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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

104 篇 专利
1 篇 期刊文献

馆藏范围

105 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 建筑学
- 1 篇 土木工程

主题

1 篇 foundations

机构

15 篇 美光科技公司
13 篇 株式会社日立高新...
12 篇 株式会社日立制作...
9 篇 日立超大规模集成...
6 篇 三菱电机株式会社
6 篇 东芝松下显示技术...
4 篇 尔必达存储器股份...
4 篇 尔必达存储器株式...
4 篇 东京毅力科创株式...
3 篇 NOT FOUND
3 篇 富士施乐株式会社
3 篇 富士胶片株式会社
2 篇 三菱自动车工业株...
2 篇 球波株式会社
2 篇 赛登化学株式会社
2 篇 卫材株式会社
2 篇 卫材r&d管理有限公...
2 篇 キヤノン株式会社
2 篇 国立大学法人九州...
2 篇 佳能元件股份有限...

作者

24 篇 冢田修一
13 篇 冢田修大
12 篇 池田修二
10 篇 堀部晋一
10 篇 高松朗
10 篇 铃木范夫
10 篇 吉田安子
10 篇 石冢典男
9 篇 三浦英生
9 篇 秋枝大介
7 篇 小林正道
7 篇 松田安司
7 篇 福田和司
7 篇 野添俊夫
7 篇 山本裕彦
7 篇 清水博文
6 篇 NOT FOUND
6 篇 新谷浩司
6 篇 NOT FOUND
6 篇 平田胜保

语言

94 篇 中文
11 篇 日文

检索条件"作者=塚田修一"

共 105 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

半导体存储装置

半导体存储装置

引用

作者：塚田修一日本东京

一种半导体存储装置,具备：MOS晶体管(TP1),在过度驱动开始时被导通,对并联连接的多个读出放大器供给电源(VDD1)；电容器(C1), 蓄积与经由MOS晶体管(TP1)流动到多个读出放大器的电荷对应而被参照的电荷MOS晶体管(TP2),在过度驱动开始...

标准号: CN1956099

一种半导体存储装置,具备：MOS晶体管(TP1),在过度驱动开始时被导通,对并联连接的多个读出放大器供给电源(VDD1)；电容器(C1), 蓄积与经由MOS晶体管(TP1)流动到多个读出放大器的电荷对应而被参照的电荷MOS晶体管(TP2),在过度驱动开始时被导通,对电容器(C1) 供给电源(VDD1)；和控制电路,在电容器的电位达到电压(VREF1) 的情况下,控制为使MOS晶体管(TP1、TP2)截止。还具备在MOS晶体管(TP1、TP2)变为截止之后被导通,对多个读出放大器供给与电压 (VREF1)相等的电压的电源的MOS晶体管。由此,无需设置正确的延迟时间而设定DRAM中的过度驱动期间。

关键词：

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动态型半导体存储装置

动态型半导体存储装置

引用

作者：塚田修一日本东京

本发明提供一种一边可以应付位线与字线的短路缺陷而引起的备用电流不良,一边可以以小的布局面积达到高的冗余救济率,且能可靠地冗余救济的动态型半导体存储装置。相对共享读出放大器中的一侧的位线对用均衡电路和另一侧的位线对用均衡...

标准号: CN1661724

本发明提供一种一边可以应付位线与字线的短路缺陷而引起的备用电流不良,一边可以以小的布局面积达到高的冗余救济率,且能可靠地冗余救济的动态型半导体存储装置。相对共享读出放大器中的一侧的位线对用均衡电路和另一侧的位线对用均衡电路,共同设置一个电流限制元件,通过电流限制元件,向两侧的均衡电路供给位线预充电电位。

关键词：

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电流限制电路及半导体存储装置

电流限制电路及半导体存储装置

引用

作者：塚田修一日本东京

本发明的电流限制电路,具备：包含源极被施加给定的电源电压, 经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管,把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制,使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管...

标准号: CN1897155

本发明的电流限制电路,具备：包含源极被施加给定的电源电压, 经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管,把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制,使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管相同的第2PMOS晶体管中流过了给定的电流的状态下,给定的电源电压和向第1PMOS晶体管供给的栅极电压的差与第2PMOS晶体管的阈值电压一致,从而产生所述栅极电压的栅极电压产生电路。

关键词：

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具有差分放大器的输入缓冲电路

具有差分放大器的输入缓冲电路

引用

作者：塚田修一美国爱达荷州

本申请涉及一种具有差分放大器的输入缓冲电路。本文公开了一种设备，其包含：第一信号线和第二信号线；第一差分放大器，具有接收输入信号的反相输入节点、接收参考电位的非反相输入节点以及连接到所述第一信号线的输出节点；第二差分... 详细信息

标准号: CN111711427B

本申请涉及一种具有差分放大器的输入缓冲电路。本文公开了一种设备，其包含：第一信号线和第二信号线；第一差分放大器，具有接收输入信号的反相输入节点、接收参考电位的非反相输入节点以及连接到所述第一信号线的输出节点；第二差分放大器，具有接收所述参考电位的反相输入节点、接收所述输入信号的非反输入节点以及连接到所述第二信号线的输出节点；电平移位电路，交叉耦合到所述第一信号线和所述第二信号线；第一复制电路，连接到所述第一信号线；第二复制电路，连接到所述第二信号线；以及第一开关电路，被配置为激活所述电平移位电路、所述第一复制电路和所述第二复制电路中的一个。

关键词：第二信号复制电路差分放大器反相输入电平移位电路参考电位输出节点接收输入信号输入缓冲电路交叉耦合开关电路输入节点激活配置申请

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输入缓冲器电路

输入缓冲器电路

引用

作者：塚田修一美国爱达荷州

本发明描述一种用于接收半导体装置中的输入信号的设备。实例设备包含：第一放大器，其响应于第一及第二输入电压而提供第一及第二中间电压；第一及第二电压端子；电路节点；第一晶体管，其经耦合于所述第一电压端子与所述电路节点之间... 详细信息

标准号: CN110326044B

本发明描述一种用于接收半导体装置中的输入信号的设备。实例设备包含：第一放大器，其响应于第一及第二输入电压而提供第一及第二中间电压；第一及第二电压端子；电路节点；第一晶体管，其经耦合于所述第一电压端子与所述电路节点之间，且响应于所述第一及第二中间电压中的至少一者而接通；第二放大器，其包含第一及第二反相器，所述第一及第二反相器中的至少一者经耦合于所述电路节点与所述第二电压端子之间；及第一及第二输出节点，所述第一输出节点经耦合到所述第一反相器的输入节点及所述第二反相器的输出节点，且所述第二输出节点经耦合到所述第一反相器的输出节点及所述第二反相器的输入节点。

关键词：反相器输出节点电路节点电压端子放大器输入节点中间电压耦合耦合到半导体装置实例设备输入电压响应晶体管接通

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具有差分放大器的输入缓冲电路

具有差分放大器的输入缓冲电路

引用

作者：塚田修一美国爱达荷州

标准号: CN111711427A

关键词：第二信号复制电路差分放大器反相输入电平移位电路参考电位输出节点接收输入信号输入缓冲电路交叉耦合开关电路输入节点激活配置申请

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使用内部电压为时钟树电路供电

使用内部电压为时钟树电路供电

引用

作者： *木謙治塚田修一美国爱达荷州

本申请案涉及使用内部电压为时钟树电路供电。在一些实施例中，时钟输入缓冲器电路及分频器电路使用外部供应电压及内部生成电压的组合来提供由半导体装置使用的各种时钟信号。例如，时钟输入缓冲器经配置以使用耦合到供应电压的交叉耦... 详细信息

标准号: CN111554332A

本申请案涉及使用内部电压为时钟树电路供电。在一些实施例中，时钟输入缓冲器电路及分频器电路使用外部供应电压及内部生成电压的组合来提供由半导体装置使用的各种时钟信号。例如，时钟输入缓冲器经配置以使用耦合到供应电压的交叉耦合缓冲器电路响应于经接收的第一互补时钟信号而提供第二互补时钟信号，且使用耦合到内部电压的驱动器电路驱动所述第一互补时钟信号。在另一实例中，分频器电路可经由耦合到所述内部电压的分频器基于所述第二互补时钟信号而提供分频时钟信号且使用耦合到所述供应电压的驱动器电路驱动所述分频时钟信号。所述供应电压的量值可小于所述内部电压的量值。

关键词：互补时钟信号供应电压内部电压耦合到时钟输入缓冲器分频时钟信号分频器电路驱动器电路半导体装置缓冲器电路时钟树电路驱动交叉耦合时钟信号分频器申请案电路供电响应外部配置

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输入缓冲电路

输入缓冲电路

引用

作者：松野广之塚田修一美国爱达荷州

本文公开一种设备，所述设备包含：第一和第二电压端子；第一、第二和第三电路节点，所述第一电路节点的电位基于输入信号而改变；触发器电路，其包括彼此交叉耦合的第一和第二反相器，所述第一反相器耦合在所述第一电压端子和所述第二... 详细信息

标准号: CN111433848B

本文公开一种设备，所述设备包含：第一和第二电压端子；第一、第二和第三电路节点，所述第一电路节点的电位基于输入信号而改变；触发器电路，其包括彼此交叉耦合的第一和第二反相器，所述第一反相器耦合在所述第一电压端子和所述第二电路节点之间；第一晶体管，其耦合在所述第二和第三电路节点之间，所述第一晶体管具有耦合到所述第一电路节点的控制电极；以及第一电流控制电路，其耦合在所述第三电路节点和所述第二电压端子之间，流过所述第一电流控制电路的电流量基于第一代码信号来控制。

关键词：电路节点电压端子耦合电流控制电路反相器晶体管电位触发器电路彼此交叉代码信号控制电极电流量耦合到耦合的

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使用内部电压为时钟树电路供电

使用内部电压为时钟树电路供电

引用

作者：浅木謙治塚田修一美国爱达荷州

标准号: CN111554332B

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电流限制电路及半导体存储装置

电流限制电路及半导体存储装置

引用

作者：塚田修一日本东京

本发明的电流限制电路，具备：包含源极被施加给定的电源电压，经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管，把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制，使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管... 详细信息

标准号: CN100533591C

本发明的电流限制电路，具备：包含源极被施加给定的电源电压，经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管，把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制，使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管相同的第2PMOS晶体管中流过了给定的电流的状态下，给定的电源电压和向第1PMOS晶体管供给的栅极电压的差与第2PMOS晶体管的阈值电压一致，从而产生所述栅极电压的栅极电压产生电路。

关键词：晶体管电流栅极电压电源电压电流限制电路电流限制元件动作特性反馈控制阈值电压漏极源极电路

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