生物传感器已经成为实时监测特定小分子和精确控制生物系统中基因表达的强大工具。用于1,4-丁二胺生物合成的高通量传感器可以极大地提高1,4-丁二胺高产菌株的筛选效率。为研究调整生物传感器特性的策略,本研究开发了一种以转录调节因子PuuR为基础的1,4-丁二胺生物传感器,其同源的操作子puuO被组装在大肠杆菌组成型启动子PgapA中,以控制下游的高能绿色荧光蛋白(superfolder green fluorescent protein,sfGFP)作为报告蛋白表达。最终该传感器在1,4-丁二胺浓度处于0–50 mmol/L时GFP/OD600值与1,4-丁二胺浓度之间能稳定地表现出线性关系。本研究采用大肠杆菌基因组中不同强度的启动子对1,4-丁二胺生物传感器进行分子改造,探究并改进基于PuuR的1,4-丁二胺生物传感器的功能性质,为高通量筛选高产1,4-丁二胺的工程菌株奠定了基础。
为了得出粮仓设计中粮堆强度和剪胀特性等关键指标,通过直剪试验研究粮堆剪切破坏面上,在竖向压力50~300 k Pa、剪切速率0.78~2.33 mm/min条件下,小麦粮堆单元体的强度和剪胀特性。结果表明:小麦粮堆单元体剪切分为弹性、塑性变形和籽...
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为了得出粮仓设计中粮堆强度和剪胀特性等关键指标,通过直剪试验研究粮堆剪切破坏面上,在竖向压力50~300 k Pa、剪切速率0.78~2.33 mm/min条件下,小麦粮堆单元体的强度和剪胀特性。结果表明:小麦粮堆单元体剪切分为弹性、塑性变形和籽粒压缩3个阶段。小麦粮堆单元体抗剪强度符合莫尔库伦强度准则,剪切速率从0.78 mm/min增大至2.33 mm/min,咬合应力从7.5 k Pa增大至12.9 k Pa,内摩擦角从38.2°变化为35.0°,剪胀角介于5.1°~4.8°之间。弹性阶段发生剪缩,最大剪缩体变小于0.4%;塑性变形阶段发生剪胀,最大剪胀体变大于最大剪缩体变,竖向压力越大最大剪胀体变越小,剪切速率越大随着压力的增大最大剪胀体变的变化越小。研究结果可用于粮仓内粮堆应力、变形的计算,为粮食仓储结构的设计提供依据。
粮仓中粮堆在装卸时存在着复杂的应力路径,为了得出复杂应力路径对粮堆模量和临界状态特性的影响规律,以及粮堆应力应变关系模型,该文在侧向应力50~300 k Pa下,进行了常规三轴压缩(conventional triaxial compression,CTC)、等p压缩(con...
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粮仓中粮堆在装卸时存在着复杂的应力路径,为了得出复杂应力路径对粮堆模量和临界状态特性的影响规律,以及粮堆应力应变关系模型,该文在侧向应力50~300 k Pa下,进行了常规三轴压缩(conventional triaxial compression,CTC)、等p压缩(constant mean normal stress compression,CMS)、三轴主动压缩(reduced triaxial compression,RTC)三轴应力路径试验,分析了应力路径和侧向压力对模量的影响和粮堆临界状态特性;修正岩土体三次曲线模型,建立了适于描述仓内小麦粮堆应力应变的模型,并通过应力路径试验结果和文献试验结果对模型的适用性进行验证。研究结果表明:各应力路径下初始模量、割线模量E50均随着侧向应力呈幂函数增长;CTC、CMS试验的割线模量E50比初始模量发生较大的降低,而RTC试验没有明显降低。在参考压力(大气压力)下,对于初始模量,CTC试验的结果最大,RTC试验的结果最小;对于割线模量E50,CTC试验的结果最小,RTC试验的结果最大。CTC试验的初始模量、割线模量均随着侧向应力增长最慢,而RTC试验的结果均随着侧向应力增长最快。不同应力路径和侧向应力下,试验的破坏点均落于同一临界状态线上,小麦粮堆临界状态应力比为0.976。修正三次曲线模型反映了粮堆强度、峰度系数和峰值应变等特性,并通过8个参数进行计算;通过应力路径试验结果和文献试验结果对该模型进行了验证。研究结果可为粮仓装卸料压力、变形的计算提供更符合实际应力路径条件的参量,建立的修正三次曲线模型可用于粮堆应力和变形的数值模拟,为粮仓的设计提供参考。
功率集成电路大致可分为两类。一类是智能功率集成电路(Smart Power IC),另一类是高压集成电路(High Voltage IC)。高压集成电路是高压电子器件与起控制作用的传统逻辑电路或模拟电路的单片集成。功率集成电路已经在马达控制、电子镇流...
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功率集成电路大致可分为两类。一类是智能功率集成电路(Smart Power IC),另一类是高压集成电路(High Voltage IC)。高压集成电路是高压电子器件与起控制作用的传统逻辑电路或模拟电路的单片集成。功率集成电路已经在马达控制、电子镇流器、汽车电子、平板显示、开关电源等领域得到了应用,预计将是发展最快、最受欢迎的功率半导体器件。
本文分析和设计了一种高压高速、适于功率MOSFET和IGBT的半桥驱动集成电路。根据应用要求进行了电路的总体结构设计,完成了施密特触发器、死区时间控制、欠压锁存、高低端驱动信号输出、脉冲产生电路、高电位平移、脉冲滤波器、RS触发器等模块电路的分析和设计。在完成原理分析与电路设计的基础上,应用Spectre仿真工具对各个电路模块进行了仿真。
由于该驱动电路中耐高压器件的特殊性,本文介绍了LDMOS中经常使用到的结终端技术和隔离技术,初步设计了适用于本电路的LDMOS,并对其结构进行了讨论。
以标准的P阱CMOS工艺为基础,参考国际上流行的BCD工艺,结合本电路的特殊性,完成了器件和电路的版图初步设计。
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