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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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9 篇 专利

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5 篇 康宁公司
4 篇 iqe公司

作者

5 篇 卡梅伦·罗伯特·尼...
4 篇 安德鲁·约翰逊
4 篇 安德鲁·威廉·尼尔...
4 篇 罗伯特·卡梅伦·哈...
3 篇 卡尔·威廉·科赫三...
3 篇 尚登·迪伊·哈特
2 篇 瓦格萨·西那拉特内...
2 篇 冯江蔚
2 篇 苏克鲁·埃金·科卡...
2 篇 杨俊
2 篇 亚历山大·宇彤·朱
2 篇 威廉·艾伦·伍德
1 篇 卡洛·安东尼·科西...
1 篇 贾扬塔·塞纳维拉特...
1 篇 詹姆斯·约瑟夫·普...
1 篇 弗洛伦斯·克里斯蒂...
1 篇 林琳
1 篇 大卫·李·魏德曼

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9 篇 中文

检索条件"作者=卡梅伦·罗伯特·尼尔森"

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详细简洁

排序：

用于显示单元的超颖表面波导耦合器

用于显示单元的超颖表面波导耦合器

引用

作者：苏克鲁·埃金·科卡巴斯卡梅伦·罗伯特·尼尔森杨俊亚历山大·宇彤·朱美国纽约

本揭露内容涉及一种光栅耦合器，所述光栅耦合器包括：基材，包括第一主表面及第二主表面；及位于基材的至少一个主表面上的表面起伏结构，其中：光栅耦合器在跨越至少20°的入射光角度范围内具有至少0.3(30％)的第一阶散射效率。... 详细信息

标准号: CN118202293A

本揭露内容涉及一种光栅耦合器，所述光栅耦合器包括：基材，包括第一主表面及第二主表面；及位于基材的至少一个主表面上的表面起伏结构，其中：光栅耦合器在跨越至少20°的入射光角度范围内具有至少0.3(30％)的第一阶散射效率。本文中所描述的表面起伏结构能包括多个缺口，每个缺口大致上面对x方向并具有大于约50nm的曲率半径。

关键词：光栅耦合器主表面表面起伏结构基材散射效率入射光

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用于显示单元的超颖表面波导耦合器

用于显示单元的超颖表面波导耦合器

引用

作者：苏克鲁·埃金·科卡巴斯卡梅伦·罗伯特·尼尔森杨俊亚历山大·宇彤·朱美国纽约

公开了一种用于与显示单元耦合的表面的基板。所述基板是在从计算机接收数据的制造机器处制造的。所述计算机处存取对以下项目的表示：用于与显示单元耦合的表面的基板、与所述基板相邻的一个或多个图案化的层、所述基板的入射角范围和... 详细信息

标准号: CN118265940A

公开了一种用于与显示单元耦合的表面的基板。所述基板是在从计算机接收数据的制造机器处制造的。所述计算机处存取对以下项目的表示：用于与显示单元耦合的表面的基板、与所述基板相邻的一个或多个图案化的层、所述基板的入射角范围和出射角范围，其中所述基板对于指定光波长是透明的。所述计算机使用一优化引擎并针对所述指定光波长，基于所述一个或多个图案化的层的折射率、所述基板的折射率、所述入射角范围和所述出射角范围，计算对超颖表面(metasurface)波导耦合器组件结构的二维或三维表示。所述计算机将对所述超颖表面波导耦合器组件结构的所述表示转换成布局文件。所述布局文件被传输到所述制造机器。

关键词：基板布局文件制造机器出射角光波长入射角图案化折射率耦合的计算机接收数据波导耦合器计算机使用耦合器组件表面波导计算机处三维表示组件结构透明的二维引擎存取传输转换计算机优化制造

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具有绕射防眩表面的显示器制品及其制造方法

具有绕射防眩表面的显示器制品及其制造方法

引用

作者：冯江蔚尚登·迪伊·哈特卡尔·威廉·科赫三世卡梅伦·罗伯特·尼尔森瓦格萨·西那拉特内威廉·艾伦·伍德美国纽约

本文描述了一种显示器制品，所述显示器制品包括：基板，所述基板包含厚度及主表面；且所述主表面上界定有绕射表面区域。所述绕射表面区域包含多个结构特征，所述多个结构特征包含呈多模式分布的多个不同高度。此外，所述基板展现出如... 详细信息

标准号: CN118295048A

本文描述了一种显示器制品，所述显示器制品包括：基板，所述基板包含厚度及主表面；且所述主表面上界定有绕射表面区域。所述绕射表面区域包含多个结构特征，所述多个结构特征包含呈多模式分布的多个不同高度。此外，所述基板展现出如在与法线成0°的入射角下通过像素功率偏差(PPD₁₄₀)测量的小于4％的闪烁、在与法线成20°的入射角下小于80％的影像清晰度(DOI)、及在与法线成0°的入射角下小于20％的透射率雾度。

关键词：法线入射角基板显示器制品绕射表面主表面功率偏差多模式透射率界定雾度像素影像测量闪烁

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具有绕射防眩表面的显示器制品及其制造方法

具有绕射防眩表面的显示器制品及其制造方法

引用

作者：冯江蔚尚登·迪伊·哈特卡尔·威廉·科赫三世卡梅伦·罗伯特·尼尔森瓦格萨·西那拉特内威廉·艾伦·伍德美国纽约

标准号: CN116133998A

关键词：法线入射角基板显示器制品绕射表面主表面功率偏差多模式透射率界定雾度像素影像测量闪烁

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具防眩表面及薄的耐用抗反射涂层的显示器制品

具防眩表面及薄的耐用抗反射涂层的显示器制品

引用

作者：尚登·迪伊·哈特卡尔·威廉·科赫三世卡洛·安东尼·科西克·威廉姆斯林琳卡梅伦·罗伯特·尼尔森詹姆斯·约瑟夫·普莱斯贾扬塔·塞纳维拉特弗洛伦斯·克里斯蒂娜·莫尼克·弗利尔大卫·李·魏德曼美国纽约

本文描述了一种显示器制品，包含：基板，所述基板包含厚度及主表面；纹理化表面区域；及抗反射涂层，所述抗反射涂层是安置于所述纹理化表面区域上。所述纹理化表面区域包含结构特征及自50nm至300nm的平均纹理高度(Rtext)。所述基板在0... 详细信息

标准号: CN116157369A

本文描述了一种显示器制品，包含：基板，所述基板包含厚度及主表面；纹理化表面区域；及抗反射涂层，所述抗反射涂层是安置于所述纹理化表面区域上。所述纹理化表面区域包含结构特征及自50nm至300nm的平均纹理高度(R_text)。所述基板在0°入射角下展现出如通过PPD₁₄₀测量的小于5％的闪烁、及小于40％的透射率雾度。所述抗反射涂层包含交替的高折射率层及低折射率层。所述低折射率层中的每一个包含小于或等于1.8的折射率，且所述高折射率层中的每一个包含大于1.8的折射率。所述制品亦展现出在可见波长处在与法线成约5°至20°的任何入射角下小于0.3％的第一表面平均适光镜面反射率(％R)。

关键词：抗反射涂层纹理化表面基板低折射率层高折射率层入射角折射率法线镜面反射率显示器制品第一表面可见波长纹理交替的透射率主表面雾度测量闪烁安置

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多结光伏器件及其制备方法

多结光伏器件及其制备方法

引用

作者：安德鲁·约翰逊安德鲁·威廉·尼尔森罗伯特·卡梅伦·哈伯英国威尔士加迪夫

多结光伏器件及其制备方法，其中多结光伏器件是具有两个或更多由半导体材料形成的光吸收元件的多结光伏器件，其包括：第一硅锗或硅锗锡材料元件，第二硅锗锡材料元件，其中，第一硅锗或硅锗锡材料元件和所述第二硅锗锡材料元件与砷化... 详细信息

标准号: CN107845690A

多结光伏器件及其制备方法，其中多结光伏器件是具有两个或更多由半导体材料形成的光吸收元件的多结光伏器件，其包括：第一硅锗或硅锗锡材料元件，第二硅锗锡材料元件，其中，第一硅锗或硅锗锡材料元件和所述第二硅锗锡材料元件与砷化镓晶格匹配。

关键词：硅锗锡材料多结光伏器件半导体材料光吸收元件晶格匹配砷化镓制备

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光伏器件

光伏器件

引用

作者：安德鲁·约翰逊安德鲁·威廉·尼尔森罗伯特·卡梅伦·哈伯英国威尔士加迪夫

一种光电器件，包括III‑V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有... 详细信息

标准号: CN103875079B

一种光电器件，包括III‑V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p‑n结。它也可以提供与III‑V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。另一方面，提供一种多结光伏器件，其中包括至少一个硅锗或硅锗锡的第一光吸收层（111）以及硅锗锡的第二光吸收层（112），该两层均与砷化镓晶格匹配。

关键词：硅锗隧道二极管光吸收层阻挡层太阳能电池特性多结光伏器件太阳能电池光电器件界面设置晶格匹配掺杂n型材料层硅扩散砷化镓两层扩散

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光伏器件

光伏器件

引用

作者：安德鲁·约翰逊安德鲁·威廉·尼尔森罗伯特·卡梅伦·哈伯英国威尔士加迪夫CF30LW

一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有... 详细信息

标准号: CN103875079A

一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p-n结。它也可以提供与III-V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。另一方面，提供一种多结光伏器件，其中包括至少一个硅锗或硅锗锡的第一光吸收层（111）以及硅锗锡的第二光吸收层（112），该两层均与砷化镓晶格匹配。

关键词：硅锗隧道二极管光吸收层材料层掺杂太阳能电池特性扩散阻挡层太阳能电池掺杂区域光电器件光伏器件砷化镓阻挡层晶格匹配扩散接触

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多结光伏器件及其制备方法

多结光伏器件及其制备方法

引用

作者：安德鲁·约翰逊安德鲁·威廉·尼尔森罗伯特·卡梅伦·哈伯英国威尔士加迪夫CF3 0LW

标准号: CN107845690B

关键词：硅锗锡材料多结光伏器件半导体材料光吸收元件晶格匹配砷化镓制备

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