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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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163 篇 专利

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14 篇 安赛乐米塔尔公司
8 篇 巴斯夫欧洲公司
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7 篇 法马马有限公司
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4 篇 李尔公司
4 篇 奥维耶多大学
4 篇 加泰罗尼亚理工大...
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3 篇 雷普索尔有限公司
3 篇 生物法布里公司
3 篇 bsh家用电器有限公...
3 篇 用于组织工程和细...
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3 篇 波音公司
3 篇 吉利德生物制剂公...
2 篇 柑橘病虫害预防基...

作者

13 篇 马科斯·佩雷斯罗德...
12 篇 西瓦桑布·博姆
12 篇 阿尔瓦罗·曼洪费尔...
8 篇 v·史密斯
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8 篇 h·罗德里格斯
7 篇 马里亚德尔卡门·库...
7 篇 马里亚·加兰索·加...
7 篇 伊莎贝尔·迪贡·华...
7 篇 弗朗西斯科·桑切斯...
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7 篇 罗伯托·苏亚雷斯桑...
7 篇 卡门·穆尔西亚·佩...
7 篇 阿尔韦托·罗德里格...
6 篇 埃布尔·阿尔瓦雷斯...
6 篇 p·范瓦拉西拉
6 篇 v·e·巴里
6 篇 a·k·霍尔泽
6 篇 大保三穗

语言

163 篇 中文

检索条件"作者=h·罗德里格斯阿尔瓦雷斯"

共 163 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

用于在碳化硅衬底的结晶学C侧上产生欧姆接触部的方法和欧姆接触部

用于在碳化硅衬底的结晶学C侧上产生欧姆接触部的方法和欧姆接触部

引用

作者： h·罗德里格斯阿尔瓦雷斯 J-h.阿尔斯迈尔德国斯图加特

一种用于在碳化硅衬底的结晶学C侧上产生欧姆接触部的方法(100)，所述方法具有以下步骤：将层堆叠施加(110)到所述碳化硅衬底的结晶学C侧上，其中，所述层堆叠包括至少一个具有锗的半导体层和至少一个金属层；以及，产生(120)所述层堆... 详细信息

标准号: CN115335964A

一种用于在碳化硅衬底的结晶学C侧上产生欧姆接触部的方法(100)，所述方法具有以下步骤：将层堆叠施加(110)到所述碳化硅衬底的结晶学C侧上，其中，所述层堆叠包括至少一个具有锗的半导体层和至少一个金属层；以及，产生(120)所述层堆叠的逐点液相，其中，借助激光束扫描所述层堆叠的表面。

关键词：层堆叠碳化硅衬底激光束扫描欧姆接触部半导体层金属层点液施加

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用于制造碳化硅半导体构件的方法

用于制造碳化硅半导体构件的方法

引用

作者： h·罗德里格斯阿尔瓦雷斯 J-h.阿尔斯迈尔德国斯图加特

本发明涉及一种用于制造碳化硅半导体构件的方法(100)，所述碳化硅半导体构件具有单晶碳化硅衬底和多晶碳化硅衬底，其中，所述单晶碳化硅衬底具有在50μm与100μm之间的范围内的衬底厚度，所述方法包括以下步骤：借助物理气相沉积将硅... 详细信息

标准号: CN117642841A

本发明涉及一种用于制造碳化硅半导体构件的方法(100)，所述碳化硅半导体构件具有单晶碳化硅衬底和多晶碳化硅衬底，其中，所述单晶碳化硅衬底具有在50μm与100μm之间的范围内的衬底厚度，所述方法包括以下步骤：借助物理气相沉积将硅层施加(105)到所述多晶碳化硅衬底上；借助另外的物理气相沉积将锗层施加(110)到所述单晶碳化硅衬底上；借助于第一激光器连接(115)所述硅层和所述锗层，其中，激光束穿过所述多晶碳化硅衬底被耦合输入，并且产生由硅和锗构成的连接层；在所述单晶碳化硅衬底上或在所述单晶碳化硅衬底内产生(120)所述碳化硅半导体构件的有效区域，其中，借助于具有约350nm的波长和0.5J/cm²至5J/cm²的能量密度的第二激光器执行高温过程；将玻璃衬底施加(125)到所述碳化硅半导体构件的有效区域上，其中，所述玻璃衬底借助粘附层与所述有效区域连接；和借助于第三激光器去除(130)所述连接层，其中，激光束穿过所述多晶碳化硅衬底被耦合输入。

关键词：衬底单晶碳化硅碳化硅半导体碳化硅多晶有效区域激光器物理气相沉积激光束连接层施加耦合硅层锗层玻璃穿过高温过程粘附层波长去除制造

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用于形成电接触的方法和用于形成半导体装置的方法

用于形成电接触的方法和用于形成半导体装置的方法

引用

作者： h·罗德里格斯阿尔瓦雷斯 J-h.阿尔斯迈尔德国斯图加特

本发明涉及一种用于形成电接触(16)的方法。该方法包括利用具有含有镍或镍化合物的磨削面的磨削盘磨削碳化硅表面(101)，使得来自所述磨削面的镍或镍化合物的颗粒(12)沉积(210)在经磨削的碳化硅表面中；和借助激光器对所述经磨削的碳化... 详细信息

标准号: CN114746983A

本发明涉及一种用于形成电接触(16)的方法。该方法包括利用具有含有镍或镍化合物的磨削面的磨削盘磨削碳化硅表面(101)，使得来自所述磨削面的镍或镍化合物的颗粒(12)沉积(210)在经磨削的碳化硅表面中；和借助激光器对所述经磨削的碳化硅表面(101g)进行回火，使得沉积的镍颗粒(12)的至少一部分与碳化硅的硅形成(220)硅化镍。

关键词：磨削碳化硅表面镍化合物沉积激光器电接触硅化镍磨削盘镍颗粒碳化硅回火

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检查辊子和运动传动元件的方法

检查辊子和运动传动元件的方法

引用

作者： A·N·罗德里格斯罗德里格斯 M·J·阿尔瓦雷斯-卡萨里戈阿尔瓦雷斯 D·布兰科戈梅斯法国库伯瓦

本发明涉及一种用于检查输送装置的辊子的方法，所述滚动装置被驱动到限定的线速度，所述方法包括以下步骤：‑携带表面速度测量设备；‑对于多个辊子中的每一个，·将测量设备指向辊子的位置，以获得代表该辊子的速度的一系列值；... 详细信息

标准号: CN118176425A

本发明涉及一种用于检查输送装置的辊子的方法，所述滚动装置被驱动到限定的线速度，所述方法包括以下步骤：‑携带表面速度测量设备；‑对于多个辊子中的每一个，·将测量设备指向辊子的位置，以获得代表该辊子的速度的一系列值；·计算代表该辊子的速度的一系列值的平均值；·将代表该辊子的速度的平均值与线速度进行比较，以获得系数K；·将代表速度的一系列值中的每个值乘以其系数K，以获得速度的修正值；‑使用代表速度的所述修正值来确定速度变化，以检查辊子。

关键词：辊子表面速度测量测量设备滚动装置输送装置速度变化指向检查驱动携带

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散热器材料

散热器材料

引用

作者：克里斯蒂娜·布兰科罗尔丹埃布尔·阿尔瓦雷斯-阿尔瓦雷斯大卫·诺列加佩雷斯豪尔赫·罗德里格斯加西亚马科斯·佩雷斯罗德里格斯罗伯托·苏亚雷斯桑切斯卢森堡卢森堡市

本发明涉及一种用于制造散热器的方法，该方法包括以下步骤：i.将粘合剂沉积在至少一个石墨层的主表面上，以获得涂覆有粘合剂层的至少一个石墨层，其中，ii.将涂覆有粘合剂层的所述至少一个石墨层定位在彼此的顶部上，以便形成石墨层... 详细信息

标准号: CN117941042A

本发明涉及一种用于制造散热器的方法，该方法包括以下步骤：i.将粘合剂沉积在至少一个石墨层的主表面上，以获得涂覆有粘合剂层的至少一个石墨层，其中，ii.将涂覆有粘合剂层的所述至少一个石墨层定位在彼此的顶部上，以便形成石墨层和粘合剂层交替的第一层堆叠件；iii.将厚度为10μm至200μm的石墨层定位在所述第一层堆叠件上以便形成第二层堆叠件，其中石墨层作为顶层和底层；iv.用7MPa至20MPa的压力对所述第二层堆叠件进行压缩，以形成石墨基层压件；v.对所述石墨基层压件进行加热，以便除去粘合剂的溶剂。

关键词：石墨层粘合剂层石墨基层粘合剂层堆叠第一层堆叠件涂覆压件散热器交替的主表面顶层溶剂沉积加热压缩制造

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诱导植物对细菌病害耐受性的方法

诱导植物对细菌病害耐受性的方法

引用

作者： h.克勒 T·R·巴迪奈里 M-A·塔瓦雷斯-罗德里格斯德国路德维希港

本发明涉及一种诱导植物对细菌病害耐受性的方法,其包括用有效量的如下化合物的以协同增效有效量的组合处理植物、土壤或种子：式(I) 的化合物,其中X为卤素、烷基或三氟甲基；m为0或1；Q为 C(＝Ch.Ch.)-COOCh.、C(＝Ch.OCh.)-COOCh.、...

标准号: CN101400260

本发明涉及一种诱导植物对细菌病害耐受性的方法,其包括用有效量的如下化合物的以协同增效有效量的组合处理植物、土壤或种子：式(I) 的化合物,其中X为卤素、烷基或三氟甲基；m为0或1；Q为 C(＝Ch.Ch.)-COOCh.、C(＝Ch.OCh.)-COOCh.、 C(＝N-OCh.)-CONh.h.、C(＝N-OCh.)-COOCh.、N(-OCh.)-COOCh. 或基团Q1,其中#表示与苯环连接点；A为-O-B、-Ch.O-B、-OCh.-B、 -Ch.S-B、-Ch.Ch.B、-CC-B、-Ch.O-N＝C(R1)-B、-Ch.S-N＝C(R1)-B、 -Ch.O-N＝C(R1)-Ch.Ch.B或-Ch.O-N＝C(R1)-C(R2)＝N-OR3,其中B为苯基、萘基、含1-3个N原子和/或1个O或S原子或1或2个O和/或S 原子的5或6元杂芳基或5或6元杂环基,其中环体系未被取代或如说明书中所定义被取代；R1为氢、氰基、烷基、卤代烷基、环烷基、烷氧基或烷硫基；R2为苯基、苯基羰基、苯基磺酰基、5或6元杂芳基、5或6 元杂芳基羰基或5或6元杂芳基磺酰基,其中环体系未被取代或由1-3个基团Ra取代,C1-C10烷基、C3-C6环烷基、C2-C10链烯基、C2-C10炔基、 C1-C10烷基-羰基、C2-C10链烯基羰基、C3-C10炔基羰基、C1-C10烷基磺酰基或C(＝NORA)-RB,其中这些基团的烃基未被取代或如说明书所定义被取代；R3为氢、C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基,其中这些基团的烃基未被取代或如说明书所定义被取代；以及如说明书所定义的第二种活性化合物；其被植物或种子吸收。

关键词：

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通过激光电弧复合焊接来制造焊接接头的方法

通过激光电弧复合焊接来制造焊接接头的方法

引用

作者：阿尔瓦罗·曼洪费尔南德斯西瓦桑布·博姆马科斯·佩雷斯罗德里格斯西班牙马德里

本发明涉及用于制造焊接接头的方法，所述方法包括以下顺序步骤：I.提供至少两个金属基材，其中至少一个金属基材为钢基材，所述钢基材具有至少8mm的厚度并且由至少一个斜边界定，其中所述斜边至少部分地涂覆有包含钛酸盐和纳米颗粒氧... 详细信息

标准号: CN116438035A

本发明涉及用于制造焊接接头的方法，所述方法包括以下顺序步骤：I.提供至少两个金属基材，其中至少一个金属基材为钢基材，所述钢基材具有至少8mm的厚度并且由至少一个斜边界定，其中所述斜边至少部分地涂覆有包含钛酸盐和纳米颗粒氧化物的预涂层，所述纳米颗粒氧化物选自TiO₂、SiO₂、ZrO₂、Y₂O₃、Al₂O₃、MoO₃、CrO₃、CeCO₂、La₂O₃及其混合物，以及II.通过处于引导电弧配置的激光电弧复合焊接将至少两个金属基材沿至少部分经涂覆的斜边进行焊接。