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165 篇 会议

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139 篇 工学
- 97 篇 电子科学与技术（可...
- 74 篇 材料科学与工程（可...
- 13 篇 仪器科学与技术
- 11 篇 光学工程
- 8 篇 电气工程
- 8 篇 控制科学与工程
- 8 篇 计算机科学与技术...
- 8 篇 化学工程与技术
- 7 篇 机械工程
- 7 篇 航空宇航科学与技...
- 2 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 信息与通信工程
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- 1 篇 环境科学与工程（可...
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21 篇 理学
- 15 篇 物理学
- 5 篇 化学
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2 篇 经济学
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- 2 篇 公共管理
1 篇 法学
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1 篇 农学
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主题

12 篇 高电子迁移率晶体...
12 篇 氮化镓
10 篇 性能表征
9 篇 制备工艺
6 篇 仿真分析
6 篇 氮化铝铟
5 篇 优化设计
5 篇 碳化硅
4 篇 垂直双扩散金属氧...
4 篇 发光二极管
4 篇 半导体材料
4 篇 可靠性分析
4 篇 氮化镓铝
4 篇 数值分析
3 篇 质量控制
3 篇 功率放大器
3 篇 航天电子设备
3 篇 终端结构
3 篇 砷化镓
3 篇 电路设计

机构

25 篇 电子科技大学
6 篇 专用集成电路重点...
5 篇 中国科学院大学
5 篇 东南大学
5 篇 西安交通大学
4 篇 中国科学院
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 中国科学院特殊环...
4 篇 中国电子科技集团...
4 篇 北京工业大学
3 篇 华中科技大学
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 苏州英诺迅科技有...
3 篇 上海华虹宏力半导...
3 篇 株洲南车时代电气...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 聊城大学
3 篇 成都信息工程学院
3 篇 新疆电子信息材料...

作者

11 篇 张金平
11 篇 李泽宏
10 篇 任敏
9 篇 张波
8 篇 高巍
7 篇 郭旗
6 篇 冯志红
6 篇 敦少博
6 篇 杜江锋
6 篇 于奇
5 篇 文林
4 篇 汪波
4 篇 玛丽娅
4 篇 李豫东
3 篇 聂海
3 篇 刘默涵
3 篇 谢中华
3 篇 吕元杰
3 篇 姜柯
3 篇 陆妩

语言

165 篇 中文

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GaAs1-xBix薄膜的制备、结构及性能研究进展

GaAs1-xBix薄膜的制备、结构及性能研究进展

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王冰心徐家跃金敏上海应用技术学院材料科学与工程学院中国上海 201418

本文主要介绍了利用金属有机化学气相沉积法和分子束外延法生长的Bi掺杂GaAs薄膜的研究进展，通过建立物理模型模拟分析了Bi掺杂对GaAs能带调控的机制，并与之前研究的N掺杂GaAs的性能进行对比分析，借助于荧光光谱和霍尔系统等测试，... 详细信息

本文主要介绍了利用金属有机化学气相沉积法和分子束外延法生长的Bi掺杂GaAs薄膜的研究进展，通过建立物理模型模拟分析了Bi掺杂对GaAs能带调控的机制，并与之前研究的N掺杂GaAs的性能进行对比分析，借助于荧光光谱和霍尔系统等测试，得到了GaAs1-xBix的最适生长条件和其性能得到改善的最佳Bi掺杂浓度值。

关键词：砷化镓薄膜铋元素掺杂浓度值制备工艺结构性能

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溅射温度对Ni80Fe20各向异性磁阻薄膜磁特性影响的研究

溅射温度对Ni80Fe20各向异性磁阻薄膜磁特性影响的研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：饶晓俊刘琛闻永祥闫建新杭州士兰集成电路有限公司技术中心杭州 310018

采用磁控溅射技术研究了溅射温度对各向异性Ni80Fe20磁阻薄膜特性的影响.提高溅射温度给薄膜原子提供了能量,使薄膜原子在基片表面运动再分布,减少了膜内晶粒之间以及与基片之间的应力,改善了晶格结构和薄膜表面粗糙度,进而改善了薄膜... 详细信息

采用磁控溅射技术研究了溅射温度对各向异性Ni80Fe20磁阻薄膜特性的影响.提高溅射温度给薄膜原子提供了能量,使薄膜原子在基片表面运动再分布,减少了膜内晶粒之间以及与基片之间的应力,改善了晶格结构和薄膜表面粗糙度,进而改善了薄膜的磁阻特性;溅射温度过高会导致Ni80Fe20与Ta缓冲层之间的互扩散,影响Ni80Fe20材料的磁特性.经过试验验证和综合分析,280℃的溅射温度可以制备出磁性参数较好的Ni80Fe20磁性薄膜.

关键词：向异性磁阻薄膜铁化镍溅射温度磁特性

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X射线光刻制备减反射结构研究

X射线光刻制备减反射结构研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：李以贵杉山进上海应用技术学院理学院上海201418 日本立命馆大学微系统系日本滋贺525-8577

本论文基于x射线光刻技术，在硅基板上制备PMMA减反射结构。采用在硅基板与PMMA光刻胶之间，增加一层粘结剂的方法，可以防止显影后的微结构的倒伏或粘连。用SEM观察得出制备的微结构的周期为300nm，高度为300纳米左右的PMMA亚波长结构... 详细信息

本论文基于x射线光刻技术，在硅基板上制备PMMA减反射结构。采用在硅基板与PMMA光刻胶之间，增加一层粘结剂的方法，可以防止显影后的微结构的倒伏或粘连。用SEM观察得出制备的微结构的周期为300nm，高度为300纳米左右的PMMA亚波长结构。此结构可作为减反射结构，用于太阳能电池中。这种方法的最大优点是工艺可靠，可大面积制备，制成金属模具后可实现大规模的亚微米压印.对于亚微来减反射赤向实用具有重要意义。

关键词：太阳能电池减反射结构 X射线光刻技术

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电化学氧化对多孔硅电子源形貌和发射特性的影响

电化学氧化对多孔硅电子源形貌和发射特性的影响

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：王文江张霄何力张小宁西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安 710049

多孔硅二极管具有电子发射能力并有望用于显示器件,但由于显示器件的基底以玻璃为主,多孔硅的氧化不宜采用半导体器件工艺中常用的高温快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation,RTO)。电化学氧化(Electrochemical Oxidation,ECO)是一种低温...

多孔硅二极管具有电子发射能力并有望用于显示器件,但由于显示器件的基底以玻璃为主,多孔硅的氧化不宜采用半导体器件工艺中常用的高温快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation,RTO)。电化学氧化(Electrochemical Oxidation,ECO)是一种低温氧化方式,可满足玻璃的耐受温度,是多孔硅二极管在显示器件应用中的首选氧化方式。论文采用恒流、恒压、恒流-恒压混合三种ECO氧化方式制备了多孔硅电子源,从微观结构和发射特性两方面研究比较了上述三种ECO工艺和RTO工艺制备的多孔硅电子源。

关键词：

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4H-SiC (0001)面原子级平整抛光技术研究

4H-SiC (0001)面原子级平整抛光技术研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：高飞徐永宽程红娟洪颖张淑娟中国电子科技集团公司第四十六研究所天津 300220

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，可以用于制造高温、高功率和高频电子器件。许多科研工作者都在研究SiC的抛光工艺用来制作SiC和其他半导体衬底。然而，由于碳化硅的硬度大、化学稳定性强，这些科研工作者制作用于外延生长的晶片... 详细信息

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，可以用于制造高温、高功率和高频电子器件。许多科研工作者都在研究SiC的抛光工艺用来制作SiC和其他半导体衬底。然而，由于碳化硅的硬度大、化学稳定性强，这些科研工作者制作用于外延生长的晶片时都遇到了很大的困难。一个光滑和无缺陷的衬底表面对于得到好的外延层质量来说是至关重要的。因此，为了解决这个问题，一种杂化的加工方法-化学机械抛光就应运而生。

关键词： SiC 化学机械抛光原子台阶原子级平整

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SiC单极功率器件的最优漂移区解析模型

SiC单极功率器件的最优漂移区解析模型

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：蒋华平李诚瞻吴煜东高云斌株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲 412001 电力电子器件湖南省重点实验室湖南株洲 412001

本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电阻的相互关系进行了分析.在此基础上,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件最优漂... 详细信息

本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电阻的相互关系进行了分析.在此基础上,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件最优漂移区解析模型.并进一步基于耐压对外延层厚度和掺杂浓度的依赖关系对模型作了改进.依据该解析模型的计算表明,对于不同耐压等级,最优漂移区厚度大致以0.9μm每100V的速度随电压等级的增加而增加。

关键词：单极半导体功率器件碳化硅最优漂移区解析模型数值分析

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抑制短沟道效应的复合金属栅结构AlGaN/GaN HEMT优化设计

抑制短沟道效应的复合金属栅结构AlGaN/GaN HEMT优化设计

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：潘沛霖杜江锋严慧于奇电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同功函数的栅极金属构成.仿真结果表明:与常规的单栅结构(SMG-HEMT)对比，双复合金属栅(DMG)和三金属复合(T... 详细信息

为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同功函数的栅极金属构成.仿真结果表明:与常规的单栅结构(SMG-HEMT)对比，双复合金属栅(DMG)和三金属复合(TMG)栅结构使AlGaN/GaN HEMT器件的DIBL值分别下降16.7％和18.8％。同时，器件的直流和频率特性也得到提升,并且随着构成栅极的金属种类越多，这种改善效果就越明显.

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓氮化铝铟复合金属栅结构优化设计短沟道效应

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高压C-SenseFET器件温度特性研究

高压C-SenseFET器件温度特性研究

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：赖亚明李泽宏张金平任敏高巍电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054

C-SenseFET是一种可用于功率转换电路中的具有电流探测和自供电功能的高压集成器件.C-SenseFET有两种工作模式:在电流采样模式下,器件工作在线性区,通过改变第二栅极电压可以调整从LDMOS采样的电流值;在自充电模式下,器件工作在饱和区,... 详细信息

C-SenseFET是一种可用于功率转换电路中的具有电流探测和自供电功能的高压集成器件.C-SenseFET有两种工作模式:在电流采样模式下,器件工作在线性区,通过改变第二栅极电压可以调整从LDMOS采样的电流值;在自充电模式下,器件工作在饱和区,可以视其为一恒流源从而对芯片内部电路提供电流.文中对高压C-SenseFET进行温度特性的测试和仿真分析,测试结果表明：随着温度的增加,器件的耐压略有增加,输出电流稍有减小,且高压C-SenseFET的温度特性较好,可以很好应用于智能功率集成电路中的采样和充电.

关键词：高压集成电路器件温度特性仿真分析热安全工作区

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有机电子器件薄膜封装ICP-PECVD设备及工艺研究

有机电子器件薄膜封装ICP-PECVD设备及工艺研究

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：刘杰刘键冷兴龙屈芙蓉苏文明李丰崔峥中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京 100029 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 201123

有机电子器件封装要求轻、薄、柔的薄膜封装，主流的封装结构和实现方法有：(1)有机(印刷)/无机(蒸镀)交替结构，(2)有机(PECVD)/无机(PECVD)交替结构，(3)无机(ALD)/无机(ALD)交替结构。其中PECVD法沉积有机/无机交替结构因沉积速度快...

有机电子器件封装要求轻、薄、柔的薄膜封装，主流的封装结构和实现方法有：(1)有机(印刷)/无机(蒸镀)交替结构，(2)有机(PECVD)/无机(PECVD)交替结构，(3)无机(ALD)/无机(ALD)交替结构。其中PECVD法沉积有机/无机交替结构因沉积速度快、封装质量高等优势备受青睐。针对有机电子器件特殊封装要求，本课题组自行设计并搭建一套低温ICP-PECVD系统。通过调节沉积气体流量比例等工艺参数开发优化封装工艺。

关键词：

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一种新型多埋层的整流器件

一种新型多埋层的整流器件

引用

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：许高潮李泽宏张金平高巍电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054

本文提出一种具有多埋层的整流器件,借助仿真软件,通过对传统单埋层整流器件(BLR)和本文所提新型的多埋层整流器件的各项参数进行比较可得,本文所提新型多埋层整流器件在同一阻挡电压下可以增加漂移区浓度,减小导通电阻,从而减少器件的... 详细信息

本文提出一种具有多埋层的整流器件,借助仿真软件,通过对传统单埋层整流器件(BLR)和本文所提新型的多埋层整流器件的各项参数进行比较可得,本文所提新型多埋层整流器件在同一阻挡电压下可以增加漂移区浓度,减小导通电阻,从而减少器件的导通压降;同时本文提出的新型多埋层整流器件在不改变器件尺寸条件下可以获得更好的阻挡能力得到更大的击穿电压,相比于传统结构,外延单埋层击穿电压提高了18.5％,而外延双埋层击穿电压提高了21.5％。

关键词：多埋层整流器件导通压降击穿电压阻挡性能

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