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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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20 篇 管理学
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18 篇 经济学
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- 1 篇 法学
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- 12 篇 教育学
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- 3 篇 艺术学理论
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2 篇 哲学
- 2 篇 哲学

主题

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4 篇 墨西哥
4 篇 拉丁美洲
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3 篇 卡斯特罗
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3 篇 中国
3 篇 非营利
3 篇 南美洲
3 篇 罗德里格斯
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3 篇 马德里
3 篇 社会主义
3 篇 美利坚合众国
3 篇 西班牙
3 篇 北美洲
3 篇 发展历程

机构

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54 篇 英飞凌科技股份有...
54 篇 英特尔公司
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45 篇 安赛乐米塔尔公司
44 篇 弗·哈夫曼-拉罗切...
42 篇 默克专利有限公司
41 篇 通用电气公司
38 篇 福特全球技术公司
38 篇 罗伯特·博世有限公...
37 篇 微软技术许可有限...
37 篇 遗传工程与生物技...
36 篇 数字标记公司
31 篇 巴斯夫欧洲公司
29 篇 纳幕尔杜邦公司
29 篇 3m创新有限公司
28 篇 分子免疫中心
27 篇 皇家飞利浦有限公...

作者

102 篇 安东尼奥·罗德里格...
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71 篇 r·罗德里格斯
71 篇 j·罗德里格斯
58 篇 g·罗德里格斯
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51 篇 a·罗德里格斯
51 篇 m·罗德里格斯
42 篇 拉拉-伊莎贝尔·罗...
42 篇 k·a·罗德里格斯
42 篇 余锦泽
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31 篇 f.j.桑托斯罗德里...
31 篇 塞巴斯汀·迈耶
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27 篇 a·w·托马斯

语言

4,294 篇 中文
5 篇 英文

检索条件"作者=a.罗德里格斯罗德里格斯"

共 4299 条记录，以下是91-100 订阅

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详细简洁

排序：

用于求取驾驶行为的方法和设备

用于求取驾驶行为的方法和设备

引用

作者： P·鲍库茨 H·马丁罗德里格斯德国斯图加特

本发明涉及一种用于求取车辆的驾驶员的驾驶行为的方法，该方法包括以下步骤：检测(100)加速度传感器的三维信号，其中，该三维信号包括在各个独立的空间方向上的加速度值；计算(200)三维信号的特征参量；基于该特征参量通过输出设备输... 详细信息

标准号: CN110997441B

本发明涉及一种用于求取车辆的驾驶员的驾驶行为的方法，该方法包括以下步骤：检测(100)加速度传感器的三维信号，其中，该三维信号包括在各个独立的空间方向上的加速度值；计算(200)三维信号的特征参量；基于该特征参量通过输出设备输出(300)驾驶行为，其中，该特征参量是驾驶行为的攻击性的度量，其中，该特征参量包括三维信号的嵌入的分形维数和/或所述三维信号的柯尔莫哥洛夫熵。

关键词：三维信号特征参量驾驶行为加速度传感器分形维数空间方向输出设备嵌入的度量输出检测

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占地面积小的多用途SPECT系统

占地面积小的多用途SPECT系统

引用

作者： a.H·维贾 M·罗德里格斯 D·史蒂贝尔美国宾夕法尼亚州

一种系统和方法包括：基于在探测器被设置在相对于受试者的第一位置时由探测器探测到的第一伽马射线的受试者的第一断层图像的生成；基于在探测器被设置在相对于受试者的第二位置时由探测器探测到的第二伽马射线的受试者的第二断层图像... 详细信息

标准号: CN118354720A

一种系统和方法包括：基于在探测器被设置在相对于受试者的第一位置时由探测器探测到的第一伽马射线的受试者的第一断层图像的生成；基于在探测器被设置在相对于受试者的第二位置时由探测器探测到的第二伽马射线的受试者的第二断层图像的生成；在第一断层图像和第二断层图像中描绘的受试者的一个或多个结构的识别；以及基于第一断层图像、第二断层图像和识别出的一个或多个结构的合成断层图像的生成。

关键词：断层图像探测器伽马射线探测第二位置第一位置合成描绘

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至少部分地基于平台电容来控制处理器的电流消耗

至少部分地基于平台电容来控制处理器的电流消耗

引用

作者： a.N·阿南塔克里什南 J·P·罗德里格斯美国加利福尼亚州

在一个实施例中，处理器包括：至少一个核，用于执行指令；功率控制器，用于控制处理器的功耗；以及存储，用于存储多个条目，所述多个条目用于将动态电容与电流尖峰将暴露至功率递送组件所持续的持续时间相关联。描述并要求保护其他实... 详细信息

标准号: CN109478086B

在一个实施例中，处理器包括：至少一个核，用于执行指令；功率控制器，用于控制处理器的功耗；以及存储，用于存储多个条目，所述多个条目用于将动态电容与电流尖峰将暴露至功率递送组件所持续的持续时间相关联。描述并要求保护其他实施例。

关键词：多个条目存储功率控制器控制处理器电流尖峰动态电容功率递送处理器功耗指令关联暴露

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共轭二烯系共聚物以及共轭二烯系共聚物的制造方法

共轭二烯系共聚物以及共轭二烯系共聚物的制造方法

引用

作者：青岛纮罗德里格斯·卡斯塔农·杰西滨久胜日本东京

本发明提供了一种共轭二烯系共聚物，其具有热可逆地进行断裂‑形成的共价键，在通过凝胶渗透色谱法在40℃和60℃测定的分子量分布曲线中，具有至少2个峰，在60℃测定的分子量最低的峰的面积比例相对于在40℃测定的分子量最低的峰的面积... 详细信息

标准号: CN113748134B

本发明提供了一种共轭二烯系共聚物，其具有热可逆地进行断裂‑形成的共价键，在通过凝胶渗透色谱法在40℃和60℃测定的分子量分布曲线中，具有至少2个峰，在60℃测定的分子量最低的峰的面积比例相对于在40℃测定的分子量最低的峰的面积比例的变化率为2％以上。

关键词：共轭二烯系共聚物分子量分布曲线凝胶渗透色谱法变化率共价键热可逆断裂

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用于高度多重定量PCR的循环多重分析

用于高度多重定量PCR的循环多重分析

引用

作者： D·Y·张张克柔 L·罗德里格斯美国得克萨斯州

本发明描述了通过使用循环多重分析允许对样品中的DNa.列进行高度多重定量PCR(qPCR)检测的混合物和方法，其中在qPCR反应过程中增加的不同荧光信号的排列被用于识别DNa.析物的存在。

标准号: CN116981781A

关键词：多重定量多重分析荧光信号混合物检测

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用于带柔性电路电极的灌注式电生理学球囊导管的增强件和应力消除件

用于带柔性电路电极的灌注式电生理学球囊导管的增强件和应力消除...

引用

作者： J·希门尼斯 a.武 J·罗德里格斯以色列约克尼姆

本公开发明了一种导管球囊，该导管球囊包括具有近侧端部和远侧端部的膜。多个基底围绕该膜粘合。通过使用增强件或应力消除件能够提高粘合剂在使用过程中承受重复应力的能力，同时还能够使该球囊靠近其远侧端部的总体厚度最小化。该增... 详细信息

标准号: CN115886981A

本公开发明了一种导管球囊，该导管球囊包括具有近侧端部和远侧端部的膜。多个基底围绕该膜粘合。通过使用增强件或应力消除件能够提高粘合剂在使用过程中承受重复应力的能力，同时还能够使该球囊靠近其远侧端部的总体厚度最小化。该增强件能够包括未组装的膜的一部分。另选地，该增强件能够包括粘性边沿末端。该应力消除件能够是基底的远侧尾部的蛇形部分。

关键词：增强件应力消除件导管球囊远侧端部基底粘合剂近侧端部蛇形最小化粘合球囊组装重复

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组合的低频和高频电流传感器

组合的低频和高频电流传感器

引用

作者： a.贾库皮 R.B.艾萨克森 C.R.罗德里格斯美国马萨诸塞州

本发明的示例性实施例包括一种粉末状芯珠体，其配置为对具有高频的电力线中的电流信号变成电感性阻抗。信号可由高频电压传感器检测，该传感器配置为向电弧故障跳闸电路输出电弧故障跳闸指示。珠体包括嵌入在珠体的空气腔中的磁通量密... 详细信息

标准号: CN111289792B

本发明的示例性实施例包括一种粉末状芯珠体，其配置为对具有高频的电力线中的电流信号变成电感性阻抗。信号可由高频电压传感器检测，该传感器配置为向电弧故障跳闸电路输出电弧故障跳闸指示。珠体包括嵌入在珠体的空气腔中的磁通量密度感测装置，该装置具有基本垂直于珠体的周缘定向的磁场感测表面。珠体配置成为电力线中具有低频的电流提供通过磁通量密度感测装置的可测量的磁通量。可由低频磁通量密度感测装置检测可测量的磁通量，以输出用于功率计量装置的低频电流测量或确定受保护分支内的功率消耗。

关键词：磁通量珠体感测装置电弧故障电力线可测量传感器检测传感器配置电感性阻抗低频电流电流提供电流信号感测表面高频电压功率计量功率消耗跳闸电路跳闸指示输出空气腔受保护配置芯珠磁场嵌入测量垂直检测

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用于制造碳化硅半导体构件的方法

用于制造碳化硅半导体构件的方法

引用

作者： H·罗德里格斯阿尔瓦雷斯 J-H·阿尔斯迈尔德国斯图加特

本发明涉及一种用于制造碳化硅半导体构件的方法(100)，所述碳化硅半导体构件具有单晶碳化硅衬底和多晶碳化硅衬底，其中，所述单晶碳化硅衬底具有在50μm与100μm之间的范围内的衬底厚度，所述方法包括以下步骤：借助物理气相沉积将硅... 详细信息

标准号: CN117642841A

本发明涉及一种用于制造碳化硅半导体构件的方法(100)，所述碳化硅半导体构件具有单晶碳化硅衬底和多晶碳化硅衬底，其中，所述单晶碳化硅衬底具有在50μm与100μm之间的范围内的衬底厚度，所述方法包括以下步骤：借助物理气相沉积将硅层施加(105)到所述多晶碳化硅衬底上；借助另外的物理气相沉积将锗层施加(110)到所述单晶碳化硅衬底上；借助于第一激光器连接(115)所述硅层和所述锗层，其中，激光束穿过所述多晶碳化硅衬底被耦合输入，并且产生由硅和锗构成的连接层；在所述单晶碳化硅衬底上或在所述单晶碳化硅衬底内产生(120)所述碳化硅半导体构件的有效区域，其中，借助于具有约350nm的波长和0.5J/cm²至5J/cm²的能量密度的第二激光器执行高温过程；将玻璃衬底施加(125)到所述碳化硅半导体构件的有效区域上，其中，所述玻璃衬底借助粘附层与所述有效区域连接；和借助于第三激光器去除(130)所述连接层，其中，激光束穿过所述多晶碳化硅衬底被耦合输入。