检索结果-内蒙古大学图书馆

环境科学 2025年第3期46卷 1275-1284页

作者：李云凤汤济霖纪元元王亚飞李红高锐北京石油化工学院机械工程学院环境工程系北京102617 中国环境科学研究院环境基准与风险评估国家重点实验室北京100012

为了解北京市近年来O_(3)污染变化趋势及区域背景的贡献,基于2018~2022年北京市34个站点的O_(3)在线监测数据,对比分析了北京市及其城区点、郊区点、清洁点、区域点和交通点等不同类型点位的O_(3)浓度时序变化和超标情况,并利用美国德... 详细信息

为了解北京市近年来O_(3)污染变化趋势及区域背景的贡献,基于2018~2022年北京市34个站点的O_(3)在线监测数据,对比分析了北京市及其城区点、郊区点、清洁点、区域点和交通点等不同类型点位的O_(3)浓度时序变化和超标情况,并利用美国德克萨斯州环境质量委员会(TCEQ)提出的区域背景估算方法计算区域背景(没有前体物排放时的O_(3)浓度)和本地生成对O_(3)的贡献率.结果表明,在2018~2022年期间,2019年北京市O_(3)体积分数年评价值最高,2021年最低,2022年出现反弹;除交通点外,北京市及其他各类型点位O_(3)体积分数均呈下降趋势.各点位O_(3)月评价值最高均出现在6月,清洁点位月评价值常高于其他点位.O_(3)超标率和重度污染天数占比均呈波动变化,清洁点更易出现O_(3)重污染天.O_(3)超标天中以轻度污染为主,2020~2022年重度污染天O_(3)平均体积分数均高于2019年.为剔除NO对O_(3)“滴定”效应的影响,TCEQ法采用总氧化剂O_(x)(O_(x)=O_(3)+NO_(2))代替O_(3)进行估算,结果表明北京市区域背景和本地生成均呈下降趋势,区域背景对O_(3)的贡献明显高于本地生成;但由于光化学活动的增强,夏季区域背景的贡献有所降低.总体而言,虽然2018~2022年北京市O_(3)体积分数呈现下降趋势,但重污染天O_(3)没有表现出同样的变化趋势.为实现“十四五”基本消除重污染天气目标,并有效控制O_(3)污染,建议北京市在加强本地O_(3)前体物排放管控的同时,进一步优化京津冀及周边区域的大气污染联防联控机制,减少区域背景对O_(3)污染的贡献.

关键词：北京臭氧(O_(3)) 浓度变化区域背景本地生成

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一种能称重的超市用货篮子

一种能称重的超市用货篮子

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作者：汤济霖 061001 河北省沧州市运河区华西小区1号楼503室

一种能称重的超市用货篮子，它的主要特征是在货篮子（5）的拉杆（2）上安装固定一个弹簧秤（3），拉杆（2）的一端与一个圆柱形拉手（1）固定连接，拉杆（2）的另一端分两个分支与货篮子（5）敞口的两侧用铰链（4）活动连接，货篮子（... 详细信息

标准号: CN205589640U

一种能称重的超市用货篮子，它的主要特征是在货篮子（5）的拉杆（2）上安装固定一个弹簧秤（3），拉杆（2）的一端与一个圆柱形拉手（1）固定连接，拉杆（2）的另一端分两个分支与货篮子（5）敞口的两侧用铰链（4）活动连接，货篮子（5）的外底部安装四个万向轮（6），在超市里，人们可以拉起拉杆（2）使其竖直，再把装好物品的塑料袋挂在弹簧秤（3）的称重钩上称重，可以及时判断所挑选物品重量的多少，本实用新型主要解决了在由售货员称重包封前人们不能知道所挑选水果蔬菜等物品重量造成多买或少买的问题。

关键词：拉杆篮子称重弹簧秤超市本实用新型安装固定活动连接水果蔬菜敞口的称重钩塑料袋万向轮包封铰链拉起竖直拉手

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2023年春季供暖期后北京市大兴区VOCs污染特征与来源分析

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北京石油化工学院学报 2024年第3期32卷 58-64,70页

作者：李云凤汤济霖康圣贾雨阳王泽阳刘士博王亚飞北京石油化工学院机械工程学院环境工程系北京102617

为研究挥发性有机物(VOCs)对环境空气质量的影响,于2023年4月对北京市大兴区开展了大气中VOCs及其相关污染物的在线监测。结果表明,观测期间整体呈现温湿度较低、平均风速较小的气象特征,风速偶有升高并出现O_(3)和沙尘污染,沙尘污染期... 详细信息

为研究挥发性有机物(VOCs)对环境空气质量的影响,于2023年4月对北京市大兴区开展了大气中VOCs及其相关污染物的在线监测。结果表明,观测期间整体呈现温湿度较低、平均风速较小的气象特征,风速偶有升高并出现O_(3)和沙尘污染,沙尘污染期间PM_(2.5)、PM_(10)、NO_(2)和VOCs浓度均明显升高。VOCs平均浓度为(20.2±10.7)nL/L,其中烷烃占比最高(47%),其次是OVOCs(18%)、卤代烃(16%)、烯烃(8%)、芳香烃(7%)、炔烃(3%)和二氧化硫(1%)。臭氧生成潜势和二次有机气溶胶生成潜势计算结果表明,观测期间OVOCs、烯烃和芳香烃是影响臭氧和二次颗粒物生成的VOCs类别,其中乙醛、乙烯、丙烯、丙醛和甲苯等物种是关键VOCs物种。正交矩阵因子分析(PMF)源解析结果表明,对VOCs浓度贡献影响较大的污染源是液化石油气和生物质燃烧源,分别为36.8%和20.8%,其次是机动车尾气源、溶剂使用源、二次生成源和天然源。

关键词：挥发性有机物污染特征正交矩阵因子分析来源解析

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一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法

一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法

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作者：尹志军叶志霖崔国新汤济许启诚 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本申请提供一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法，检测方法包括：根据预设波导结构掩膜版图，通过待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺制备待测样品；所述预设波导结构掩膜版图中包括多个待测区域，每个待测区域中设置有一个微环波导和一个跑... 详细信息

标准号: CN115825016A

本申请提供一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法，检测方法包括：根据预设波导结构掩膜版图，通过待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺制备待测样品；所述预设波导结构掩膜版图中包括多个待测区域，每个待测区域中设置有一个微环波导和一个跑道波导；通过耦合光路测试所述待测样品，获取不同待测区域中波导的品质因子；根据所述品质因子拟合不同待测区域的微环波导损耗；根据所述微环波导损耗标定所述待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测结果。如此，通过不同待测区域中波导的品质因子拟合出不同待测区域的微环波导损耗，再根据所述微环波导损耗的性能，可以准确地检测出待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺是否稳定。

关键词：待测区域微环铌酸锂波导波导损耗刻蚀工艺波导薄膜品质因子波导结构待测样品掩膜版图拟合预设检测检测结果耦合光路标定制备跑道测试申请

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一种二维材料光电子芯片及其制备方法

一种二维材料光电子芯片及其制备方法

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作者：尹志军范宁崔国新叶志霖汤济许启诚 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本发明公开了一种二维材料光电子芯片及其制备方法，制备方法包括：获取待镀膜的衬底晶元；在衬底晶元表面依次制备金属薄膜和氮化硅薄膜；在具备金属镀膜和氮化硅薄膜的晶圆表面，按照预设的芯片图案区域，生长二维材料；对二维材料按... 详细信息

标准号: CN116403886A

本发明公开了一种二维材料光电子芯片及其制备方法，制备方法包括：获取待镀膜的衬底晶元；在衬底晶元表面依次制备金属薄膜和氮化硅薄膜；在具备金属镀膜和氮化硅薄膜的晶圆表面，按照预设的芯片图案区域，生长二维材料；对二维材料按照预设形状进行激光切割；在中间样品表面进行原子层沉积，在二维材料表面沉积超薄介质薄膜，使超薄介质薄膜覆盖于中间样品表面；在超薄介质薄膜的表面制备金属薄膜电极；将目标样品与印刷电路板键合，得到二维材料光电子芯片。本申请提供的的方法采用原子层沉积(ALD)技术，在二维材料表面沉积超薄介质薄膜，形成的超薄介质薄膜能够保护内部的二维材料，使二维材料不因半导体加工工艺而破坏。

关键词：二维材料超薄介质薄膜氮化硅薄膜光电子芯片原子层沉积表面沉积样品表面衬底制备半导体加工工艺金属薄膜电极制备金属薄膜印刷电路板薄膜覆盖表面制备激光切割金属镀膜晶元表面晶圆表面目标样品芯片图案预设形状镀膜键合晶元预设生长申请

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一种波导制备工艺

一种波导制备工艺

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作者：尹志军常月欣叶志霖崔国新汤济许启诚 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本发明公开了一种波导制备工艺，该工艺包括：预设波导结构掩膜版图、波导端面修整的套刻掩模版图并准备衬底；在衬底上制备波导材料层；根据所述波导结构掩膜版图，采用光刻工艺在所述波导材料层表面形成第一掩膜层以及波导材料层的第... 详细信息

标准号: CN117092751A

本发明公开了一种波导制备工艺，该工艺包括：预设波导结构掩膜版图、波导端面修整的套刻掩模版图并准备衬底；在衬底上制备波导材料层；根据所述波导结构掩膜版图，采用光刻工艺在所述波导材料层表面形成第一掩膜层以及波导材料层的第一待刻蚀区域；采用刻蚀工艺刻蚀所述波导材料层的第一待刻蚀区域，以形成波导；根据波导端面修整的套刻掩模版图，采用光刻工艺在所述波导材料层表面形成第二掩膜层以及波导材料层的第二待刻蚀区域；采用刻蚀工艺刻蚀所述波导材料层的第二待刻蚀区域，以形成新的波导端面。在刻蚀出波导之后，再对波导的端部进行一次刻蚀，将缺损较多的端部去除，从而形成更加平整的端面，降低波导的插损。

关键词：波导材料波导刻蚀区域刻蚀波导端面表面形成波导结构光刻工艺刻蚀工艺掩模版图掩膜版图掩膜层衬底套刻修整制备工艺缺损插损去除预设制备平整

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一种薄膜铌酸锂电光系数测试方法及系统

一种薄膜铌酸锂电光系数测试方法及系统

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作者：尹志军石家康叶志霖崔国新汤济许启诚 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本申请提供一种薄膜铌酸锂电光系数测试方法及系统，所述测试方法包括在薄膜铌酸锂晶体上切取样片，并在样片上制备测试结构，所述测试结构包括至少一个波导和至少两个电极，所述电极用于对所述波导施加电场；向所述波导中耦合光信号，... 详细信息

标准号: CN117740733A

本申请提供一种薄膜铌酸锂电光系数测试方法及系统，所述测试方法包括在薄膜铌酸锂晶体上切取样片，并在样片上制备测试结构，所述测试结构包括至少一个波导和至少两个电极，所述电极用于对所述波导施加电场；向所述波导中耦合光信号，并在所述电极上施加外部电压；调试外部电压，使所述测试结构中电压达到半波电压，并获取在半波电压下所述波导中的电场强度分布和光场强度分布；根据所述电场强度分布和所述光场强度分布计算所述波导中的电光重叠积分因子，并根据所述电光重叠积分因子计算得到所述薄膜铌酸锂晶体的电光系数。本申请通过上述测试方法及系统实现了对不同切向的薄膜铌酸锂的电光系数测试，且极大的提升了电光系数测试测试精度。

关键词：波导薄膜测试结构电光系数电极测试电场强度分布铌酸锂晶体半波电压积分因子强度分布外部电压电光光场测试方法及系统施加铌酸锂电光耦合光信号电场系数测试铌酸锂切取切向制备申请调试

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一种接触式光声吸收系数测量装置及方法

一种接触式光声吸收系数测量装置及方法

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作者：尹志军叶志霖汤济成钊宇常月欣沈厚军许启诚 211800 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本发明公开了一种接触式光声吸收系数测量装置及方法，测量装置包括：上压板、接触式探测器、晶体材料、垫片、下压板、隔振器；晶体材料放置于垫片上方，接触式探测器下方；接触式探测器上方连接上压板，垫片下方连接下压板，上压板与... 详细信息

标准号: CN117871421A

本发明公开了一种接触式光声吸收系数测量装置及方法，测量装置包括：上压板、接触式探测器、晶体材料、垫片、下压板、隔振器；晶体材料放置于垫片上方，接触式探测器下方；接触式探测器上方连接上压板，垫片下方连接下压板，上压板与下压板之间通过调节可紧缩装置，提供接触式传感器与晶体材料间的夹持力，接触式探测器具有弹性的传感尖端，晶体材料压紧于垫片上方时，传感尖端紧密接触晶体表面；下压板下方还连接有隔振器；使用时，聚焦的激光光束穿过晶体材料，由晶体材料吸收产生声波；接触式探测器的信号与放大器连接，通过测量放大器的输出电压，与已知吸收系数的标准晶体样品的光声电压进行对比，拟合获得待测晶体材料的吸收系数。

关键词：晶体材料接触式探测器下压板垫片上压板吸收系数隔振器传感光声吸收系数测量装置接触式传感器放大器测量放大器标准晶体测量装置激光光束紧缩装置晶体表面输出电压声波弹性的夹持力接触式拟合压紧聚焦穿过吸收

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一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法

一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法

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作者：尹志军崔国新包晓清叶志霖汤济许家荣沈厚军吕新杰许启诚 211899 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本发明公开了一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法，在铁电体晶体表面制备波导，波导通过光纤耦合方式引入主激光，采用短波长的蓝紫光或紫外光作为辅助光源，将辅助光源与铁电体晶体进行集成封装，通过辅助光源照射铁... 详细信息

标准号: CN117702278A

本发明公开了一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法，在铁电体晶体表面制备波导，波导通过光纤耦合方式引入主激光，采用短波长的蓝紫光或紫外光作为辅助光源，将辅助光源与铁电体晶体进行集成封装，通过辅助光源照射铁电体晶体；所述集成封装包括以下两种封装方法：一、保持辅助光照射与主激光传输方向同轴；二、保持辅助光照射与主激光传输方向垂直。采用短波长的蓝紫光/紫外光照射的方法，将蓝紫光/紫外光光源与铁电晶体材料进行集成封装，消除铁电晶体中的光折变效应。通过对铁电体材料进行封装，降低激光在铁电晶体中传输时产生的光折变效应。

关键词：铁电体晶体辅助光源光折变效应集成封装蓝紫光主激光封装照射传输方向铁电晶体短波长辅助光波导铁电晶体材料铁电体材料紫外光光源紫外光照射表面制备光纤耦合紫外光同轴激光垂直传输引入

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一种基于铌酸锂薄膜的偏振分束器

一种基于铌酸锂薄膜的偏振分束器

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作者：尹志军吕梦成叶志霖崔国新汤济石家康成钊宇沈厚军许启诚 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室

本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的偏振分束器，包括硅衬底、铌酸锂波导芯层、二氧化硅包层，铌酸锂波导芯层设于二氧化硅包层内部，二氧化硅包层设于硅衬底上；铌酸锂波导芯层包括依次设置的第一波导和第二波导，且第一波导和第二波导... 详细信息

标准号: CN117555075A

本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的偏振分束器，包括硅衬底、铌酸锂波导芯层、二氧化硅包层，铌酸锂波导芯层设于二氧化硅包层内部，二氧化硅包层设于硅衬底上；铌酸锂波导芯层包括依次设置的第一波导和第二波导，且第一波导和第二波导之间设有间隙，第二波导上设有氮化硅层；TM偏振光和TE偏振光耦合进第一波导中，第二波导通过氮化硅层增强TM偏振光的有效折射率，从而增大第一波导和第二波导中TM偏振光的相位失配量，使得第一波导中的TM偏振光不耦合，第一波导中的TE偏振光耦合进第二波导，实现TM偏振光和TE偏振光之间分离。本发明能避免其它双波导结构与普通铌酸锂波导不兼容的问题。

关键词：波导铌酸锂波导二氧化硅包层芯层氮化硅层硅衬底耦合偏振分束器有效折射率铌酸锂薄膜波导结构相位失配依次设置不兼容不耦合

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