在目前国际形势不稳定性不确定性增加的背景下,构建更加紧密的中非命运共同体具有重大意义。中非金融合作是“中非十大合作计划”的重要内容之一,中资银行在非洲的发展关系到中非经贸合作和中国投资非洲战略的顺利推进,关系到中国是否能够分享非洲未来发展的成果。同时,中资银行投资非洲是人民币国际化的强效催化剂,是中资非金融企业在非洲遍地开花的强效催化剂。中资银行走进非洲,对于中国和非洲的经济发展均具有重要意义。以往的研究大多倾向于非洲银行业的整体情况、非洲国家银行监管的某一方面的探讨,较少从国别法和部门法的角度研究非洲一国银行法律的监管问题。而目前已有部分中资银行在非洲投资和发展,例如中国银行于1997年就在赞比亚设立了分行,2000年中国建设银行也在南非约翰内斯堡设立了分行。中国工商银行则在南非收购了标准银行集团20%的股权,成为该行第一大股东。2016年,中国农业银行与刚果(布)政府及私人投资者共同设立的中刚非洲银行(Banque Sino Congolaise pour l'Afrique,BSCA)成立,它的成立开启了两国在金融领域友好合作的新模式。对于非洲国家银行法方面的研究落后于实践的发展。在东非各国努力尝试建立一个东非中央银行的背景下,乌干达是首个宣布将要建立自己的中央银行的国家。乌干达独立以来,其银行法律法规具有稳定性和一贯性。因此研究乌干达银行法律法规既具有重要的实践意义和也具有一定的学术意义。本文沿着银行准入、运营到退出的脉络,研究乌干达对银行的法律监管并提出了中资银行投资乌干达的建议。文章首先详细分析了乌干达金融监管机构的演变。在英国殖民期间,英国成立了东非货币发行局,具有“半个银行监管机构”的职能。在东非国家独立之际,各个东非国家尝试建立一个统一的中央银行,而后失败。乌干达独立后,成立了具有现代意义的中央银行,即乌干达央行。文章将乌干达银行法律监管分为4个部分:即乌干达对银行准入的法律监管、内部机制的法律监管、业务行为的法律监管、退出的法律监管,最后对中资银行投资乌干达进行了思考并提出建议。市场准入是银行业监督管理机构对新设银行业金融机构进行的限制性管理。从法律上意味着对银行的经营资格、能力以及相应的权利能力和行为能力的审查。这一章将乌干达银行准入的法律监管,概括为机构准入、业务准入和董事高级管理人员准入的法律监管三个方面。从进入的角度来讲,中资银行投资乌干达应遵守最低资本要求,在申请资料中体现对促进金融包容性的重视,注意对股权持有的限制。由于对董事的国籍无要求,因此建议董事会成员要有中国人,董事的个人信息也应该确保真实有效。乌干达央行以法律形式对银行的内部机制提出了监管要求,内部机制监管的实质是对银行的审慎性监管。这一章研究了审慎性监管的两大支柱,微观审慎监管内容包括公司治理监管、资本监管、内部控制监管、风险管理监管,宏观审慎监管内容包括逆周期工具和系统重要性银行的识别与监管。乌干达央行还对银行业务活动提出了监管要求,文章的这一部分研究了乌干达对银行信用管理、反洗钱措施的监管,研究了乌干达对金融消费者的保护措施,还研究了乌干达对银行移动支付业务的监管。从运营的角度来讲,中资银行投资乌干达应依法持有和转让股份、遵守劳动法律法规、依法管理公司资产、依法发放贷款。中资银行可持续运营的核心问题就是要恰当挑选和约束董事。乌干达政府极为重视打击洗钱犯罪,因此中资银行应严格执行关于反洗钱和反腐败的规定。乌干达持续经营也需要重视银行的本土化发展,践行银行的社会责任。银行退出不仅涉及到银行的接管和清算,也涉及到章程变更、银行合并与重组、银行客户的存款保护等方面。本章对这些问题的法律监管进行了研究。从中资银行退出乌干达的角度来讲,主要有两种情况,其一是资不抵债被破产清算,这种情况下,应在第一步即乌干达央行要求银行补足资本开始就及时处理,否则将对股东造成不可挽回的损失。其二是出于某种原因出售银行,必须经过乌干达央行的批准。
硒化锡(SnSe)作为一种环保型二维层状材料,其带隙特性通常被认为接近于直接带隙半导体,表明它的导带极小值和价带极大值非常接近或完全重合,具有优异的光电特性以及不错的光吸收系数。因此,SnSe薄膜适合用作光电材料,在光伏和光电器件中具有广泛的应用前景。本文首先介绍了SnSe材料的光电特性,其次探究了近几年国内外SnSe薄膜的研究进展,总结分析了SnSe薄膜制备技术,最后总结并展望了SnSe薄膜在太阳能电池、光电探测器等领域的应用状况。SnSe薄膜会在未来光伏和光电器件中发挥不可替代的作用。Tin selenide (SnSe), as an environmentally friendly two-dimensional layered material, is generally considered to have bandgap characteristics similar to direct bandgap semiconductors, indicating that its conduction band minimum and valence band maximum are very close or completely overlapped, and it has excellent optoelectronic properties and good light absorption coefficient. Therefore, SnSe thin films are suitable for use as optoelectronic materials and have broad application prospects in photovoltaics and optoelectronic devices. This article first introduces the optoelectronic properties of SnSe materials, then explores the research progress of SnSe thin films at home and abroad in the past years, summarizes thin film preparation technologies suitable for SnSe thin films, and finally summarizes and prospects the application status of SnSe thin films in solar cells, photodetectors and other fields. SnSe thin films will be play an irreplaceable role in photovoltaic and optoelectronic devices in the future.
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