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501 篇 bicmos integrate...
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机构

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作者

22 篇 cressler john d.
21 篇 p. chevalier
20 篇 b. heinemann
19 篇 d. knoll
18 篇 r. barth
17 篇 a. chantre
16 篇 b. tillack
13 篇 h. rucker
13 篇 chevalier p.
13 篇 w. winkler
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12 篇 t. yamazaki
11 篇 d. harame
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10 篇 john d. cressler
10 篇 dai fa foster
10 篇 j. dunn
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10 篇 s. decoutere

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1,104 篇 英文

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The effect of deep trench and sub-collector on the latchup robustness in bicmos silicon germanium technology

The effect of deep trench and sub-collector on the latchup r...

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bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： A. Watson S.H. Voldman University of Vermont Burlington VT USA State College Pennsylvania State University Burlington PA USA IBM Microelectronics Essex Junction VT USA

This paper demonstrates the influence and improvement of deep trench (DT) isolation, and bipolar sub-collector on CMOS latchup in a 0.13 /spl mu/m CMOS-based 200/285 GHz (f/sub T//f/sub max/) SiGe HBT technology.

关键词： Robustness bicmos integrated circuits Silicon germanium Germanium silicon alloys CMOS technology Isolation technology Educational institutions Microelectronics Heterojunction bipolar transistors Substrates

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A 675 /spl mu/W 5 GHz low-voltage bicmos synchronized ring oscillator based prescaler

A 675 /spl mu/W 5 GHz low-voltage BiCMOS synchronized ring o...

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bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： O. Mazouffre H. Lapuyade J.-B. Bdgueret A. Cathelin D. Belot Y. Devall IXL Laboratory Université Bordeaux 1 Talence France STMicroelectronics Central R&D Crolles France

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Optimisation of LNA and PA circuits for a 1.8 V bicmos Si Bluetooth transceiver

Optimisation of LNA and PA circuits for a 1.8 V BiCMOS Si Bl...

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bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： E. van der Heijden H. Veenstra Philips Res. Labs. Eindhoven Netherlands Philips Research Laboratories Eindhoven Netherlands

In Bluetooth transceiver ICs, sharing transmitter output with receiver input pins is a major difficulty, often requiring off-chip switches. A design procedure optimising this interface is explained and demonstrated.

关键词： bicmos integrated circuits Bluetooth Transceivers Power generation Power amplifiers Voltage Pins Low-noise amplifiers Impedance matching Tail

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LDMOSFET and SiGe:C HBT integrated in a 0.25 /spl mu/m bicmos technology for RF-PA applications

LDMOSFET and SiGe:C HBT integrated in a 0.25 /spl mu/m BiCMO...

引用

bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： D. Muller A. Giry C. Arnaud C. Arricastres R. Sommet B. Szelag A. Monroy D. Pache STMicroelectronics Centre Commun de Microélectronique de Crolles Crolles FRANCE IRCOM Brive La Gaillarde FRANCE I.R.C.O.M. Brive-la-Gaillarde France

An optimized LDMOSFET and a SiGe:C HBT for PA design, integrated in a bicmos technology, are described in this article. Each device of interest, for PA applications, is highlighted via its electrical performance - sta... 详细信息

关键词： Heterojunction bipolar transistors bicmos integrated circuits Radio frequency Design optimization CMOS technology Metal-insulator structures CMOS process Inductors Integrated circuit technology Silicon

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230 GHz self-aligned SiGeC HBT for 90 nm bicmos technology

230 GHz self-aligned SiGeC HBT for 90 nm BiCMOS technology

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bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： P. Chevalier C. Fellous L. Rubaldo D. Dutartre M. Laurens T. Jagueneau F. Leverd S. Bord C. Richard D. Lenoble J. Bonnouvrier M. Marty A. Perrotin D. Gloria F. Saguin B. Barbalat R. Beerkens N. Zerounian F. Aniel A. Chantre STMicroelectronics Crolles France STMicroelectronics Crolles FR STMicroelectronics Inc. Ottawa ONT Canada Institut d'Electronique Fondamentale Université Paris Sud Orsay France

This paper describes a 230 GHz self-aligned SiGeC HBT featuring a selective epitaxial base and an arsenic-doped monocrystalline emitter. These technical choices are presented and discussed with respect to bicmos perfo... 详细信息

ISBN: (纸本)0780386183

关键词： Heterojunction bipolar transistors bicmos integrated circuits Epitaxial growth CMOS technology Artificial intelligence Lithography Automotive engineering Laser radar Optical fiber communication Cutoff frequency

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ESD protection of the high voltage tolerant pins in low-voltage bicmos processes

ESD protection of the high voltage tolerant pins in low-volt...

引用

bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： V.A. Vashchenko M. ter Beek W. Kindt P. Hopper National Semiconductor Corporation Santa Clara CA USA

ISBN: (纸本)0780386183

A methodology for achieving ESD protection of high voltage pins in a low voltage technology is presented. The methodology utilizes efficient mask level control of both the blocking junction and the triggering characteristics of the ESD devices without the addition or change in any process steps. The methodology was validated by numerical simulation and experimental measurements for the case of dual-direction 50V tolerant on-chip ESD protection of thin film resistors in a 5V bicmos process. The methodology was also applied to the case of turn-on voltage increase of an extended drain SCR ESD protection device in a 5V CMOS process.

关键词： Electrostatic discharge Protection Pins bicmos integrated circuits CMOS process Resistors Breakdown voltage Thyristors Diodes Low voltage

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"On-glass" process option for bicmos technology

"On-glass" process option for BiCMOS technology

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bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： E. Aksen W.D. van Noort D. Bower N. Bell R. Dekker W. de Boer A. Rodriguez P. Deixler R.J. Havens P.H.C. Magnee Philips Research Leuven Leuven Belgium Philips Semiconductors Hopewell Junction NY USA Philips Research Laboratories Eindhoven Netherlands

ISBN: (纸本)0780386183

An industrial SiGe bicmos technology is presented, in which the silicon substrate has been removed and replaced by a lossless glass substrate. This will enable the integration of better passives, while the active devices remain fully library compatible. Specifically, ideal NPN characteristics with 111/94 GHz f/sub T//f/sub max/ are shown without significant degradation of the thermal characteristics. This substrate transfer technology requires almost no changes to the standard processing and gives access to high-performance inverse NPN and vertical PNP devices, in addition to the lossless substrate.

关键词： bicmos integrated circuits Silicon Glass Dielectric substrates Libraries Laser radar Coupling circuits Diffusion tensor imaging Isolation technology Wafer bonding

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A low complexity 0.13 /spl mu/ SiGe bicmos technology for wireless and mixed signal applications

A low complexity 0.13 /spl mu/ SiGe BiCMOS technology for wi...

引用

bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： L. Lanzerotti N. Feilchenfeld D. Coolbaugh J. Slinkman P. Gray D. Sheridan J. Higgins W. Hodge M. Gordon T. Larsen M. Gautsch P. Lindgren R. Murty J. Rascoe K. Watson T. Stamper E. Eshun J. He K. Downes R. Rassel J. Greco B. Labelle S. Sweeney K. Stein R. Bolam K. Vaed B. Omer A. Joseph S. St Onge J. Dunn IBM Microelectronics Division Essex Junction USA IBM Microelectronics Division Essex Junction

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A modular, low-cost SiGe:C bicmos process featuring high-f/sub T/ and high BV/sub CEO/ transistors

A modular, low-cost SiGe:C BiCMOS process featuring high-f/s...

引用

bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： D. Knoll B. Heinemann R. Barth K. Blum J. Borngraber J. Drews K.-E. Ehwald G. Fischer A. Fox T. Grabolla U. Haak W. Hoppner F. Korndorfer B. Kuck S. Marschmeyer H. Richter H. Rucker P. Schley D. Schmidt R. Scholz B. Senapati B. Tillack W. Winkler D. Wolansky C. Wolf H.-E. Wulf Y. Yamamoto P. Zaumseil IHP Frankfurt GERMANY

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Optimization of vertical profiles of SiGe HBT/bicmos by promoting emitter diffusion process

Optimization of vertical profiles of SiGe HBT/BiCMOS by prom...

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bipolar/bicmos circuits and technology meeting

作者： M. Miura H. Shimamoto R. Hayami A. Kodama T. Tominari T. Hashimoto K. Washio Central Research Laboratory Hitachi and Limited Kokubunji Tokyo Japan Renesas Northern Japan Semiconductor Inc. Japan Device Development Center Hitachi and Limited Tokyo Japan

A new concept, promoting emitter diffusion (PED) process, by using high-temperature annealing, is proposed for fabricating high-performance SiGe HBTs. Both the cut-off frequency and maximum oscillation frequency exceeded 200 GHz when the annealing temperature was increased from 885/spl deg/C to 1000/spl deg/C. This PED process concept is based on the fact that the increased phosphorus diffusion can more than compensate for increased boron diffusion and decreased base thickness.

关键词： Silicon germanium Germanium silicon alloys Heterojunction bipolar transistors bicmos integrated circuits Annealing Cutoff frequency Boron Thermal resistance Thermal engineering Carbon dioxide

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