检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2008年第9期57卷 5806-5809页

作者：张苑赵颖蔡宁熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071

以商用金红石相TiO2粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48 h的方法合成TiO2纳米管.采用SEM,TEM,XRD分析手段对TiO2纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO2纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导... 详细信息

以商用金红石相TiO2粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48 h的方法合成TiO2纳米管.采用SEM,TEM,XRD分析手段对TiO2纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO2纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导电玻璃衬底上,并且在450℃下烧结30 min后得到可应用于染料敏化太阳电池的多孔光阳极.将此光阳极浸泡于N719染料敏化后,与镀铂对电极组装电池,两者之间灌入液态电解质,电池的有效面积为0.28 cm2.在标准氙灯模拟器下(AM1.5,100 mW/cm2)测试了电池的J-V特性,得到2.17%的光电转换效率.

关键词： TiO2纳米管染料敏化太阳电池水热法

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利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺

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光电子．激光 2011年第8期22卷 1157-1161页

作者：罗翀李娟李翔姚素英熊绍珍天津中环电子信息集团天津300384 南开大学光电子器件与技术研究所天津300071 天津大学电子信息工程学院天津300072

提出一种新型的制备CdTe太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射(XRD)、二次质子谱(SIMS)测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接... 详细信息

提出一种新型的制备CdTe太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射(XRD)、二次质子谱(SIMS)测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接触势垒的目的。实验结果表明,本文方法将传统的CdCl2后处理和形成CuxTe缓冲层工艺合二为一,制备的CdTe太阳电池含较好控制了的Cu扩散,提高了电池性能;且制备工艺简单易行,可以较显著地降低成本,适合大面积生产。

关键词： CdTe太阳电池背接触碳糊成膜法

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一维纳米TiO_2的水热法制备及其在DSCs电池中的应用

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太阳能学报 2010年第3期31卷 312-316页

作者：赵静李媛蔡宁张晓丹熊绍珍赵颖天津新华职工大学天津300040 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071

以商用P25粉末为原料,利用水热法制备了一系列不同形状的一维纳米TiO_2结构,并将该材料以不同配比与溶胶凝胶合成的TiO_2颗粒混合制备了一系列染料敏化太阳电池。通过改变P25的水热处理时间,形象地观测到TiO_2由颗粒逐渐变成一维结构的... 详细信息

以商用P25粉末为原料,利用水热法制备了一系列不同形状的一维纳米TiO_2结构,并将该材料以不同配比与溶胶凝胶合成的TiO_2颗粒混合制备了一系列染料敏化太阳电池。通过改变P25的水热处理时间,形象地观测到TiO_2由颗粒逐渐变成一维结构的演变过程。同时,实验采用了XRD、EDS对不同阶段生成物质进行了晶体结构和元素分析,综合分析提炼出TiO_2纳米结构的生成机理。研究结果还表明NaOH反应介质浓度对TiO_2纳米结构形貌的影响非常显著。其次,利用上述条件合成的一维纳米TiO_2粉末与传统的溶胶凝胶法制备类球形纳米TiO_2粉末混合,研究了其掺入比例由0%～100%(wt.)变化时,染料敏化太阳电池效率的变化规律。

关键词：染料敏化太阳电池一维纳米TiO2 水热法

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太阳电池基础与应用.第2版第2版

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丛书名：半导体科学与技术丛书

2014年

作者：朱美芳熊绍珍

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太阳能电池基础与应用

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丛书名：半导体科学与技术丛书

2009年

作者：熊绍珍朱美芳

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TFT矩阵动态检测系统

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光电子．激光 1997年第1期8卷 61-65页

作者：莫希朝王宗畔赵颖熊绍珍中山大学电子机械研究中心广州510275 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071

本文介绍了基于电荷测量原理的TFT矩阵自动检测系统。该系统可以对TFT矩阵进行多参数的检测,并可用来统计矩阵的成品率及分析TFT的动态特性。

关键词：薄膜晶体管电荷测量自动测试

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薄膜太阳电池用纳米上转换材料制备及其特性研究

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物理学报 2008年第7期57卷 4580-4584页

作者：金鑫张晓丹雷志芳熊绍珍宋峰赵颖南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130 南开大学物理学院光子学中心天津300071

以应用于薄膜太阳电池为目的,采用水热法制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠上转换荧光材料.研究了稀土离子Yb3+/Er3+单独和共同掺杂对材料的晶体结构和光学性质的影响.制备的Yb3+/Er3+共掺材料兼顾了两种稀土离子的光吸收谱,吸收980nm和... 详细信息

以应用于薄膜太阳电池为目的,采用水热法制备了掺杂稀土离子的纳米氟化钇钠上转换荧光材料.研究了稀土离子Yb3+/Er3+单独和共同掺杂对材料的晶体结构和光学性质的影响.制备的Yb3+/Er3+共掺材料兼顾了两种稀土离子的光吸收谱,吸收980nm和1530nm附近的红外光,并发出能够被薄膜太阳电池有效吸收利用的红光(653nm)和绿光(520,540nm).优化出较为合适的18%Yb3+,2%Er3+的掺杂比例,获得了具有较好上转换效果的纳米荧光颗粒材料.

关键词：薄膜太阳电池上转换氟化钇钠稀土元素

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液晶人工神经元阵列的研制

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光学学报 1997年第7期17卷 904-909页

作者：王勇竞郭转运张延忻张铁群赵颖熊绍珍南开大学现代光学研究所南开大学光电子研究所

研制了一种液晶灵巧像素光学神经元阵列器件，它利用光电混合集成技术，以非晶硅作光敏材料，以液晶实现光调制，通过特殊设计的器件结构，能实现对两束光的相减和非线性取阈等人工神经元功能。该器件具有８×８个神经元。

关键词：神经网络光学神经网络神经元液晶光阀

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用FPGA实现OLED灰度级显示

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光电子．激光 2002年第6期13卷 554-558页

作者：赵东耿卫东吴春亚陈有素熊绍珍张丽珠南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 天津机电工业学校天津300071

根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。... 详细信息

根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。分别对 32 0× 2 4 0和 6 4 0× 4 80的 OL ED屏 ,对实现 16级灰度的设计方案进行仿真 ,得到各个控制信号的时序图 ,并对此仿真结果进行了分析。结果表明 ,FP-GA设计实现的控制电路 ,能够实现 OL ED所要求的灰度级显示。该控制电路可用于无源或有源选址的OL ED显示。

关键词：有机发光二极管现场可编程门阵列子场技术灰度级发光特性

来源：评论

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电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

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光电子．激光 2004年第2期15卷 142-146页

作者：郭斌吴春亚孟志国林立杨广华李娟周祯华熊绍珍南开大学光电子所天津300071

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦... 详细信息

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly SiTFTAM OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly SiTFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly SiTFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5μA时饱和电压只有1.5～2.5V。

关键词：有机发光二极管多晶硅薄膜晶体管有源矩阵电流编程驱动电流镜 AM-OLED

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