检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：安德烈亚斯·赫里茨马雷克·什切尔巴荷兰艾恩德霍芬

用于生成经频谱整形后的噪声的装置(1),该装置包括滤波器单元(13),该滤波器单元(13)用于应用代表频谱包络的滤波器系数来对输入噪声样本进行滤波处理。该滤波器系数是针对在第一采样频率下使用的情况而确定的,并且在不同的第二采样...

标准号: CN101479790

用于生成经频谱整形后的噪声的装置(1),该装置包括滤波器单元(13),该滤波器单元(13)用于应用代表频谱包络的滤波器系数来对输入噪声样本进行滤波处理。该滤波器系数是针对在第一采样频率下使用的情况而确定的,并且在不同的第二采样频率下应用相同的滤波器系数来重新生成经频谱整形后的噪声。还可以通过上采样单元(14)来改变噪声频谱。

关键词：

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噪声合成

噪声合成

引用

作者：安德烈亚斯·赫里茨马雷克·什切尔巴荷兰艾恩德霍芬

用于生成经频谱整形后的噪声的装置(1)，该装置包括滤波器单元(13)，该滤波器单元(13)用于应用代表频谱包络的滤波器系数来对输入噪声样本进行滤波处理。该滤波器系数是针对在第一采样频率下使用的情况而确定的，并且在不同的第二采样... 详细信息

标准号: CN101479790B

用于生成经频谱整形后的噪声的装置(1)，该装置包括滤波器单元(13)，该滤波器单元(13)用于应用代表频谱包络的滤波器系数来对输入噪声样本进行滤波处理。该滤波器系数是针对在第一采样频率下使用的情况而确定的，并且在不同的第二采样频率下应用相同的滤波器系数来重新生成经频谱整形后的噪声。还可以通过上采样单元(14)来改变噪声频谱。

关键词：滤波器系数滤波器单元采样频率频谱整形噪声采样单元滤波处理频谱包络应用代表噪声频谱噪声样本

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链轮和用于补偿动态负载的控制链传动机构

链轮和用于补偿动态负载的控制链传动机构

引用

作者：安德烈亚斯·里茨卢茨·韦尔克沃尔克·赫希曼德国慕尼黑

本发明涉及一种链轮(2,3),尤其是用于控制链传动机构的链轮,该链轮带有一转动轴,一围绕该转动轴设置的齿圈(7)以及至少一个链带导向件 (8),所述齿圈(7)带有多个分布在周长上的相互交替的齿(17)和齿隙(16),其中,所述齿圈(7)和所述链带...

标准号: CN101466969

本发明涉及一种链轮(2,3),尤其是用于控制链传动机构的链轮,该链轮带有一转动轴,一围绕该转动轴设置的齿圈(7)以及至少一个链带导向件 (8),所述齿圈(7)带有多个分布在周长上的相互交替的齿(17)和齿隙(16),其中,所述齿圈(7)和所述链带导向件(8)相互固定连接,所述链带导向件(8)具有一用于支承在链板(13,14)的支承面(15)上的环形支撑轮廓(9),并且,所述支撑轮廓(9)或该支撑轮廓(9)的突出区域贴靠在一个形成所述链带导向件(8) 的外周的弯曲周长上,其特征在于,所述链带导向件(8)的外周具有一非圆形的轮廓。

关键词：

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链轮和用于补偿动态负载的控制链传动机构

链轮和用于补偿动态负载的控制链传动机构

引用

作者：安德烈亚斯·里茨卢茨·韦尔克沃尔克·赫希曼德国慕尼黑

本发明涉及一种链轮(2，3)，尤其是用于控制链传动机构的链轮，该链轮带有一转动轴，一围绕该转动轴设置的的齿圈(7)以及至少一个链带导向件(8)，所述齿圈(7)带有多个分布在周长上的相互交替的齿(17)和齿隙(16)，其中，所述齿圈(7)和所... 详细信息

标准号: CN101466969B

本发明涉及一种链轮(2，3)，尤其是用于控制链传动机构的链轮，该链轮带有一转动轴，一围绕该转动轴设置的的齿圈(7)以及至少一个链带导向件(8)，所述齿圈(7)带有多个分布在周长上的相互交替的齿(17)和齿隙(16)，其中，所述齿圈(7)和所述链带导向件(8)相互固定连接，所述链带导向件(8)具有一用于支承在链板(13，14)的支承面(15)上的环形支撑轮廓(9)，并且，所述支撑轮廓(9)或该支撑轮廓(9)的突出区域贴靠在一个形成所述链带导向件(8)的外周的弯曲周长上，其特征在于，所述链带导向件(8)的外周具有一非圆形的轮廓。

关键词：导向件链带齿圈链轮转动轴外周周长链传动机构环形支撑支承面支撑齿隙链板支承

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硅绝缘体晶片及其制造方法

硅绝缘体晶片及其制造方法

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作者：罗伯特·赫茨尔迪尔克·丹茨安德烈亚斯·许贝尔乌尔里希·兰贝特赖因霍尔德·瓦里希联邦德国慕尼黑

本发明涉及一种硅绝缘体晶片，该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5%且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种... 详细信息

标准号: CN1298021C

本发明涉及一种硅绝缘体晶片，该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5%且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种用于制造此类硅绝缘体晶片的方法，其中将由硅制成的基底晶片通过事先施加的电绝缘材料层与施主晶片相连。所述施主晶片载有一单晶硅施主层，该层的空穴浓度至多为10¹²个/立方厘米，且空穴聚块浓度至多为10⁵个/立方厘米。在连接这些晶片后，将施主晶片的厚度以适当方式予以降低，从而由所述施主层形成一个具有本发明所述的性能的单晶硅层，所述单晶硅层经由电绝缘材料层与基底晶片相连接。

关键词：单晶硅施主晶片绝缘体晶片基底晶片绝缘材料施主晶片空穴电绝缘层空穴浓度缺陷密度导热率连接硅制

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硅绝缘体晶片及其制造方法

硅绝缘体晶片及其制造方法

引用

作者：罗伯特·赫茨尔迪尔克·丹茨安德烈亚斯·许贝尔乌尔里希·兰贝特赖因霍尔德·瓦里希联邦德国慕尼黑

本发明涉及一种硅绝缘体晶片,该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5％且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种...

标准号: CN1574227

本发明涉及一种硅绝缘体晶片,该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5％且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种用于制造此类硅绝缘体晶片的方法,其中将由硅制成的基底晶片通过事先施加的电绝缘材料层与施主晶片相连。所述施主晶片载有一单晶硅施主层,该层的空穴浓度至多为1012个/立方厘米,且空穴聚块浓度至多为105个/立方厘米。在连接这些晶片后,将施主晶片的厚度以适当方式予以降低,从而由所述施主层形成一个具有本发明所述的性能的单晶硅层,所述单晶硅层经由电绝缘材料层与基底晶片相连接。

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用于洗碗机的面板复合件、用于组装面板复合件的方法和具有这种面板复合件的洗碗机

用于洗碗机的面板复合件、用于组装面板复合件的方法和具有这种面...

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作者：安德烈亚斯·卡尔滕埃格尔斯特凡·艾特尔弗洛里安·赫施博尔茨德国慕尼黑

提出一种用于洗碗机(2)、特别是家用洗碗机的面板复合件(1)，面板复合件具有面板支撑部(5)、第一面板元件(6)和第二面板元件(7)。面板复合件(1)的特征在于，第一面板元件(6)经由第一铰链装置(8)与面板支撑部(5)连接，并且第二面板元件(7... 详细信息

标准号: CN115996659A

提出一种用于洗碗机(2)、特别是家用洗碗机的面板复合件(1)，面板复合件具有面板支撑部(5)、第一面板元件(6)和第二面板元件(7)。面板复合件(1)的特征在于，第一面板元件(6)经由第一铰链装置(8)与面板支撑部(5)连接，并且第二面板元件(7)经由第二铰链装置(9)与面板支撑部(5)连接。在此，第一铰链装置(8)设置在面板支撑部(5)的第一内侧(10)的区域中，并且第二铰链装置(9)设置在面板支撑部(5)的优选与第一内侧(10)相对置的第二内侧(11)的区域中。第二面板元件(7)至少在局部与第一面板元件(6)重叠。还提出一种用于组装用于洗碗机(2)、特别是家用洗碗机的面板支撑部(5)的方法。

关键词：面板元件面板支撑铰链装置复合件洗碗机家用洗碗机优选组装

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RF供电电极上的DC电压控制的方法和设备

RF供电电极上的DC电压控制的方法和设备

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作者：拉金德尔·德辛德萨埃里克·赫德森阿列克谢·马拉赫塔诺夫安德烈亚斯·菲舍尔里亚姆·莫拉维茨美国加利福尼亚州

在等离子处理室中,提供一种用于处理基片的方法。该方法包括将该基片支撑在配置有上电极(UE)和下电极(LE)的等离子处理室,将至少一个射频电源配置为在该UE和该LE之间引发等离子,以及提供导电耦合环,该导电耦合环耦接于该LE以提供导 ...

标准号: CN101653048

在等离子处理室中,提供一种用于处理基片的方法。该方法包括将该基片支撑在配置有上电极(UE)和下电极(LE)的等离子处理室,将至少一个射频电源配置为在该UE和该LE之间引发等离子,以及提供导电耦合环,该导电耦合环耦接于该LE以提供导电路径。该方法进一步包括提供面向等离子基片边缘(PFSP)环, 该PFSP环设在该导电耦合环上方。该方法又进一步包括将该PFSP 环耦接于经过RF滤波器的直流(DC)接地、经过该RF滤波器和可变电阻的该DC接地、经过该RF滤波器的正DC电源和经过该 RF滤波器的负DC电源的至少一个以控制等离子处理参数。

关键词：

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“大加速”:社会生态转型的分析性挑战

引用

国外理论动态 2019年第9期 73-82页

作者：克里斯托夫·戈尔格安德烈亚斯·迈尔梅勒妮·皮希勒克里斯蒂娜·普兰克安克·沙法茨克多米尼克·维登赫费尔弗里多林·克劳斯曼李思齐奥地利维也纳自然资源和生命科学大学社会生态学院北京大学马克思主义学院

本文采用物质流分析和调节理论相结合的方法,在不忽视全球资本主义、世界市场和全球劳动分工的结构性特征以及所关涉的权力关系的前提下,为分析不同历史阶段和不同国家的具体增长体制提供了一个综合性的方法论框架。社会生态转型所面临... 详细信息

本文采用物质流分析和调节理论相结合的方法,在不忽视全球资本主义、世界市场和全球劳动分工的结构性特征以及所关涉的权力关系的前提下,为分析不同历史阶段和不同国家的具体增长体制提供了一个综合性的方法论框架。社会生态转型所面临的分析性挑战,不仅在于资源利用速度的增加,更在于现实经济增长体制得到了特定构型下的权力关系的庇护,即调节理论中的所谓调节模式。与此同时,我们还应该注意到,全球资本主义体系本身并非是稳定和不可替代的。事实上,这一体系自身是充满矛盾的,并且其基本规则已经遭到挑战。发现这些冲突是探寻可替代方案并进行现实重塑的重要开始。

关键词：社会生态转型大加速可持续发展物质流分析调节理论

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光电子半导体器件

光电子半导体器件

引用

作者：马丁·斯特拉斯伯格卢茨·赫佩尔马蒂亚斯·彼得乌尔里克·策恩德泷哲也安德烈亚斯·莱贝尔赖纳·布滕戴奇托马斯·鲍尔德国雷根斯堡

本发明提出了一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)。p掺杂区域(8)包括InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层(7)... 详细信息

标准号: CN102187484B

本发明提出了一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)。p掺杂区域(8)包括In_xAl_yGa_1-x-yN构成的p接触层(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。

关键词：掺杂区域接触层半导体层序列连接层晶畴取向透明导电氧化物氮化物半导体半导体器件金属合金光电子有源金属

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