检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2022年第2期43卷 201-208页

作者：李雯李云云秦来顺吴泓澍钱森吴云涛中国计量大学材料与化学学院浙江杭州310018 中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心上海201899 中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室北京100049

传统的塑料闪烁体由于其低有效原子序数和密度,不适用于能谱探测领域。有机重金属化合物掺杂塑料闪烁体的制备为塑料闪烁体实现能谱探测提供了一种有效途径。而有机锡化合物掺杂塑料闪烁体具有高光峰灵敏度,并保留了塑料闪烁体的快衰减... 详细信息

传统的塑料闪烁体由于其低有效原子序数和密度,不适用于能谱探测领域。有机重金属化合物掺杂塑料闪烁体的制备为塑料闪烁体实现能谱探测提供了一种有效途径。而有机锡化合物掺杂塑料闪烁体具有高光峰灵敏度,并保留了塑料闪烁体的快衰减特性。本文通过自由基聚合的方法成功制备了不同浓度2-(三丁基锡烷基)呋喃掺杂的聚乙烯基甲苯(PVT)基塑料闪烁体,并对其光学和闪烁性能进行了测试和比较。其中掺杂20%2-(三丁基锡烷基)呋喃的PVT基塑料闪烁体的透光率可达90%,X射线激发发射光谱主峰位于425 nm处,光产额为6700 ph/MeV,能量分辨率为15.8%@662 keV,衰减时间约为4.3 ns。我们也制备了1英寸直径、掺杂20%2-(三丁基锡烷基)呋喃的塑料闪烁体,具有6300 ph/MeV的光产额和15.8%@662 keV的能量分辨率。

关键词：塑料闪烁体有机锡化合物光学性能能量分辨率

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线性模式下GaAs光电导开关的时间抖动特性

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物理学报 2018年第18期67卷 140-144页

作者：桂淮濛施卫陕西工业职业技术学院信息工程学院咸阳712000 西安理工大学理学院西安710048

针对线性模式下GaAs光电导开关时间抖动特性的研究,对提高精密同步控制系统的输出性能具有重要意义.根据电脉冲的概率分布和时间与电脉冲波形的对应关系,结合载流子的输运过程,对光电导开关时间抖动进行了定性的理论推导.此外,通过搭建... 详细信息

针对线性模式下GaAs光电导开关时间抖动特性的研究,对提高精密同步控制系统的输出性能具有重要意义.根据电脉冲的概率分布和时间与电脉冲波形的对应关系,结合载流子的输运过程,对光电导开关时间抖动进行了定性的理论推导.此外,通过搭建实验平台,利用正交光栅分光,将一束激光同时触发两路并联的GaAs光电导开关,改变触发激光脉冲宽度及外加偏置电压测试开关时间抖动,根据实验值的对比分析,得出在不同的外加偏置电压下,随着触发激光脉冲宽度的减小,开关时间抖动值随之减小.验证了触发激光脉冲宽度对开关时间抖动的影响及理论分析的正确性.研究结果对GaAs光电导开关时间抖动的进一步减小具有一定的指导意义.

关键词： GaAs光电导开关时间抖动激光脉冲宽度输出电脉冲

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储能电容对GaAs光电导开关快前沿正负对称脉冲输出特性的影响

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物理学报 2019年第19期68卷 133-137页

作者：桂淮濛施卫陕西工业职业技术学院信息工程学院咸阳712000 西安理工大学理学院西安710048

针对 GaAs 光电导开关快前沿正负对称脉冲输出特性的研究,对提高飞秒条纹相机的时间分辨率具有重要意义.本文使用脉宽为 60 fs 的激光器触发电极间隙为 3.5 mm 的 GaAs 光电导开关,在不同的储能电容及外加偏置电压条件下,获得具有上升... 详细信息

针对 GaAs 光电导开关快前沿正负对称脉冲输出特性的研究,对提高飞秒条纹相机的时间分辨率具有重要意义.本文使用脉宽为 60 fs 的激光器触发电极间隙为 3.5 mm 的 GaAs 光电导开关,在不同的储能电容及外加偏置电压条件下,获得具有上升时间最快为 149 ps,电压传输效率最高为 92.9%的快前沿正负对称输出,测试结果满足条纹相机实现飞秒时间分辨率的设计需求.实验结果的对比分析表明,储能电容是影响电压传输效率及上升时间的重要因素之一.同时,结合 GaAs 光电导开关线性工作模式特点及电容储能特性分析表明,当触发激光特性相同时,随着储能电容的增大,输出电脉冲传输效率及上升时间均会增加.研究结果将有助于 GaAs 光电导开关更好地应用于飞秒条纹相机中.

关键词： GaAs 光电导开关正负对称脉冲快速上升时间储能电容

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基于概率统计的单粒子多单元翻转信息提取方法

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原子能科学技术 2021年第2期55卷 353-359页

作者：王勋罗尹虹丁李利张凤祁陈伟郭晓强王坦西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU... 详细信息

航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU)实验数据中的MCU信息。该方法通过统计分析SEU实验数据中不同翻转地址间的按位异或和汉明距离以提取MCU模板,然后利用该模板提取MCU信息。采用一款位交错SRAM器件的重离子实验数据对上述方法进行了验证,结果表明,该方法能以较高的精度提取实验数据中的MCU信息。该方法可省去对器件进行逆向工程的时间和成本,提高科学研究和航空航天器件选型效率。

关键词：多单元翻转多位翻转单粒子翻转单粒子效应 SRAM

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交流电压下变压器油中流注发展时空演化的光-电信号特征研究

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电工技术学报 2019年第4期34卷 838-846页

作者：温嘉烨李元林道鸿唐峰张冠军西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 海南电网有限责任公司电力科学研究院海口570125 深圳供电局有限公司深圳518000

流注放电多具有电离程度高、发展速度快及树状分叉等典型特征,是介质击穿前发生的各类放电起始、发展现象的统称。研究变压器油中流注现象对于加深液体介质放电机理的认识以及提升油纸绝缘性能具有重要意义。本文通过搭建流注光-电特性... 详细信息

流注放电多具有电离程度高、发展速度快及树状分叉等典型特征,是介质击穿前发生的各类放电起始、发展现象的统称。研究变压器油中流注现象对于加深液体介质放电机理的认识以及提升油纸绝缘性能具有重要意义。本文通过搭建流注光-电特性检测平台,获取了交流电压下针板电极结构中流注放电的光-电脉冲电流序列和光学图像。结果表明,负流注主要包括单个脉冲、幅值递增序列、幅值递减序列及幅值先增后减序列四种典型序列模式。负流注通道形状为球状,但较难向前发展,导致击穿电压较高;正流注电流脉冲序列为正脉冲簇形式,通道形状为细丝状且发展过程中伴随着随机分叉现象。结合流注发展电流序列和空间发展图像,对正、负流注起始与时空演化机理进行阐述,根据电容模型和流注通道压力平衡方程计算了正、负流注发展时的半径、速度特征参量,得到负流注通道半径约为80?m,正流注直径为60～80?m,平均速度约为3km/s,计算结果与实验现象相符。

关键词：变压器油流注放电光-电特性气泡理论场致电离

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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟

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物理学报 2020年第9期69卷 289-299页

作者：李俊炜王祖军石成英薛院院宁浩徐瑞焦仟丽贾同轩西安高科技研究所西安710025 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究院西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105

以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文... 详细信息

以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺陷,使得少数载流子扩散长度退化幅度随质子能量的减小而增大,从而导致三结太阳电池相关电学参数的退化随质子能量的减小而增大.相同辐照条件下,中电池光谱响应退化幅度远大于顶电池光谱响应退化幅度,中电池抗辐照性能较差,同时中电池长波范围内光谱响应的退化幅度比短波范围更大,表明中电池相关电学参数的退化主要来源于基区损伤.

关键词：三结太阳电池辐照缺陷质子辐照模型数值模拟

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PZT铁电薄膜的离子束刻蚀表面形貌研究

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湘潭大学学报（自然科学版） 2019年第3期41卷 30-38页

作者：罗远东朱学进彭强祥刘巧灵廖佳佳湘潭大学材料科学与工程学院

采用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了约200nm厚的PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜,然后用氩离子束对PZT薄膜进行刻蚀.研究了不同的离子束刻蚀工艺参数(如离子束入射角θ、屏级电压Us和氩气流量FAr)对PZT薄膜刻蚀速率及表面粗糙... 详细信息

采用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了约200nm厚的PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜,然后用氩离子束对PZT薄膜进行刻蚀.研究了不同的离子束刻蚀工艺参数(如离子束入射角θ、屏级电压Us和氩气流量FAr)对PZT薄膜刻蚀速率及表面粗糙度的影响.采用原子力显微镜(AFM)对PZT薄膜的表面微观形貌和表面粗糙度值Rq(均方根值)和Ra(算术平均值)进行测试和分析,通过探针式表面轮廓分析仪测量刻蚀深度d并计算出刻蚀速率Vetc.结果表明:刻蚀速率Vetc严重依赖于离子束入射角θ,在0~75°的θ范围内呈类抛物线关系;当θ为45°时,刻蚀速率达到最大值.随着FAr和Us的增加,Vetc与两者分别呈成正相关关系,且越来越大.表面粗糙度值Rq和Ra随FAr和θ的改变而变化,在7sccm、45°时会有最优值出现;而随屏级电压Us的增加,在800V处表面粗糙度值最低.

关键词：溶胶-凝胶法锆钛酸铅离子束刻蚀表面粗糙度

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基于光电阴极的超快X射线源设计及调制性能研究

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光子学报 2021年第7期50卷 195-202页

作者：宣浩刘永安强鹏飞苏桐杨向辉盛立志赵宝升中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室西安710119 中国科学院大学光电学院北京100049

为解决基于热阴极的传统X射线管灯丝发射结构脆弱、能量效率低以及散热等问题,设计了一种新型光控脉冲X射线管装置。通过光电阴极与光源的参数匹配,选择蓝光波段量子效率高的S20阴极与波长为460 nm的LED光源。模拟计算确定X射线管整体... 详细信息

为解决基于热阴极的传统X射线管灯丝发射结构脆弱、能量效率低以及散热等问题,设计了一种新型光控脉冲X射线管装置。通过光电阴极与光源的参数匹配,选择蓝光波段量子效率高的S20阴极与波长为460 nm的LED光源。模拟计算确定X射线管整体结构设计。最终实现最大2.37 mA的管电流,光电阴极电子发射效率为0.288 mA/lm,出射X射线能量0~25 keV可调。另外,基于光控脉冲X射线管出射X射线强度易调制的特性,进行不同频率加载信号还原实验和任意X射线轮廓还原实验。

关键词： X射线源 X射线分析与应用光电阴极光电阴极应用调制

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应用于高速数据采集系统的超低抖动时钟电路

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数据采集与处理 2020年第6期35卷 1192-1199页

作者：李海涛李斌康阮林波田耕张雁霞西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

分析了高速数据采集系统对采样时钟抖动的要求,给出了时钟相位噪声和时钟抖动的转换关系;采用HITTITE的HMC1035LP6GE频率综合芯片作为主芯片,设计了时钟生成电路,2500 MHz输出时钟抖动测量值90 fs(整数工作模式,输入频率100 MHz,鉴相频... 详细信息

分析了高速数据采集系统对采样时钟抖动的要求,给出了时钟相位噪声和时钟抖动的转换关系;采用HITTITE的HMC1035LP6GE频率综合芯片作为主芯片,设计了时钟生成电路,2500 MHz输出时钟抖动测量值90 fs(整数工作模式,输入频率100 MHz,鉴相频率100 MHz,环路滤波带宽127 kHz,积分区间[10 kHz,10 MHz])。对比时钟生成电路在各种工作模式下的性能,给出了对应的设计指南。

关键词：高速数据采集超低时钟抖动相位噪声时钟生成模拟输入带宽

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基于FIB-SEM双束系统的纳尺度真空间隙电学特性原位实验装置

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电子显微学报 2016年第6期35卷 526-532页

作者：孟国栋董承业门闯成永红西安交通大学电气工程学院陕西西安710049

纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。一方面,随着微纳尺度加工技术的不断发展,电气部件和电子器件的特征物理尺寸已经逐步降低到微米、纳米甚至是分子原子尺度,并且在军事和民用领域得到越来越广泛... 详细信息

纳米尺度真空电气击穿与绝缘特性研究是高电压与绝缘技术领域的前沿课题。一方面,随着微纳尺度加工技术的不断发展,电气部件和电子器件的特征物理尺寸已经逐步降低到微米、纳米甚至是分子原子尺度,并且在军事和民用领域得到越来越广泛的应用;另一方面,传统的放电击穿理论和绝缘性能评价方法无法用来解释和预估微纳尺度的放电特性和绝缘水平。因此,本文基于聚焦离子束和扫描电子显微镜(FIB-SEM)双束系统,借助纳米压电位移技术和微弱电流测量技术,建立了纳尺度真空间隙电学特性的原位研究系统。该系统不仅能够进行微纳尺度(曲率半径为15 nm^10μm)金属电极的原位加工,材料组成成分的定量分析,而且可以实现纳尺度真空间隙(>20 nm)的放电特性研究,为纳尺度击穿规律和绝缘特性的实验研究提供了有力的支撑。

关键词： FIB-SEM双束系统纳尺度真空间隙电气击穿原位研究

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