检索结果-内蒙古大学图书馆

魅力中国 2020年第19期 169页

作者：林建佼广东省阳江市第一职业技术学校广东阳江529500

在中职教育体系中,计算机应用基础教学是非常核心的部分,这是一门实践性比较强的学科,在计算机应用基础教学实践中,为更好的优化学生的实践素养,不断提升学生的应用能力,应该积极采用科学全面的改革措施,切实提升该课程的整体教学成效,... 详细信息

在中职教育体系中,计算机应用基础教学是非常核心的部分,这是一门实践性比较强的学科,在计算机应用基础教学实践中,为更好的优化学生的实践素养,不断提升学生的应用能力,应该积极采用科学全面的改革措施,切实提升该课程的整体教学成效,不断优化学生的学习质量,更好的提升学生的实践素养以及就业竞争力.

关键词：中职计算机应用基础教学改革

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霍尔传感器及其制作方法

霍尔传感器及其制作方法

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作者：许佼杨云刘宇航王序进郭登极郭镇斌林建军 518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

本申请涉及半导体传感器技术领域，并提供了一种霍尔传感器及其制作方法，其制作方法包括：在衬底上制作具有二维电子气的外延材料层，在所述外延材料层远离所述衬底一面制作四个金属电极，四个所述金属电极分别位于凸四边形的四个顶点... 详细信息

标准号: CN115623858B

本申请涉及半导体传感器技术领域，并提供了一种霍尔传感器及其制作方法，其制作方法包括：在衬底上制作具有二维电子气的外延材料层，在所述外延材料层远离所述衬底一面制作四个金属电极，四个所述金属电极分别位于凸四边形的四个顶点处；在所述外延材料层远离所述衬底一面且位于四个金属电极之间的位置制作介电绝缘层；在所述介电绝缘层远离衬底的一面且位于四个金属电极所在凸四边形的对角线交点处制作软磁材料层，得到霍尔传感器。本申请提供的霍尔传感器具有良好的灵敏度，能够在外部磁场不变的情况下，输出更高的霍尔电压。

关键词：金属电极衬底霍尔传感器外延材料层制作介电绝缘层凸四边形半导体传感器对角线交点二维电子气软磁材料层霍尔电压外部磁场灵敏度顶点处申请输出

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多波段紫外光电探测器及其制备方法

多波段紫外光电探测器及其制备方法

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作者：刘宇航许佼王留毅郭登极王序进林建军郭镇斌 518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种多波段紫外光电探测器及其制备方法。其中，多波段紫外光电探测器包括依次叠层贴合设置的基底、紫外光探测层和二维功能层，以及与紫外光探测层和二维功能层同时形成欧姆接触的第一电极和第二电极...

标准号: CN116314424B

本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种多波段紫外光电探测器及其制备方法。其中，多波段紫外光电探测器包括依次叠层贴合设置的基底、紫外光探测层和二维功能层，以及与紫外光探测层和二维功能层同时形成欧姆接触的第一电极和第二电极;二维功能层中负载有量子点。本申请提供的多波段紫外光电探测器，充分利用紫外光探测层在日盲波段的光电探测能力，二维材料的可见光到近红外光的光电探测能力，量子点强大的光吸收能力和较强的载流子吸收能力，通过各功能层的结合，器件同时具有宽光谱、高响应度、快速响应等特性。可广泛应用于集成光电子器件设计、制造与工艺技术等微电子技术领域，以及半导体发光技术、平板显示器件等新型电子元器件领域。

关键词：

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深紫外发光二极管及其制备方法

深紫外发光二极管及其制备方法

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作者：许佼刘宇航王留毅郭登极王序进郭镇斌林建军杨云 518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管及其制备方法。其中，深紫外发光二极管，包括由下自上依次叠层贴合设置的衬底层、缓冲层、N型接触层、量子阱有源区、电子阻挡层和P型接触层，还包括设置在所述P型接触层一侧的... 详细信息

标准号: CN115548177B

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管及其制备方法。其中，深紫外发光二极管，包括由下自上依次叠层贴合设置的衬底层、缓冲层、N型接触层、量子阱有源区、电子阻挡层和P型接触层，还包括设置在所述P型接触层一侧的P电极和设置在所述N型接触层一侧的N电极；其中，所述量子阱有源区包括M_2xGa_(2‑2x)O₃，其中，M选自Al、Sn或者Si，所述x为0.2～0.4。本申请提供的深紫外发光二极管通过各功能层的协同作用，使得深紫外发光二极管在波长为200～300nm深紫波段发光效率高，发光稳定性好，使用寿命长。

关键词：深紫外发光二极管量子阱有源区半导体技术领域电子阻挡层发光稳定性发光效率使用寿命贴合设置衬底层功能层缓冲层波长波段叠层制备申请

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霍尔传感器及其制作方法

霍尔传感器及其制作方法

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作者：许佼杨云刘宇航王序进郭登极郭镇斌林建军 518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

标准号: CN115623858A

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多波段紫外光电探测器及其制备方法

多波段紫外光电探测器及其制备方法

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作者：刘宇航许佼王留毅郭登极王序进林建军郭镇斌 518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种多波段紫外光电探测器及其制备方法。其中，多波段紫外光电探测器包括依次叠层贴合设置的基底、紫外光探测层和二维功能层，以及与紫外光探测层和二维功能层同时形成欧姆接触的第一电极和第二电极... 详细信息

标准号: CN116314424A

本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种多波段紫外光电探测器及其制备方法。其中，多波段紫外光电探测器包括依次叠层贴合设置的基底、紫外光探测层和二维功能层，以及与紫外光探测层和二维功能层同时形成欧姆接触的第一电极和第二电极；二维功能层中负载有量子点。本申请提供的多波段紫外光电探测器，充分利用紫外光探测层在日盲波段的光电探测能力，二维材料的可见光到近红外光的光电探测能力，量子点强大的光吸收能力和较强的载流子吸收能力，通过各功能层的结合，器件同时具有宽光谱、高响应度、快速响应等特性。可广泛应用于集成光电子器件设计、制造与工艺技术等微电子技术领域，以及半导体发光技术、平板显示器件等新型电子元器件领域。

关键词：功能层紫外光电探测器紫外光探测多波段二维光电探测量子点集成光电子器件微电子技术领域新型电子元器件光电技术领域平板显示器件光吸收能力载流子吸收可见光第二电极第一电极二维材料发光技术工艺技术近红外光快速响应欧姆接触贴合设置高响应宽光谱波段叠层基底制备申请半导体应用制造

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增材制造及再制造环境温度调整装置和方法

增材制造及再制造环境温度调整装置和方法

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作者：林建军吴向举郭登极许佼刘宇航王立扬王冰洋潘志远龚峰 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号

一种增材制造及再制造环境温度调整装置和方法，该装置包括：第一容器形成有第一腔室，用于盛放第一液体；第二容器形成有第二腔室；第一连通管道连通第一腔室与第二腔室；第三容器形成有第三腔室，第三容器位于第二容器沿竖直方向背向... 详细信息

标准号: CN115229214B

一种增材制造及再制造环境温度调整装置和方法，该装置包括：第一容器形成有第一腔室，用于盛放第一液体；第二容器形成有第二腔室；第一连通管道连通第一腔室与第二腔室；第三容器形成有第三腔室，第三容器位于第二容器沿竖直方向背向地面的一侧，用于盛放第二液体，第二液体的沸点低于第一液体在常温下的温度；调温管道设置在第二容器和第三容器外，并连通第二腔室和第三腔室；第二连通管道连通第二腔室和第三腔室；换热管道至少部分容置于第二腔室，用于输送惰性气体，惰性气体用于填充在增材制造及再制造环境中。本申请的装置结构简单，对应的操作方法也简单，且能提供稳定的温度环境，控制简单，且可靠性好，不易产生降温失效的情况。

关键词：第二腔室第二容器第三容器腔室连通第一腔室惰性气体连通管道再制造盛放温度调整装置第一容器调温管道换热管道温度环境装置结构常温下沸点竖直填充制造申请

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深紫外发光二极管及其制备方法

深紫外发光二极管及其制备方法

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作者：许佼刘宇航王留毅郭登极王序进郭镇斌林建军杨云 518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

标准号: CN115548177A

关键词：深紫外发光二极管量子阱有源区半导体技术领域电子阻挡层发光稳定性发光效率使用寿命贴合设置衬底层功能层缓冲层波长波段叠层制备申请

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图案化氧化锌层的制备方法及其应用

图案化氧化锌层的制备方法及其应用

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作者：郭登极杨彦东廖健翔刘聪胡作寰高国利刘宇航林建军许佼王序进 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号

本申请提供了一种图案化氧化锌层的制备方法，该制备方法利用聚焦离子束辐照分解醋酸锌得到图案化氧化锌层，可以满足亚微米级和/或微米级尺寸的图案化氧化锌层的制备需求，且制备方法简单快捷、成本低廉。该制备方法生成的图案化氧化... 详细信息

标准号: CN117228626A

本申请提供了一种图案化氧化锌层的制备方法，该制备方法利用聚焦离子束辐照分解醋酸锌得到图案化氧化锌层，可以满足亚微米级和/或微米级尺寸的图案化氧化锌层的制备需求，且制备方法简单快捷、成本低廉。该制备方法生成的图案化氧化锌层可以用于作为种子层垂直生长氧化锌纳米棒阵列，该法制得的氧化锌纳米棒阵列的生长密度不受制约，且无需退火，适合在柔性衬底上应用。本申请还提供了该制备方法制得的图案化氧化锌层作为掩模板，采用电感耦合等离子体刻蚀法制备光栅结构的应用。

关键词：制备氧化锌层图案化氧化锌纳米棒阵列电感耦合等离子体刻蚀退火聚焦离子束垂直生长方法生成辐照分解光栅结构亚微米级醋酸锌微米级掩模板种子层衬底申请应用生长制约

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微纳结构的测量以及加工方法

微纳结构的测量以及加工方法

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作者：郭登极陈章黄海军林建军许佼伍晓宇徐斌 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号

一种微纳结构的测量方法和加工方法，测量方法包括：获得微纳结构的实时显微图像，微纳结构包括至少一个微纳单元；识别并拟合显微图像而得到微纳单元的拟合图形；测量拟合图形以获取至少一个微纳单元的尺寸和位置信息。本发明提供的微... 详细信息

标准号: CN111551112B

一种微纳结构的测量方法和加工方法，测量方法包括：获得微纳结构的实时显微图像，微纳结构包括至少一个微纳单元；识别并拟合显微图像而得到微纳单元的拟合图形；测量拟合图形以获取至少一个微纳单元的尺寸和位置信息。本发明提供的微纳结构的测量方法，通过获得微纳结构的实时显微图像，并通过识别和拟合得到与微纳单元的外形轮廓最为一致的拟合图形，测量拟合图形相当于测量对应的微纳单元，从而获得微纳单元精确的尺寸和位置信息，同时由于能够在加工的过程中执行测量方法，以便于对于微纳结构加工过程进行实时监测，有利于微纳结构的高精度加工。

关键词：微纳结构拟合测量显微图像高精度加工实时监测外形轮廓加工

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