检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2023年第12期57卷 2357-2365页

作者：王磊韩丹蔡毓龙崔帅曹荣幸李红霞薛玉雄扬州大学电气与能源动力工程学院江苏扬州225127 国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心北京102413 中国科学院微小卫星创新研究院上海201203

随着遥感卫星对观测精度需求的增长,国内外积极探索新型高效质子防护材料。为研究聚乙烯掺杂碳纳米管屏蔽质子效能,本文利用Geant4软件开展质子屏蔽仿真,探究碳纳米管掺杂浓度、管壁直径、排布方式和管壁层数对复合材料质子屏蔽效能的... 详细信息

随着遥感卫星对观测精度需求的增长,国内外积极探索新型高效质子防护材料。为研究聚乙烯掺杂碳纳米管屏蔽质子效能,本文利用Geant4软件开展质子屏蔽仿真,探究碳纳米管掺杂浓度、管壁直径、排布方式和管壁层数对复合材料质子屏蔽效能的影响规律,并与纯聚乙烯进行对比分析。结果表明,质子屏蔽效能对掺杂浓度、管壁直径和排布方式较敏感,受管壁层数影响相对较小;在高掺杂浓度、大管壁直径和规则排布的情况下,复合材料表现出更优异的质子屏蔽效能;相同质量厚度下,碳纳米管掺杂浓度为10%和20%的复合材料质子屏蔽后的电离剂量分别比纯聚乙烯最大降低了7.40%和12.83%。本文研究结果为辐射防护材料设计提供了数据支撑。

关键词：碳纳米管阵列 PE/CNT复合材料质子屏蔽效能 Geant4模拟

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一种基于^(103)Rh(n,n′)^(103)Rh^m反应的快中子注量监测方法

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核技术 2017年第1期40卷 30-37页

作者：李达陈达江新标祁铁涛于青玉余小任张继红张文首西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 南京航空航天大学核科学与工程系南京210016

给出了一种基于^(103)Rh(n,n′)^(103)Rh^m反应监测快中子注量的方法。根据干扰核素半衰期不同的特点,选取合适的冷却和测量时间,降低了^(103)Rh(n,n′)^(103)Rh^m活化率测量中干扰核素的影响。根据152Eu标定实验结果,利用遗传算法优化... 详细信息

给出了一种基于^(103)Rh(n,n′)^(103)Rh^m反应监测快中子注量的方法。根据干扰核素半衰期不同的特点,选取合适的冷却和测量时间,降低了^(103)Rh(n,n′)^(103)Rh^m活化率测量中干扰核素的影响。根据152Eu标定实验结果,利用遗传算法优化探测器尺寸,建立探测器蒙特卡罗算法模型。利用模型校正^(99)Mo-^(99)Tcm放射源实验效率,解决了探测器效率标定和射线自吸收问题。开展了快中子注量监测,实验结果与铁、硫、镍等快中子监测箔一致性较好,测量不确定度约为13.1%。

关键词：快中子注量中子能谱不确定度分析活化箔西安脉冲堆

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弱光触发30kV/50A砷化镓光电导开关的特性研究

弱光触发30kV/50A砷化镓光电导开关的特性研究

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作者：段丹妮西安理工大学

学位级别：硕士

随着脉冲功率技术的应用领域逐渐扩大,对光电导开关有了更高的要求,用微焦量级的弱光触发光电导开关产生超快电脉冲更是本领域的研究热点。本文从砷化镓光电导开关(GaAs photo-conductive semiconductor switches,GaAs PCSS)的结构以及... 详细信息

随着脉冲功率技术的应用领域逐渐扩大,对光电导开关有了更高的要求,用微焦量级的弱光触发光电导开关产生超快电脉冲更是本领域的研究热点。本文从砷化镓光电导开关(GaAs photo-conductive semiconductor switches,GaAs PCSS)的结构以及特性出发,研制了在高偏置电压下光电导开关的合适间隙值及芯片形状。要求光电导开关工作在30kV及以上的偏置电压中,因此采用绝缘油来作为进一步的绝缘措施,有效提高了 11mm异面光电导开关的耐压值至45kV。采用光纤耦合的激光二极管(Laser Diode,LD)作为触发光源,偏置电压值高达35kV时光电导开关输出幅值不大,且处于线性工作模式。使开关进入非线性的因素,分析发现与触发光能值的光能密度有关,增大光电导开关的触发光能密度为原来的两倍。采用脉冲纳秒激光器作为触发光源,开关进入非线性并成功输出高达61.1A的电流幅值。根据进入非线性的载流子密度阈值计算最小光能密度,与实验结果基本相符。其中出现回路电阻值小于串联电阻的现象,猜测是因为电阻阻值会因磁场的变化从而发生变化引起的。且开关的导通电阻值非常小,仅在亚欧姆量级。

关键词：砷化镓光电导开关耐高压绝缘 LD触发光能密度非线性

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多方向加权方法在D-T聚变中子能谱测量中的应用

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辐射防护 2017年第5期37卷 341-346页

作者：王冠鹰韩然欧阳晓平华北电力大学核科学与工程学院北京102206 北京卫星环境工程研究所北京100029 西北核技术研究所西安710024

中子能谱是研究和诊断核反应过程特性最重要的特征量之一。建立了一种新的多方向加权方法用于D-T聚变中子能谱测量:在反冲质子出射方向的多个不同角度上,同时布置探测器,最终的中子能谱由各方向所获取的反冲质子能谱结合相应的权重值确... 详细信息

中子能谱是研究和诊断核反应过程特性最重要的特征量之一。建立了一种新的多方向加权方法用于D-T聚变中子能谱测量:在反冲质子出射方向的多个不同角度上,同时布置探测器,最终的中子能谱由各方向所获取的反冲质子能谱结合相应的权重值确定。Geant4模拟结果显示,多方向加权方法可以提升探测效率和求解结果精度。利用多方向加权方法对高斯分布中子源以及实际的D-T聚变中子能谱进行测量模拟与求解分析,分析结果验证了该方法的可行性和有效性。

关键词：中子能谱 D-T聚变多方向加权方法 Geant4

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避雷针防护概率数值评估方法

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中国舰船研究 2023年第2期18卷 194-203页

作者：王帮勇陆佳骏祁德张旭东曹斌郭俊谢彦召西安交通大学电气工程学院陕西西安710049 中国船舶及海洋工程设计研究院上海200011

[目的]针对传统避雷针防护效能评估方法难以对其防护概率进行高效评估的现状,基于电气几何模型和引雷空间理论发展一种避雷针防护概率数值评估高效算法,实现避雷针对空间任意点防护概率的高效计算。[方法]首先,根据上下行先导的拦截过... 详细信息

[目的]针对传统避雷针防护效能评估方法难以对其防护概率进行高效评估的现状,基于电气几何模型和引雷空间理论发展一种避雷针防护概率数值评估高效算法,实现避雷针对空间任意点防护概率的高效计算。[方法]首先,根据上下行先导的拦截过程确定避雷针与保护物的引雷空间边界;然后,再由雷击距画出受雷曲面与暴露弧,通过分析受雷曲面和暴露弧的不同特征,量化评估避雷针的引雷风险与接闪效能;最后,综合避雷针引雷与防雷两方面特性建立防护概率的数值评估模型。为检验该方法的准确性,分析避雷针防护概率变化的一般规律,并将结果与已有的分析方法进行对比。[结果]结果表明,该方法的评估结果与经典雷电先导发展模型理论的雷击模拟结果相符。[结论]该方法量化程度高,可以实现避雷针对空间任一点防护概率的高效计算,有助于防雷设计工作。

关键词：避雷针引雷空间防护概率数值评估

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空间质子辐射有效剂量测量的闪烁探测器理论设计

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核技术 2016年第12期39卷 28-32页

作者：张守杰江新标李达余小任苗亮亮马燕西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

有效剂量可解决航天员在空间飞行中所受质子辐射的危害比较与评价问题,在空间辐射危害评价中具有重要应用。为实现空间质子辐射有效剂量监测,针对空间各向同性质子辐射,利用蒙特卡罗程序设计了一种闪烁探测器。通过对探测器结构的特殊设... 详细信息

有效剂量可解决航天员在空间飞行中所受质子辐射的危害比较与评价问题,在空间辐射危害评价中具有重要应用。为实现空间质子辐射有效剂量监测,针对空间各向同性质子辐射,利用蒙特卡罗程序设计了一种闪烁探测器。通过对探测器结构的特殊设计,在20-400 Me V能量范围内,各向同性质子在该探测器内沉积的能量与国际辐射防护委员会(International Commission on Radiological Protection,ICRP)116号报告提供的质子有效剂量基本成正比。通过探测质子沉积能量来监测质子辐射有效剂量,克服了直接测量有效剂量所存在的困难。对AP8MIN模型地球俘获带质子能谱与随机抽样质子辐射能谱,经数值计算,探测器给出的有效剂量与ICRP116号报告给出的有效剂量的相对偏差均小于±8%。

关键词：空间质子辐射有效剂量蒙特卡罗模拟闪烁探测器

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考虑微观特性的ZnO压敏电阻计算模拟模型

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中国电机工程学报 2021年第5期41卷 1588-1596页

作者：孟鹏飞刘政曹伟杜传报周凯胡军四川大学电气工程学院四川省成都市610065 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 陕西省西安市710024 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司湖北省武汉市430074 电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机工程与应用电子技术系) 北京市海淀区100084

电力设备的绝缘水平建立在避雷器的过电压保护水平基础之上。ZnO压敏电阻具有优良的非线性电压-电流特性和浪涌能量吸收能力,被广泛用作电力系统避雷器的核心元件。ZnO压敏电阻的电气特性由其复杂的微结构和晶界特性决定。该文以Vorono... 详细信息

电力设备的绝缘水平建立在避雷器的过电压保护水平基础之上。ZnO压敏电阻具有优良的非线性电压-电流特性和浪涌能量吸收能力,被广泛用作电力系统避雷器的核心元件。ZnO压敏电阻的电气特性由其复杂的微结构和晶界特性决定。该文以Voronoi网络模型为基础,建立ZnO压敏电阻的微观结构模型。采用考虑晶间旁路效应的晶界分区模型,建立求解氧化锌压敏电阻宏观电气性能的大规模非线性电阻网络方程。针对难以采用常规牛顿迭代方法求解的问题,提出基于分段线性化和差分重构的快速求解优化算法,计算结果误差指标在10-3数量级以下。采用模型计算得到了尖晶石含量、晶粒尺寸不均匀度以及气孔率等微观结构参数对ZnO压敏电阻宏观电气性能的影响规律。

关键词： ZnO压敏电阻避雷器材料计算微观特性电气性能

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一种计算HEMP环境下电缆感应电流的混合算法

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强激光与粒子束 2017年第10期29卷 61-66页

作者：尹伟科魏兵朱湘琴西安电子科技大学物理与光电工程学院西安710071 西安电子科技大学信息感知技术协同创新中心西安710071 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

对高空核爆电磁脉冲(HEMP)环境下、地面上方电缆的感应电流进行了研究。考虑有耗地面的影响,提出了一种将时域积分方程(TDIE)和时域传输模式法结合求解有耗半空间上方电缆瞬态电流的时域方法。通过电磁波本征模的关联性得到斜入射有耗... 详细信息

对高空核爆电磁脉冲(HEMP)环境下、地面上方电缆的感应电流进行了研究。考虑有耗地面的影响,提出了一种将时域积分方程(TDIE)和时域传输模式法结合求解有耗半空间上方电缆瞬态电流的时域方法。通过电磁波本征模的关联性得到斜入射有耗半空间平面波的时域反射系数,不需计算贝塞尔函数的无穷项和便可以得到时域反射系数的精确解。最后给出了核爆脉冲照射下地面上方电缆感应的电流的仿真结果。结果表明:对于水平放置的电缆,当反射脉冲到达电缆后,反射场总是试图抵消入射场,使得电缆上感应电流小于只考虑入射脉冲时的感应电流;电缆的耦合电流会随架设的高度发生显著变化,相对于铺地的电缆,架空的电缆有更大的感应电流。

关键词：时域反射系数时域电场积分高空核爆电磁脉冲本征模感应电流

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倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应

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物理学报 2020年第22期69卷 414-426页

作者：张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院哈尔滨150001 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨150001 中国科学院微电子研究所北京100029

本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试... 详细信息

本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.

关键词：倒置四结太阳电池电子辐照退火效应热退火激活能

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太赫兹GaAs光电导天线阵列辐射特性

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物理学报 2021年第24期70卷 344-352页

作者：闫志巾施卫西安理工大学应用物理系西安710048

GaAs光电导天线是太赫兹电磁波的重要辐射源之一,天线阵列可以提高THz波的辐射强度,因而光电导天线及阵列一直以来备受瞩目.本文采用CST Microwave Studio软件对光电导天线阵列辐射太赫兹电磁波的特性进行仿真计算.根据电流瞬冲模型计... 详细信息

GaAs光电导天线是太赫兹电磁波的重要辐射源之一,天线阵列可以提高THz波的辐射强度,因而光电导天线及阵列一直以来备受瞩目.本文采用CST Microwave Studio软件对光电导天线阵列辐射太赫兹电磁波的特性进行仿真计算.根据电流瞬冲模型计算了激光入射到GaAs光电导天线时产生的脉冲光电流,并作为激励源对光电导天线的辐射性能进行仿真计算,分析了天线结构和衬底材料对辐射太赫兹波的影响.在此基础上计算了GaAs光电导天线阵列辐射太赫兹波的远场辐射.仿真结果表明:光电导天线阵列辐射太赫兹波的方向性更强,主波瓣宽度减小,其远场辐射符合电场叠加的倍数关系.研制了1×2 GaAs光电导天线阵列,实验测试结果与仿真结论相一致,为制备多阵元太赫兹光电导天线阵列奠定了理论和实验基础.

关键词：太赫兹电磁波光电导天线天线阵列

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