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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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文献类型

11 篇 专利
6 篇 期刊文献

馆藏范围

17 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

3 篇 工学
- 3 篇 轻工技术与工程
- 2 篇 生物工程
- 1 篇 化学工程与技术
1 篇 医学
- 1 篇 护理学（可授医学、...

主题

2 篇 发酵
1 篇 酮基葡萄糖酸
1 篇 l-苹果酸
1 篇 根霉属
1 篇 无根根霉
1 篇 人中
1 篇 l-乳酸
1 篇 菌株培养基
1 篇 普通变形杆菌
1 篇 眼压
1 篇 青光眼

机构

10 篇 长江存储科技有限...
3 篇 山西省生物研究所
1 篇 南京医学院
1 篇 广州卫生职业技术...

作者

10 篇 许芷萍
10 篇 黄欣欣
7 篇 刘松
6 篇 陈德建
6 篇 沈超
6 篇 汪文婷
3 篇 孙文敬
3 篇 蒋明珠
3 篇 谢红
3 篇 吴芷萍
3 篇 张俊贤
3 篇 许孟琴
3 篇 白照熙
2 篇 叶德丰
2 篇 张耀文
2 篇 陆玓玲
2 篇 薛夙君
2 篇 赖锦皇
2 篇 黄丽莲
2 篇 高森永

语言

17 篇 中文

检索条件"作者=许芷萍"

共 17 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

半导体制作设备

半导体制作设备

引用

作者：黄欣欣许芷萍刘松 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

本实用新型实施例公开了一种半导体制作设备，该设备包括：壳体，包括用于容纳目标物的腔体，壳体底部具有开口；支撑装置，用于承载目标物；承载有目标物的支撑装置，通过所述开口进入所述腔体内；第一类气体管道，位于所述腔体内，所... 详细信息

标准号: CN210349787U

本实用新型实施例公开了一种半导体制作设备，该设备包括：壳体，包括用于容纳目标物的腔体，壳体底部具有开口；支撑装置，用于承载目标物；承载有目标物的支撑装置，通过所述开口进入所述腔体内；第一类气体管道，位于所述腔体内，所述第一类气体管道的管道壁上设置有多个第一气孔；其中，述多个第一气孔的排列方向，与所述第一类气体管道内的第一类反应气体沿所述第一类气体管道的流动方向一致；且所述多个第一气孔的孔径，在所述第一类反应气体在所述第一类气体管道内的流动方向上逐步增大。

关键词：气体管道目标物反应气体支撑装置壳体开口体内半导体制作设备承载本实用新型方向一致排列方向逐步增大管道壁腔体流动容纳

来源：评论

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化学气相沉积方法和装置

化学气相沉积方法和装置

引用

作者：许芷萍黄欣欣 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

本发明提供了一种化学气相沉积方法和装置，所述化学气相沉积方法包括在衬底上沉积目标膜层的化学气相沉积过程；在所述化学气相沉积过程开始时，反应腔的加热温度为初值温度；在所述化学气相沉积过程结束时，反应腔的加热温度为终值温... 详细信息

标准号: CN110578132A

本发明提供了一种化学气相沉积方法和装置，所述化学气相沉积方法包括在衬底上沉积目标膜层的化学气相沉积过程；在所述化学气相沉积过程开始时，反应腔的加热温度为初值温度；在所述化学气相沉积过程结束时，反应腔的加热温度为终值温度；所述终值温度低于所述初值温度；在所述化学气相沉积过程中，所述加热温度由所述初值温度降低至所述终值温度。本发明通过引入一种新的化学气相沉积方法和装置，通过在化学气相沉积过程中引入周期性的降温过程，改善设备及晶圆面内的温度分布，提高化学气相沉积的成膜均匀性，得到低成本高质量的成膜工艺。

关键词：化学气相沉积加热方法和装置反应腔成膜均匀性沉积目标成膜工艺改善设备过程结束降温过程温度分布温度降低低成本引入衬底膜层圆面

来源：评论

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晶圆处理装置

晶圆处理装置

引用

作者：黄欣欣许芷萍董坤 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向... 详细信息

标准号: CN111916340B

本发明涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向方向间隔排布的多个喷孔，处理气体经所述喷孔传输至所述处理腔室；所述注入管中具有多个所述喷孔的区域沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影至少覆盖所述晶舟沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影，以提高所述晶舟内部气体分布的均匀性。本发明提高了处理气体在晶舟内部分布的均匀性，从而增加了所述晶舟能够同时处理的晶圆数量，提高了机台产能，并改善了晶圆处理效果。