放大器的工作速度.在0.5um BCD的环境下进行仿... 详细信息

针对LED驱动的输出电流恒定以及PFC功能实现的设计要求,本文设计了一种具有线性跨导的误差放大器.该方案相比于经典误差放大器结构,可在保证跨导线性的同时,引入自适应正反馈偏置结构,提高了放大器的工作速度.在0.5um BCD的环境下进行仿真,得到跨导值在1MHZ的范围内保持约95μS的结果,同时放大器的摆率约为14V/μs,验证了设计的可行性.

关键词：高速误差放大器器件设计线性跨导自适应正反馈偏置结构

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正交试验在金丝球焊工艺参数优化中的应用

正交试验在金丝球焊工艺参数优化中的应用

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈容廖希异谢廷明中国电子科技集团公司第24研究所重庆400060

金丝键合作为混合微电路组装中芯片电气互联方式的关键技术被广泛应用.最优化的键合参数是批量生产实现键合高可靠性、高质量、高效的重要保障.本文作者采用正交试验法安排在两种不同型号键合机上完成了金丝球焊第二点工艺参数优化,并... 详细信息

金丝键合作为混合微电路组装中芯片电气互联方式的关键技术被广泛应用.最优化的键合参数是批量生产实现键合高可靠性、高质量、高效的重要保障.本文作者采用正交试验法安排在两种不同型号键合机上完成了金丝球焊第二点工艺参数优化,并进行了实验验证,得到了适用于25um金丝球焊的工艺参数.

关键词：混合集成微电路金丝球焊正交试验法工艺参数优化

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电容式MEMS加速度传感器封装技术

电容式MEMS加速度传感器封装技术

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：陈学峰任世飞杨小平苏州固锝电子股份有限公司

微机电系统加速度传感器由于体积小、质量轻、成本低、可靠性高等优点而备受关注,但在实际应用中MEMS高量程加速度传感器常常由于抗高过载能力较差而导致结构失效.为保证MEMS高量程加速度传感器在应用时的可靠性.一种电容式MEMS加速度... 详细信息

微机电系统加速度传感器由于体积小、质量轻、成本低、可靠性高等优点而备受关注,但在实际应用中MEMS高量程加速度传感器常常由于抗高过载能力较差而导致结构失效.为保证MEMS高量程加速度传感器在应用时的可靠性.一种电容式MEMS加速度传感器,通过MEMS芯片的设计、封装材料的选择及封装工艺的控制,使其达到较高的可靠性要求.

关键词：加速度传感器封装技术微机电系统可靠性分析

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