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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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限定检索结果

文献类型

176 篇 专利
2 篇 学位论文
1 篇 期刊文献

馆藏范围

179 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

3 篇 工学
- 3 篇 计算机科学与技术...

主题

3 篇 一次性可编程
1 篇 修调
1 篇 版图
1 篇 反熔丝
1 篇 实时电路
1 篇 单片机
1 篇 prom存储器
1 篇 振荡方式
1 篇 冗余
1 篇 设计
1 篇 存储器
1 篇 错误检测与纠正
1 篇 标准cdmos工艺
1 篇 单晶体管控制ldo

机构

13 篇 台湾积体电路制造...
12 篇 三星电子株式会社
10 篇 高通股份有限公司
4 篇 飞腾信息技术有限...
4 篇 美格纳半导体有限...
3 篇 浙江驰拓科技有限...
3 篇 密码研究公司
3 篇 恩智浦美国有限公...
3 篇 意法半导体有限公...
3 篇 瑞昱半导体股份有...
3 篇 展讯通信有限公司
3 篇 美商新思科技有限...
3 篇 深圳市德名利电子...
2 篇 上海矽朔微电子有...
2 篇 合芯科技有限公司
2 篇 北京集创北方科技...
2 篇 扬智科技股份有限...
2 篇 上海晟矽微电子股...
2 篇 瑞萨电子株式会社
2 篇 成都芯源系统有限...

作者

5 篇 x·李
4 篇 梁永权
4 篇 x·陆
4 篇 z·王
4 篇 孙一品
4 篇 x·陈
4 篇 l·王
4 篇 李虎
3 篇 张盟升
3 篇 黄家恩
3 篇 徐鸣远
3 篇 p·康德利耶
3 篇 a·库马
3 篇 s·德努尔梅
3 篇 王奕
3 篇 r·佩瑞兹
3 篇 郑德柱
3 篇 虞华伟
3 篇 河旻烈
2 篇 孙思兵

语言

179 篇 中文

检索条件"主题词=一次性可编程"

共 179 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种基于CDMOS工艺的一次性可编程存储器的研制

一种基于CDMOS工艺的一次性可编程存储器的研制

引用

作者：门萌萌西安电子科技大学

学位级别：硕士

存储器简单来说就是保存信息的部件,它是用来数据交换和信息保存的主要媒介,其作用已经不可忽视,相应地对它的需求也就更进一步,不仅需要存储器的擦写速度快、能量消耗少、又要能保证有安全规范的布局。在这其中的嵌入式一次可编程存储... 详细信息

存储器简单来说就是保存信息的部件,它是用来数据交换和信息保存的主要媒介,其作用已经不可忽视,相应地对它的需求也就更进一步,不仅需要存储器的擦写速度快、能量消耗少、又要能保证有安全规范的布局。在这其中的嵌入式一次可编程存储器就是只可以写入一次程序,它的特点就是不仅灵活简便、而且使用的价格也不高,所以已成为了电路设计和现代应用的不二之选。非易失性存储器因为集成度高、成本低、工作速率快和自身技术的优化,它的成长远景愈加重要。其中,OTP(One Time Programmable)是一次性可编程存储器,它虽然只能在出厂的时候烧录一次,但是却用途广泛,本次就是用来做电路Trim(修调)使用。该一次性可编程存储器即使被断电也能保存信息,所以它可以用来为电路应用提供各种灵活多样和价格低廉的解决方案。虽然电路中也会使用熔线来修调,通过熔线的不同接法来精确修调基准源的精度。但是在用熔线进行修调电路的过程中经常会遇到烧不断熔线或者是烧坏芯片的问题,还有就是用熔线修调后封装引起的电压偏差问题,所以在这种情况下使用OTP来做Trim电路也就应运而生。因此本人实习所在的单位设计了这样的一款芯片,该款芯片是采用HJTC(和舰)0.35um CDMOS 3.3V/5.0V/40V 2P5M P-sub Polycide工艺制作的容量为32bits的OTP存储器。该芯片是通过外部时钟数据接口控制来进行写操作的。在芯片内部可以利用时钟和复位信号启动自动读取数据功能,在读取数据之后关闭OTP电路以节省功耗。本次起首说明了OTP存储器的生长情景及其理论基础,接着讨论了存储单元的工作原理,包含编程、读写和擦除的过程。最后在电路设计方面,详细分析了各块电路的设计方法和运作形式。在存储器外围设备电路的设计中,有关键的时序控制电路,锁存器和地址译码电路,再核心说明了内部OTP模块,主要集中在高低压转换电路,直流偏置电路和灵敏放大器模块,并对它们进行仿真与分析。接着此次项目根据所设计的电路完成了整体的版图布局设计和验证检查。最后在版图设计模块中对于整体布局布线的介绍以及敏感模块画图过程中注意事项进行了分析,对于后续版图数据、寄生参数需要通过集成电路设计软件来进行操作,所以没有进行详细说明。最终当芯片流片后需要对芯片进行测试,看其是否能够正常工作并且符合设计参数。

关键词：存储器标准CDMOS工艺一次性可编程修调版图

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一次性可编程存储器单元及其存储器和存储器系统

一次性可编程存储器单元及其存储器和存储器系统

引用

作者：河旻烈韩国京畿道

可以提供一种一次性可编程(OTP)存储器单元以及包括OTP存储器单元的OTP存储器和存储器系统。该OTP存储器单元包括串联连接在处于浮置状态的第一节点和第二节点之间的主OTP单元晶体管、冗余OTP单元晶体管和存取晶体管。OTP存储器单元被... 详细信息

标准号: CN111415694A

可以提供一种一次性可编程(OTP)存储器单元以及包括OTP存储器单元的OTP存储器和存储器系统。该OTP存储器单元包括串联连接在处于浮置状态的第一节点和第二节点之间的主OTP单元晶体管、冗余OTP单元晶体管和存取晶体管。OTP存储器单元被配置为在编程操作期间，将编程电压施加到主OTP单元晶体管和冗余OTP单元晶体管的栅极，以及将低于该编程电压的编程存取电压施加到存取晶体管的栅极。

关键词：单元晶体管存取晶体管编程电压冗余编程操作期间一次性可编程存储器单元存储器系统电压施加浮置状态编程存取施加配置

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一次性可编程存储器单元以及电子器件

一次性可编程存储器单元以及电子器件

引用

作者：王奕野口纮希中国台湾新竹

公开了各种一次性可编程(OTP)存储器单元。OTP存储器单元包括至少部分地在诸如反熔丝晶体管的晶体管的栅极下面延伸的附加的掺杂剂区。附加的掺杂剂区为读取电流提供附加电流路径。可替代地，OTP存储器单元包括三个晶体管，一个反熔丝... 详细信息

标准号: CN113314170A

公开了各种一次性可编程(OTP)存储器单元。OTP存储器单元包括至少部分地在诸如反熔丝晶体管的晶体管的栅极下面延伸的附加的掺杂剂区。附加的掺杂剂区为读取电流提供附加电流路径。可替代地，OTP存储器单元包括三个晶体管，一个反熔丝晶体管和两个选择晶体管。两个选择晶体管可以配置成级联选择晶体管，或者配置成两个单独的选择晶体管。本发明的实施例还涉及及电子器件。

关键词：选择晶体管晶体管掺杂剂区反熔丝一次性可编程存储器单元电子器件读取电流附加电流级联配置替代延伸

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一次性可编程存储器件和包括其的半导体存储器件

一次性可编程存储器件和包括其的半导体存储器件

引用

作者：赵荣默韩国京畿道

提供了一次性可编程存储器件和包括其的半导体存储器件。所述一次性可编程(OTP)存储器件包括：OTP单元阵列、纠错码(ECC)解码器、双重错误熔丝地址寄存器组和双重错误熔丝计数器。所述OTP单元阵列包括OTP单元行，每个所述OTP单元行包括... 详细信息

标准号: CN117093410A

提供了一次性可编程存储器件和包括其的半导体存储器件。所述一次性可编程(OTP)存储器件包括：OTP单元阵列、纠错码(ECC)解码器、双重错误熔丝地址寄存器组和双重错误熔丝计数器。所述OTP单元阵列包括OTP单元行，每个所述OTP单元行包括OTP熔丝组，每个所述OTP熔丝组包括OTP存储单元。所述ECC解码器对第一OTP熔丝组执行ECC解码操作，并且响应于在第二子集中检测到双重位错误而激活双重错误检测标志。所述双重错误熔丝地址寄存器组存储所述第二子集的熔丝地址信息和所述双重错误检测标志。所述双重错误熔丝计数器通过基于所述锁存时钟信号对所述双重错误检测标志进行计数来存储双重错误计数信号。

关键词：熔丝错误检测标志熔丝组计数器地址寄存器单元阵列单元行一次性可编程存储器件半导体存储器件错误计数信号锁存时钟信号一次性可编程解码器存储单元存储器件地址信息集中检测纠错码组存储子集存储激活响应

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一次性可编程存储器控制器、相关处理系统、集成电路和方法

一次性可编程存储器控制器、相关处理系统、集成电路和方法

引用

作者： A·丰塔纳 G·谷亚纳西亚 S·卡塔拉诺意大利阿格拉布里安扎

本公开的一个或多个实施例涉及一次性可编程存储器控制器、相关处理系统、集成电路和方法。在一个实施例中，一次性可编程(OTP)存储器控制器包括：数据寄存器；给定数目K个影子寄存器，其中数目K小于OTP存储器区域的存储器插槽的给定数... 详细信息

标准号: CN117253518A

本公开的一个或多个实施例涉及一次性可编程存储器控制器、相关处理系统、集成电路和方法。在一个实施例中，一次性可编程(OTP)存储器控制器包括：数据寄存器；给定数目K个影子寄存器，其中数目K小于OTP存储器区域的存储器插槽的给定数目N；被配置为接收请求给定存储器插槽的数据的读取请求的通信接口；以及被配置为接收预加载开始信号和影子寄存器预加载使能信号的控制电路，其中控制电路被配置为管理预加载阶段和数据读取阶段。

关键词：预加载存储器插槽影子寄存器控制电路配置一次性可编程存储器存储器控制器一次性可编程数据寄存器处理系统读取请求接收请求开始信号使能信号数据读取通信接口控制器集成电路管理

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一次性可编程元件的检错和纠错

一次性可编程元件的检错和纠错

引用

作者： J·P·金 T·金 S·金美国加利福尼亚州

一种电路包括第一一次性可编程(OTP)元件和第二OTP元件。该电路还包括被耦合成从该第一OTP元件接收数据的第一表示的检错电路系统。该电路进一步包括响应于该检错电路系统的输出以基于该数据的第一表示或者基于来自第二OTP元件的该数据... 详细信息

标准号: CN104956445B

一种电路包括第一一次性可编程(OTP)元件和第二OTP元件。该电路还包括被耦合成从该第一OTP元件接收数据的第一表示的检错电路系统。该电路进一步包括响应于该检错电路系统的输出以基于该数据的第一表示或者基于来自第二OTP元件的该数据的第二表示来输出OTP读取结果的输出电路系统。

关键词：电路检错电路输出电路系统一次性可编程输出读取结果元件接收合成响应

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一次性可编程(OTP)存储器设备和测试OTP存储器设备的方法

一次性可编程(OTP)存储器设备和测试OTP存储器设备的方法

引用

作者：河旻烈韩国京畿道

提供了一次性可编程(OTP)存储器设备及测试OTP存储器设备的方法，OTP存储器设备包括：包括OTP单元阵列和虚设单元块的单元阵列电路，OTP单元阵列包括耦合到位线、读取字线和电压字线的OTP存储单元，并且所述虚设单元块耦合到读取字线和... 详细信息

标准号: CN111402946A

提供了一次性可编程(OTP)存储器设备及测试OTP存储器设备的方法，OTP存储器设备包括：包括OTP单元阵列和虚设单元块的单元阵列电路，OTP单元阵列包括耦合到位线、读取字线和电压字线的OTP存储单元，并且所述虚设单元块耦合到读取字线和电压字线；行解码器，通过读取字线和电压字线耦合到虚设单元块和OTP单元阵列；通过位线耦合到OTP单元阵列的列解码器；耦合到列解码器的写入感测电路；以及基于命令和地址控制单元阵列电路、行解码器和写入感测电路的控制电路，单元阵列电路还包括隔离电路，隔离电路响应于测试模式下的控制代码，切断从行解码器传输到OTP单元阵列的第一和第二电压。

关键词：单元阵列读取字线行解码器虚设单元耦合到字线单元阵列电路感测电路隔离电路列解码器写入地址控制单元一次性可编程存储器设备测试模式存储单元控制代码控制电路位线耦合阵列电路耦合测试传输响应

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一次性可编程存储器单元及其制造方法

一次性可编程存储器单元及其制造方法

引用

作者：全成都韩国忠清北道

提供了一种一次性可编程（OTP）存储器单元，其包括：具有第一导电类型的阱；在阱上形成的并且包括第一和第二熔丝区域的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的具有第二导电类型的栅电极，该第二导电类型与第一导电类型电荷相反；在阱中形成的... 详细信息

标准号: CN103579246B

提供了一种一次性可编程（OTP）存储器单元，其包括：具有第一导电类型的阱；在阱上形成的并且包括第一和第二熔丝区域的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的具有第二导电类型的栅电极，该第二导电类型与第一导电类型电荷相反；在阱中形成的并且被布置为包围第一和第二熔丝区域的第二导电类型的结区域；以及在第一熔丝区域与第二熔丝区域之间的阱中形成的隔离层。

关键词：熔丝区域导电类型第一导电类型栅绝缘层一次性可编程存储器单元电荷隔离层结区域栅电极包围

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一次性可编程记忆体阵列、记忆体单元及其制造方法

一次性可编程记忆体阵列、记忆体单元及其制造方法

引用

作者：张盟昇黄家恩中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

提供了一种一次性可编程记忆体阵列、记忆体单元及其制造方法。一次性可编程记忆体单元包括：抗熔丝晶体管，其中抗熔丝晶体管的栅极端连接至具有第一信号的第一字元线，且响应于第一信号，抗熔丝晶体管可在第一状态与第二状态之间选择... 详细信息

标准号: CN115497533A

提供了一种一次性可编程记忆体阵列、记忆体单元及其制造方法。一次性可编程记忆体单元包括：抗熔丝晶体管，其中抗熔丝晶体管的栅极端连接至具有第一信号的第一字元线，且响应于第一信号，抗熔丝晶体管可在第一状态与第二状态之间选择；及连接在抗熔丝晶体管与位元线之间的选择晶体管，其中选择晶体管的栅极端连接至具有第二信号的第二字元线，且选择晶体管用以响应于第二信号存取抗熔丝晶体管。抗熔丝晶体管的第一端为空位端，且抗熔丝晶体管的第二端连接至选择晶体管。

关键词：熔丝晶体管选择晶体管一次性可编程记忆体单元第二信号栅极端字元线记忆体阵列第一端位元线空位响应存取制造

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一次性可编程元件的检错和纠错

一次性可编程元件的检错和纠错

引用

作者： J·P·金 T·金 S·金美国加利福尼亚州

标准号: CN104956445A

关键词：电路检错电路输出电路系统一次性可编程读取结果元件接收输出一种合成响应

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