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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

44 篇 专利

馆藏范围

44 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

36 篇 三美电机株式会社
4 篇 美蓓亚三美株式会...
2 篇 株式会社佐竹
1 篇 NOT FOUND
1 篇 ミネベアミツミ株式会社
1 篇 mogi akira
1 篇 inoue fumihiro
1 篇 井上文裕
1 篇 mitsumi electric...
1 篇 minebea mitsumi ...

作者

42 篇 井上文裕
5 篇 中岛平裕
3 篇 山本康介
3 篇 坂东孝彦
3 篇 茂木朗
2 篇 远藤直人
2 篇 孙慧先
2 篇 井上文夫
2 篇 濑川智贵
2 篇 inoue fumihiro
2 篇 梅贝俊平
2 篇 天野裕文
2 篇 三平宪治
2 篇 岛仁志
2 篇 前原裕之
2 篇 木村顺一
2 篇 阿部真喜男
2 篇 枝村高次
1 篇 nakashima heisuk...
1 篇 mogi akira

语言

43 篇 中文
1 篇 日文

检索条件"作者=井上文裕"

共 44 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

斩波型比较器以及A/D变换器

斩波型比较器以及A/D变换器

引用

作者：井上文裕日本东京都

本发明提供一种斩波型比较器,其具备：供给第一电源的第一电源供给线；供给电压比第一电源低的第二电源的第二电源供给线；输入基准电压的基准电压输入部；输入比较对象电压的比较对象电压输入部；比较从所述基准电压输入部输入的所...

标准号: CN101689850

本发明提供一种斩波型比较器,其具备：供给第一电源的第一电源供给线；供给电压比第一电源低的第二电源的第二电源供给线；输入基准电压的基准电压输入部；输入比较对象电压的比较对象电压输入部；比较从所述基准电压输入部输入的所述基准电压和从所述比较对象电压输入部输入的所述比较对象电压的大小的比较部；输出所述比较部的比较结果的输出部,该斩波型比较器的特征在于,该斩波型比较器具备：设定所述第一电源供给线和/或所述第二电源供给线的电阻值的电阻值设定部。

关键词：

来源：评论

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振荡电路及其工作电流控制方法

振荡电路及其工作电流控制方法

引用

作者：井上文裕日本东京都

一种振荡电路，其具有：电容器；充放电部，其根据控制信号来切换所述电容器的充放电；比较器，其将所述电容器的电压与基准电压进行比较，并输出比较结果信号；触发器，其通过所述比较结果信号而被置位或者复位，所述触发器将输出信号... 详细信息

标准号: CN102948074B

一种振荡电路，其具有：电容器；充放电部，其根据控制信号来切换所述电容器的充放电；比较器，其将所述电容器的电压与基准电压进行比较，并输出比较结果信号；触发器，其通过所述比较结果信号而被置位或者复位，所述触发器将输出信号作为控制信号供给到所述充放电部，并且将其作为振荡信号来进行输出；以及电流控制部，其根据所述电容器的电压来控制所述比较器的工作电流。

关键词：电容器充放电控制信号比较器触发器比较结果信号电流控制部工作电流基准电压结果信号输出比较输出信号振荡电路振荡信号复位置位输出

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模拟-数字转换装置

模拟-数字转换装置

引用

作者：井上文裕日本东京都

本发明提供一种模拟-数字转换电路,在全差动放大电路中循环信号而将模拟信号转换为数字,该模拟-数字转换电路包含：极性切换部,用于切换所述全差动放大电路的连接极性；控制部,用于控制所述极性切换部,以在第一次循环和第二次以上的...

标准号: CN101512907

本发明提供一种模拟-数字转换电路,在全差动放大电路中循环信号而将模拟信号转换为数字,该模拟-数字转换电路包含：极性切换部,用于切换所述全差动放大电路的连接极性；控制部,用于控制所述极性切换部,以在第一次循环和第二次以上的循环中切换所述全差动放大电路的连接极性。

关键词：

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振荡电路及其工作电流控制方法

振荡电路及其工作电流控制方法

引用

作者：井上文裕日本东京都

标准号: CN102948074A

关键词：电容器充放电结果信号控制信号比较器触发器电压电流控制工作电流基准电压输出信号振荡电路振荡信号复位

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半导体装置

半导体装置

引用

作者：井上文裕岛仁志日本东京都

一种半导体装置,包含相邻的多个电容单元,所述电容单元具有用于输入信号的下部电极和与该下部电极相对配置的上部电极,所述半导体装置的特征在于,与所述下部电极连接的配线层包含围绕每个所述上部电极的配线保护部。

标准号: CN101681880

关键词：

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检测装置

检测装置

引用

作者：井上文裕中根健智日本长野县

本发明提供一种检测装置，其以实现小型化和功耗降低为目的。该检测装置具有：基板；参考电极，其设置于上述基板的上方；下部电极，其经由绝缘膜设置于上述参考电极的上方；以及上部电极，其经由物理量检测膜设置于上述下部电极的上方... 详细信息

标准号: CN111198215A

本发明提供一种检测装置，其以实现小型化和功耗降低为目的。该检测装置具有：基板；参考电极，其设置于上述基板的上方；下部电极，其经由绝缘膜设置于上述参考电极的上方；以及上部电极，其经由物理量检测膜设置于上述下部电极的上方，通过上述上部电极和上述下部电极构成平行平板型的检测用电容器，通过上述下部电极和上述参考电极构成平行平板型的参考用电容器。

关键词：下部电极参考电极平行平板型上部电极用电容器基板物理量检测功耗降低检测装置绝缘膜种检测参考检测

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逐次比较型AD变换电路

逐次比较型AD变换电路

引用

作者：井上文裕日本东京都

在逐次比较型AD变换电路中，无需延长变换所需时间即可提高变换精度。逐次比较型AD变换电路具备比较电路，该比较电路具有经由耦合电容级联连接的多个放大级，并判定输入模拟电压和比较电压的大小，其中，比较电路设置有：第一比较部以... 详细信息

标准号: CN102379085A

在逐次比较型AD变换电路中，无需延长变换所需时间即可提高变换精度。逐次比较型AD变换电路具备比较电路，该比较电路具有经由耦合电容级联连接的多个放大级，并判定输入模拟电压和比较电压的大小，其中，比较电路设置有：第一比较部以及第二比较部，其共用多个放大级中的初级的放大级，第一比较部在其后级具有经由耦合电容连接的第一放大级，第二比较部在其后级具有经由耦合电容连接的第二放大级；第一比较点移位电路和第二比较点移位电路，第一比较点移位电路与第一放大级的输入端子连接，第二比较点移位电路与第二放大级的输入端子连接。第一以及第二比较点移位电路，在分别对输入模拟电压和比较电压的电位差进行放大时，将比较电压向互相相反的方向移动预定量。

关键词：放大移位电路耦合电容连接电压电路变换电路模拟电压输入端子电位差变换精度级联变换

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半导体集成电路装置

半导体集成电路装置

引用

作者：井上文裕日本东京都

本发明的目的在于提供一种半导体集成电路装置，其充分抑制从数字电路向模拟电路的噪声混入。该半导体集成电路装置，分离为形成数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域，将模拟电路区域分离为形成模拟电路的有源元件的有... 详细信息

标准号: CN102376704A

本发明的目的在于提供一种半导体集成电路装置，其充分抑制从数字电路向模拟电路的噪声混入。该半导体集成电路装置，分离为形成数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域，将模拟电路区域分离为形成模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成模拟电路的无源元件的无源元件区域，将无源元件区域配置在与数字电路区域相邻的区域中，将有源元件区域配置在远离数字电路区域的区域中，在该半导体集成电路装置中，在无源元件区域的半导体衬底中形成与半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱，在第一阱内形成与第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱，在第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。

关键词：模拟电路无源元件半导体集成电路装置导电数字电路区域有源模拟电路区域半导体衬底数字电路元件区域区域配置隔离膜噪声

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比较器以及具备该比较器的AD转换器

比较器以及具备该比较器的AD转换器

引用

作者：井上文裕日本东京都

一种比较器，具备：与时钟信号（CLK）同步地导通/截止的晶体管（M0）、与晶体管（M0）的导通/截止同步地进行比较动作的差动对（M1、M2）、输出差动对（M1、M2）的比较结果的正反馈部（F1），正反馈部具备：在PMOS晶体管（M3）与NMOS... 详细信息

标准号: CN103098374A

一种比较器，具备：与时钟信号（CLK）同步地导通/截止的晶体管（M0）、与晶体管（M0）的导通/截止同步地进行比较动作的差动对（M1、M2）、输出差动对（M1、M2）的比较结果的正反馈部（F1），正反馈部具备：在PMOS晶体管（M3）与NMOS晶体管（M4）之间插入的电阻（R1）、以及在PMOS晶体管（M5）与NMOS晶体管（M6）之间插入的电阻（R2），正反馈部在电阻（R1）的低电位侧连接PMOS晶体管（M5）的栅极，在电阻（R1）的高电位侧连接NMOS晶体管（M6）的栅极，在电阻（R2）的低电位侧连接PMOS晶体管（M3）的栅极，在电阻（R2）的高电位侧连接NMOS晶体管（M4）的栅极。

关键词：晶体管电阻正反馈电位连接高电位差动时钟信号比较器

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容性负载驱动电路以及光扫描装置

容性负载驱动电路以及光扫描装置

引用

作者：井上文裕日本东京都

本发明的课题是通过将之前被施加了高电压的容性负载的电荷移动至其他容性负载来进行电力再生，实现低消耗电力化。在与分别连接有多个容性负载的多个端子(VOUTP、VOUTM)连接，使多个端子中的某个的电压从低的状态变化为高的状态的容性... 详细信息

标准号: CN106716835B

本发明的课题是通过将之前被施加了高电压的容性负载的电荷移动至其他容性负载来进行电力再生，实现低消耗电力化。在与分别连接有多个容性负载的多个端子(VOUTP、VOUTM)连接，使多个端子中的某个的电压从低的状态变化为高的状态的容性负载驱动电路中设有：电流变化检测电路(Qp11～Qp13、Qn11～Qn13；Qp21～Qp23、Qn21～Qn23)，其检测放大器的输出级(11A、11B)的电流变化；基准电流生成电路(Qp1、Qp14、Qn1、Qn14；Qp2、Qp24、Qn2、Qn24；Qp31、Qp32)，其生成与放大器的输出级的输出电流成正比的基准电流；以及电荷移动电路(Qn40～Qn42)，其根据电流变化检测电路的检测结果，对多个端子间的某个端子流过与上述基准电流成正比的电流，使电荷从与电压高的状态的端子连接的容性负载向与电压低的状态的端子连接的容性负载移动。

关键词：容性负载放大器电流变化检测电路电荷移动端子连接基准电流成正比输出级基准电流生成电路容性负载驱动电路电流变化检测结果输出电流状态变化电荷低消耗电压低高电压施加再生检测移动

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