检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：满振勇复旦大学

学位级别：博士

随着富勒烯的发现及其实验制备技术的日趋成熟,人们已经在实验和理论上对富勒烯的特性进行了大量的探索和研究.在表面和材料科学领域,最令人感兴趣的是富勒烯与表面相互作用所表现出来的一系列独特的性质,譬如富勒烯在碰撞过程中的稳... 详细信息

随着富勒烯的发现及其实验制备技术的日趋成熟,人们已经在实验和理论上对富勒烯的特性进行了大量的探索和研究.在表面和材料科学领域,最令人感兴趣的是富勒烯与表面相互作用所表现出来的一系列独特的性质,譬如富勒烯在碰撞过程中的稳定性、碰撞过程中的能量分配和动力学过程以及电荷转移等过程.这些特征都与单原子与表面相互作用过程有着很大的区别.因此,无认从基础研究的角度还是从富勒烯合成表面薄膜的应用方面,在原子水平研究富勒烯与表面相互作用的动力学过程成为必要 .该文用分子动力学模拟研究了富勒烯与固体表面的相互作用,通过与实验结果的比较探讨富勒烯在表面散射和沉积的物理机制.研究人员共考虑了三种富勒烯(C<,60>、C<,70>、C<,20>)和两种表面(石墨、硅).该文用分子动力学模拟研究了C<,60>与石墨表面相互作用的微观过过程,重点研究了C<,60>在石墨表面的散射过程.在实验探测中C是丰度仅低于C<,70>的一种富勒烯,该文采用Tersoff势Lennard-JONES势模拟研究了C<,70>石墨(0001)表面的相互作用过程.该文用分子动力学方法模拟低能C<,20>与(2×1)重构的硅(001)表面的相互作用.

关键词：富勒烯表面相互作用分子字模拟固体表面表面散射沉积 C C C 石墨硅计算机模拟

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C_(60)在再构的金刚石(100)表面沉积的计算机模拟研究

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复旦学报（自然科学版） 1998年第1期37卷 37-42页

作者：谢军潘正瑛满振勇复旦大学现代物理研究所上海200433

用分子动力学模拟的方法和Tersoff多体势函数对低能入射的C60分子在再构的金刚石（100）表面沉积的过程进行模拟研究．在C60初始入射能量为30eV和60eV垂直于表面入射时，入射的C60分子没有从金刚石表面反弹出来，而是与金刚石表面相互... 详细信息

用分子动力学模拟的方法和Tersoff多体势函数对低能入射的C60分子在再构的金刚石（100）表面沉积的过程进行模拟研究．在C60初始入射能量为30eV和60eV垂直于表面入射时，入射的C60分子没有从金刚石表面反弹出来，而是与金刚石表面相互吸引而导致C60分子沉积在金刚石的表面．C60分子在沉积的过程中有微弱的形变震荡现象．而入射C60的大部分能量（近70％左右）都转化为金刚石衬底的内能．

关键词：金刚石表面沉积碳60 薄膜计算机模拟

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掺镧钨酸铅晶体的EXAFS研究

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Chinese Journal of Structural Chemistry 2001年第3期20卷 214-216页

作者：林奇生冯锡淇满振勇戚泽民施潮淑中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海200050 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230039

利用EXAFS对固相合成的PbWO4多晶的W原子的近边结构进行研究，结果表明PWO晶体掺镧15% m/o后，其第一配位层的配位数增加，同时W-O键长变短，说明晶体中存在间隙氧离子。最后，讨论了间隙氧离子的结构起因以及其在发光机制方面的作用。

关键词：钨酸铅闪烁晶体掺杂 EXAFS 镧结构缺陷

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C60与吸氢金刚石(111)表面碰撞崐的模拟研究

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核技术 1998年第7期21卷 397-402页

作者：谢军潘正瑛满振勇复旦大学现代物理研究所中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

用分子动力学方法研究了Ｃ６０与吸氢的金刚石（１１１）表面碰撞特性与注入能量的大系。原子间的相互作用采用半经验的Ｂｒｅｎｎｅｒ多体势函数。结果表明，当入射能量小于２００ｅＶ时，Ｃ６０只是完整地从表面反弹；当入射能量为２... 详细信息

用分子动力学方法研究了Ｃ６０与吸氢的金刚石（１１１）表面碰撞特性与注入能量的大系。原子间的相互作用采用半经验的Ｂｒｅｎｎｅｒ多体势函数。结果表明，当入射能量小于２００ｅＶ时，Ｃ６０只是完整地从表面反弹；当入射能量为２００－３００ｅＶ时，Ｃ６０可与底靶发生化学反应；当注入能量＞３００ｅＶ时，Ｃ６０可与表面形成多个化学键而吸附在衬底表面。此外，计算机模拟计算还给出了Ｃ６０－金刚石表面碰撞的微观过程，并从原子层次研究了Ｃ６０表面沉积的成键机制。

关键词：金刚石吸氢表面表面碰撞碳60分子模拟

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井塔结构弹性与弹塑性多维地震反应分析

井塔结构弹性与弹塑性多维地震反应分析

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作者：满振勇哈尔滨建筑工程学院

学位级别：硕士

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钨酸铅晶体的本征色心和辐照诱导色心

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物理学报 2002年第2期51卷 315-321页

作者：冯锡淇林奇生满振勇廖晶莹胡关钦中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海200050

根据钨酸铅晶体 (PbWO4,简称PWO)的缺陷化学和晶体结构特点 ,用光吸收谱、广延X射线吸收精细结构 (EX AFS)和精密X射线衍射 (XRD)方法对高温退火后PWO晶体进行微结构研究 ,获得了其退火前后缺陷变化的情况 ,据此提出生成态 (as grown)... 详细信息

根据钨酸铅晶体 (PbWO4,简称PWO)的缺陷化学和晶体结构特点 ,用光吸收谱、广延X射线吸收精细结构 (EX AFS)和精密X射线衍射 (XRD)方法对高温退火后PWO晶体进行微结构研究 ,获得了其退火前后缺陷变化的情况 ,据此提出生成态 (as grown)晶体中 35 0nm本征色心吸收带起源于V-F 空穴心 ,并指出PWO中紫外区色心吸收带的强度取决于晶体中铅空位和氧空位浓度之差 :[VPb]- [VO];然后 ,结合晶体在紫外光 (UV)辐照过程中色心的转化规律和偏振吸收谱的实验结果 ,提高 42 0nm辐照诱导色心吸收带起源于V0F 双空穴心 .并对所提出的PWO晶体色心模型的合理性进行了讨论 .

关键词：钨酸铅晶体本征色心辐照诱导色心色心模型结构特点缺陷化学光吸吸收谱

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C_(20)与Si(100)-(2×1)重构表面相互作用的计算机模拟研究

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计算物理 2000年第1期17卷 65-70页

作者：满振勇冯锡淇中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海200050

用分子动力学的方法模拟研究了低能C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)重构表面的相互作用过程。将描述C、Si结构的Tersoff势和描述原子间短程排斥的KrC势相结合 ,建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型。荷能C2 0 垂直轰击到Si( 10 0... 详细信息

用分子动力学的方法模拟研究了低能C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)重构表面的相互作用过程。将描述C、Si结构的Tersoff势和描述原子间短程排斥的KrC势相结合 ,建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型。荷能C2 0 垂直轰击到Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面后 ,由于在〈110〉方向受到非对称力场的作用而产生横向的集体运动 ,改变的入射能量导致C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面最接近的垂直距离不同 ,从而受到不同的横向力场的作用而产生不同的表面运动特性。C2 0 能量耗尽后稳定吸附在Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面 ,且只有两个稳定吸附位置 ,即二聚体 (dimer)和“峡谷”(trough)位 ,这两个吸附位置的存在可用C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面之间非对称的表面力场分布来定性解释。最终C2 0与Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面有强烈的化学键形成。

关键词：碳C20 硅重构碰撞表面相互作用计算机模拟

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多体问题哈密顿量对角化新方法

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国际学术动态 1996年第4期 78-79页

作者：满振勇复旦大学物理二系

我于1996年2月21—28日参加了韩国科学技术基金会和日本科学技术促进协会联合主办的冬季学校(KOSEF-JSPS Winter School)这一学术活动,其主题是"粒子和核理论的最新进展"。与会者来自韩国、日本、美国、中国等国的100余人,包... 详细信息

我于1996年2月21—28日参加了韩国科学技术基金会和日本科学技术促进协会联合主办的冬季学校(KOSEF-JSPS Winter School)这一学术活动,其主题是"粒子和核理论的最新进展"。与会者来自韩国、日本、美国、中国等国的100余人,包括粒子和核理论领域的专家(如***,***)、青年科技工作者及研究生.会后参观了韩国著名的Tae-Duk科学城。冬季学校兼具教学和学术交流的作用,它的内容既有国际知名教授对粒子和核理论基础知识的介绍,也有与会者最新研究成果的报告,内容主要为高能物理和原子核物理领域的基础理论研究,包括QCD,夸克和超对称等方面。这次会议的内容很广博,涉及到基本粒子和校理论研究的诸多方面。

关键词：组合理论多体问题哈密顿量

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预应力双层索系的动力特性分析

预应力双层索系的动力特性分析

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第一届全国青年计算力学学术研讨会

作者：满振勇哈尔滨建筑工程学院

该文对一类典型的预应力双层索系进行了自振特性计算，并分析了不同预应力、不同矢高、不同支座高差及不同质量分布对索系动力特性的影响。从分析结果可以看出，这种屋盖体系的动力特性与平板网架的动力特性有很大差异。（本刊录）

关键词：自由振动计算力学预应力悬索结构振动分析动力特性

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Fe掺杂PZT陶瓷缺陷热稳定性对机电性能影响研究(英文)

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无机材料学报 2024年

作者：孙雨萱王政时雪史颖杜文通满振勇郑嘹赢李国荣中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院无机功能材料与器件重点实验室中国科学院大学材料科学与光电子工程中心

在PZT基压电陶瓷的Ti4+位点掺杂受主离子是一种提高机械品质因数(Qm)的方法，受主离子与氧空位结合形成缺陷偶极子，阻碍畴在外电场下的转动。但通常而言，氧空位随温度升高而迁移，缺陷偶极子因此而解耦，Qm降低。本研究发现掺杂0.40%F... 详细信息

在PZT基压电陶瓷的Ti4+位点掺杂受主离子是一种提高机械品质因数(Qm)的方法，受主离子与氧空位结合形成缺陷偶极子，阻碍畴在外电场下的转动。但通常而言，氧空位随温度升高而迁移，缺陷偶极子因此而解耦，Qm降低。本研究发现掺杂0.40%Fe2O3（摩尔分数）的PSZT陶瓷的Qm随着温度增加而异常升高(在室温下陶瓷的Qm、压电系数(d33)和居里温度(TC)分别约为507、292 pC/N和345 ℃)，最大Qm在120～160 ℃左右可达824，比室温下的值高63%，而动态压电常数(d31)仅降低了约3.9%。XRD和PFM结果表明，随着温度的升高，陶瓷内部晶面间距增加，电畴细化；TSDC表明缺陷偶极子在240 ℃以下是稳定的，细畴附近的氧空位逐渐聚集，并与温度稳定性良好的缺陷偶极子结合，增加了对畴的钉扎作用，导致Qm的增加。以上研究为压电陶瓷高温下高Qm的应用提供了一种可能性。

关键词：缺陷偶极子温度特性氧空位机电性能机械品质因数硬化掺杂

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