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    • 1 篇 教育学
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主题

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  • 6 篇 低功耗
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  • 5 篇 可靠性
  • 5 篇 异质结晶体管
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机构

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  • 4 篇 中国电子科技集团...
  • 4 篇 中国电子科技集团...
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作者

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  • 7 篇 zhang bo
  • 7 篇 lai fan

语言

  • 237 篇 中文
检索条件"基金资助=模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目"
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一种支持快速流控的SAS-SATA传输设计方法
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合肥工业大学学报(自然科学版) 2025年 第4期48卷 482-486,494页
作者: 昂扬 黄正峰 王芳慧 郭二辉 田伟 鲁迎春 合肥工业大学微电子学院 安徽合肥230601 无锡众星微系统技术有限公司 江苏无锡214000
针对在服务器领域中使用串行连接SCSI接口(serial attached small computer system interface,SAS)硬盘存储冷数据面临的高成本问题,文章设计一种基于串行ATA(serial advanced technology attachment,SATA)协议与SAS协议的数据传输方法S... 详细信息
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基于成品率的多变量工序能力指数模型
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固体电子学研究与进展 2007年 第1期27卷 134-137页
作者: 王少熙 贾新章 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
在*** et al.(2003)和*** et al.(2005)研究理论的基础上,改变他们使用的单变量工序能力指数表达式,建立了基于成品率的多变量工序能力指数计算模型。该模型不要求工序的单个质量特性数据分布必须满足正态分布,并在一定程度上简化了计... 详细信息
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Kriging插值与拉丁超立方试验相结合构造电路元模型
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系统仿真学报 2005年 第11期17卷 2752-2755页
作者: 游海龙 贾新章 张小波 董萍 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
电路系统的设计与优化常常需要参数与指标间简单、直接的模型,即电路的元模型。本文将Kriging插值和拉丁超立方抽样试验相结合构造了低功耗集成运算放大器的元模型。对于这种输出结果为确定值的电路仿真试验,与基于传统部分要因试验设... 详细信息
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基于广义回归神经网络的微电路工艺设备表征
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西安电子科技大学学报 2005年 第6期32卷 911-914页
作者: 游海龙 贾新章 张春福 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
为了使用较少的工艺试验建立更高精度的模型描述微电路工艺的复杂性与非线性,将神经网络技术与统计试验设计相结合代替传统的统计方法应用于微电路热氧化工艺设备的表征.通过试验设计安排15轮试验,然后基于广义回归神经网络建立了以氧... 详细信息
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工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响
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原子能科学技术 2010年 第1期44卷 114-120页
作者: 陆妩 郑玉展 任迪远 郭旗 余学峰 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100049
对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管... 详细信息
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SiGe HBT的热载流子效应评价
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华南理工大学学报(自然科学版) 2009年 第5期37卷 23-26,42页
作者: 林晓玲 孔学东 恩云飞 章晓文 姚若河 华南理工大学电子与信息学院 广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州510610
电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价S... 详细信息
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0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究
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原子能科学技术 2014年 第10期48卷 1886-1890页
作者: 吴雪 陆妩 王信 郭旗 张兴尧 于新 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学 北京100049
为明确深亚微米MOS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理,本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管,进行了60 Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明:与PMOS差分对管相比,NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感,主要表现在:1)辐... 详细信息
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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析
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西安电子科技大学学报 2003年 第3期30卷 293-297页
作者: 张鹤鸣 戴显英 吕懿 林大松 胡辉勇 王伟 西安电子科技大学微电子所 陕西西安710071
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
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用于高速模数转换器的电荷泵型低抖动时钟管理电路
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西安交通大学学报 2020年 第1期54卷 162-168页
作者: 李楠楠 黄正波 季惠才 盛炜 张鸿 西安交通大学微电子学院 西安710049 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214000
针对高速模数转换器(ADC)对时钟信号的占空比以及低抖动的要求,提出了一种电荷泵型的时钟管理电路,利用电荷泵构成两个闭环回路,分别实现占空比稳定和可调双相不交叠时钟产生功能。电荷泵对时钟相位的积分功能可实现宽范围的时钟占空比... 详细信息
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寄生电容自适应抑制的飞法级电容传感器读出电路
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西安交通大学学报 2021年 第5期55卷 154-161页
作者: 李致铭 兰哲冲 金楷越 张杰 张鸿 西安交通大学微电子学院 西安710049
针对芯片制造和应用环境引入的大寄生电容严重降低飞法级电容传感器读出电路输出动态范围的问题,提出了一种带有自动增益控制的电容传感器全差分读出电路。该电路采用基于开关电容电路实现电容电压转换,利用带3位自动增益控制的全差分... 详细信息
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