检索结果-内蒙古大学图书馆

一、绪言最近廿年(特别近十年)以来,印制板自动光学检验问题引起人们广泛地讨论。实际上,在论述图象分析问题的一切参考书中均举例说明了印制板的检验算法。一般说印制板的各种缺陷是可以借助这些算法发现的。但这些年并未造出适合批量生产的目检设备。这可能是因为印制板层图的目检在质量和速度上尚能保证满足要求,从而使印制板生产厂家并未觉感到实行自动检验的紧迫性。然而近来情况有了变化;大规模集成电路和超大规模集成电路这些新型基础元件在设备中广为应用、电路技术已过渡到表面组装,结果是印制板导线宽度变小但布线密度增大、板的尺寸变大、层数增多。

关键词：印制电路板自动光学检验

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《星》——继承苏联战争电影传统的力作

引用

电影新作 2004年第2期 44-45页

作者：尼古拉·列别杰夫 E.格里戈里耶夫 a.鲍罗江斯基李芝芳

《星》是莫斯科电影制片厂集团公司、a.K电影制片厂、俄文化部电影局为纪念伟大的卫国战争取得胜利57周年,纪念在战争中牺牲的人们于去年5月份共同推出的描写二战的影片。据录相公司统计资料,影片上映后在2002年出售的国产影片录像中排... 详细信息

《星》是莫斯科电影制片厂集团公司、a.K电影制片厂、俄文化部电影局为纪念伟大的卫国战争取得胜利57周年,纪念在战争中牺牲的人们于去年5月份共同推出的描写二战的影片。据录相公司统计资料,影片上映后在2002年出售的国产影片录像中排行第一。二战题材再次受到俄罗斯电影创作者的重视和观众的欢迎原因首先是,近年来美国和西欧的战争题材影片,尤其是《珍珠港》和《兵临城下》的成功再次激起俄罗斯电影工作者的创作热情,因为苏联是二战的主要战胜国之一,如不将此表现出来,后代将会遗忘这一事实。著名导演米哈尔科夫就曾说过。

关键词：俄罗斯电影制片厂战争题材影片苏联人卫国战争二战题材集团公司战争电影莫斯科继承

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用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的方法和设备以及实现其的存储单元阵列

用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的方法和设备以...

引用

作者：格里戈里·a.波波夫保罗·德·尚哈米德·达格希吉安瑞士洛桑

描述了许多发明以及这些发明的许多方面和实施例,例如用于读取、写入和/或操作包括电荷存储在晶体管的主体中的电浮动体晶体管的存储单元阵列的半导体存储单元的电路和技术。在一个方面,本发明涉及存储器操作(例如恢复、写入、刷新)...

标准号: CN101238522

描述了许多发明以及这些发明的许多方面和实施例,例如用于读取、写入和/或操作包括电荷存储在晶体管的主体中的电浮动体晶体管的存储单元阵列的半导体存储单元的电路和技术。在一个方面,本发明涉及存储器操作(例如恢复、写入、刷新)的一个或多个独立可控的参数,用于向存储单元中编程或写入数据状态。在一个实施例中,该参数是向存储单元中编程或写入预定数据状态的时间量。在另一个实施例中,该可控参数是在向存储单元中编程或写入预定数据状态期间施加到栅极、漏极区域和/ 或源极区域的控制信号的电压的幅度。事实上,该可控参数可以是时间和电压幅度两者。特别地,存储单元阵列可以包括例如逻辑器件(例如微处理器)的一部分集成电路装置或一部分存储装置(例如分立的存储器)。

关键词：

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包含聚乙酸乙烯酯和颜料的含成膜物的组合物

包含聚乙酸乙烯酯和颜料的含成膜物的组合物

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作者：尼塔·a.帕特尔格里戈里·谢夫奇克苏珊娜·约贡美国纽约州

本文描述的是包含薄膜的组合物，其中所述薄膜包含颜料并且适于在使用期间的特定时间点释放所述颜料；和制作并使用所述组合物的方法。

标准号: CN105848729A

本文描述的是包含薄膜的组合物，其中所述薄膜包含颜料并且适于在使用期间的特定时间点释放所述颜料；和制作并使用所述组合物的方法。

关键词：颜料薄膜使用期间时间点释放制作

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包含聚乙酸乙烯酯和颜料的含成膜物的组合物

包含聚乙酸乙烯酯和颜料的含成膜物的组合物

引用

作者：尼塔·a.帕特尔格里戈里·谢夫奇克苏珊娜·约贡美国纽约州

本文描述的是包含薄膜的组合物，其中所述薄膜包含颜料并且适于在使用期间的特定时间点释放所述颜料；和制作并使用所述组合物的方法。

标准号: CN105848729B

本文描述的是包含薄膜的组合物，其中所述薄膜包含颜料并且适于在使用期间的特定时间点释放所述颜料；和制作并使用所述组合物的方法。

关键词：颜料薄膜使用期间时间点释放制作

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用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的设备

用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的设备

引用

作者：格里戈里·a.波波夫保罗·德·尚哈米德·达格希吉安美国爱达荷州

描述了许多发明以及这些发明的许多方面和实施例，例如用于读取、写入和/或操作包括电荷存储在晶体管的主体中的电浮动体晶体管的存储单元阵列的半导体存储单元的电路和技术。在一个方面，本发明涉及存储器操作(例如恢复、写入、刷新)... 详细信息

标准号: CN101238522B

描述了许多发明以及这些发明的许多方面和实施例，例如用于读取、写入和/或操作包括电荷存储在晶体管的主体中的电浮动体晶体管的存储单元阵列的半导体存储单元的电路和技术。在一个方面，本发明涉及存储器操作(例如恢复、写入、刷新)的一个或多个独立可控的参数，用于向存储单元中编程或写入数据状态。在一个实施例中，该参数是向存储单元中编程或写入预定数据状态的时间量。在另一个实施例中，该可控参数是在向存储单元中编程或写入预定数据状态期间施加到栅极、漏极区域和/或源极区域的控制信号的电压的幅度。事实上，该可控参数可以是时间和电压幅度两者。特别地，存储单元阵列可以包括例如逻辑器件(例如微处理器)的一部分集成电路装置或一部分存储装置(例如分立的存储器)。

关键词：存储单元编程存储单元阵列存储器数据状态晶体管半导体存储单元集成电路装置微处理器存储装置电荷存储电压幅度控制信号逻辑器件写入数据到栅极浮动体时间量漏极源极电压电路刷新

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