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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

307 篇 专利

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307 篇 电子文献
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机构

83 篇 中微半导体设备股...
32 篇 北京北方华创微电...
7 篇 湖南创研智能装备...
5 篇 北京北方微电子基...
5 篇 浙江加西贝拉科技...
5 篇 珠海恒格微电子装...
4 篇 杭州炎龙建设有限...
4 篇 广州市极动焊接机...
4 篇 武汉凯奇冶金焊接...
4 篇 上汽通用五菱汽车...
3 篇 中国科学院苏州纳...
3 篇 中北大学
3 篇 广州亨龙智能装备...
3 篇 南方电网科学研究...
3 篇 中国南方电网有限...
3 篇 朗姆研究公司
3 篇 无锡秉杰机械有限...
2 篇 宁波方太厨具有限...
2 篇 南京农业大学
2 篇 河南永荣动力股份...

作者

21 篇 叶如彬
19 篇 吴狄
15 篇 倪图强
13 篇 吴磊
13 篇 黄允文
11 篇 连增迪
11 篇 杨金全
11 篇 黄国民
10 篇 范光伟
9 篇 杨宽
9 篇 刘悦吟
8 篇 左涛涛
8 篇 王明明
7 篇 张人斌
7 篇 徐朝阳
6 篇 王洪青
5 篇 刘武平
5 篇 廉晓芳
5 篇 赵函一
5 篇 李志强

语言

307 篇 中文

检索条件"主题词=下电极组件"

共 307 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法

下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法

引用

作者：林雅萍左涛涛蔡楚洋 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法，其中，所述下电极组件包括：基座，具有预设工作温度，其内具有冷却通道，冷却通道包括冷却输入端和冷却输出端；冷却气体，其液化温度低于所述预设工作温度；冷却装置，用于对冷却气体... 详细信息

标准号: CN113053715B

一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法，其中，所述下电极组件包括：基座，具有预设工作温度，其内具有冷却通道，冷却通道包括冷却输入端和冷却输出端；冷却气体，其液化温度低于所述预设工作温度；冷却装置，用于对冷却气体进行降温；第一气体输送管道，用于将冷却气体输送至冷却装置；第二气体输送管道，与冷却输入端连通，用于将降温后的冷却气体输送入所述冷却通道内，降温后的所述冷却气体对基座进行降温以达到预设工作温度；第三气体输送管道，与冷却输出端连通，用于将对基座降温后的所述冷却气体输出。利用所述下电极组件对基座进行降温时，有利于降低冷却气体对接触部件造成损伤，提高下电极组件的密封性。

关键词：冷却气体下电极组件气体输送管道冷却通道冷却预设冷却装置输出端输入端连通等离子体处理装置对接触部件密封性液化损伤输出

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下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法

下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法

引用

作者：姜勇谢振南 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

一种下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法，其中，下电极组件包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个... 详细信息

标准号: CN114908334A

一种下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法，其中，下电极组件包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，用于向所述凹坑空间内基片的背面输送导热气体。利用所述化学气相沉积装置有利于提高基片不同区域温度的一致性。

关键词：基片槽化学气相沉积装置下电极组件凹坑进气口基片温度控制导热气体加热元件支撑基片加热盘凸台背面

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下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法

下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法

引用

作者：裴江涛连增迪左涛涛吴狄 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧... 详细信息

标准号: CN114530361A

一种下电极组件、等离子体处理装置和更换聚焦环的方法，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。

关键词：聚焦环下电极组件移动块等离子体处理装置驱动装置上下移动反应腔顶角遮盖环绕承载外围驱动支撑

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下电极组件和等离子体处理装置

下电极组件和等离子体处理装置

引用

作者：吴磊叶如彬 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，其内设有凹槽；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其内设有第一气体通道，所述第一气体通道与凹槽对应；第一陶瓷件和第二陶瓷件，设于所述凹槽内，... 详细信息

标准号: CN114914142A

一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，其内设有凹槽；静电夹盘，位于所述基座上，用于吸附待处理基片，其内设有第一气体通道，所述第一气体通道与凹槽对应；第一陶瓷件和第二陶瓷件，设于所述凹槽内，且二者相互配合形成第二气体通道，所述第二气体通道与第一气体通道相互连通，用于向待处理基片的背面输送冷却气体，以控制所述待处理基片的温度，其中，所述第二气体通道为非直线。所述下电极组件有利于降低静电夹盘发生点火放电。

关键词：气体通道下电极组件静电夹盘陶瓷件等离子体处理装置冷却气体非直线放电吸附连通背面点火配合

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下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法

下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法

引用

作者：崔咏琴 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

本发明提供一种下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法，其中，下电极组件用于设置在半导体加工设备的反应腔室中，下电极组件包括：基座，用于连接在反应腔室的内壁上；承载结构，用于承载晶圆，承载结构连接在基座上，并与基... 详细信息

标准号: CN114121584A

本发明提供一种下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法，其中，下电极组件用于设置在半导体加工设备的反应腔室中，下电极组件包括：基座，用于连接在反应腔室的内壁上；承载结构，用于承载晶圆，承载结构连接在基座上，并与基座共同围成电极内腔；制冷管路，位于电极内腔内并与承载结构相配合以对其进行降温；冷却结构，与基座相配合以对其进行冷却，并通过对基座的冷却间接对电极内腔进行降温，从而使电极内腔的腔内温度小于等于制冷管路的管壁温度，或者大于制冷管路的管壁温度且两者温度差小于等于第一预设阈值，进而防止电极内腔中的气体含有的水分在制冷管路处发生冷凝，以保证下电极组件及其相关设备能够安全、正常地使用。

关键词：下电极组件电极内腔制冷管路承载结构半导体加工设备反应腔室管壁冷却冷却结构对电极防冷凝温度差下电极冷凝晶圆内壁内腔腔内预设配合承载安全保证

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下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法

下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法

引用

作者：雷仲礼 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法。其中该下电极组件包括静电夹盘、基座、流体循环层。静电夹盘用于吸附待处理基片。基座用于承载静电夹盘，基座包括冷却层和位于冷却层上方的加热层，冷却层内设置冷却通道... 详细信息

标准号: CN113130279B

本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法。其中该下电极组件包括静电夹盘、基座、流体循环层。静电夹盘用于吸附待处理基片。基座用于承载静电夹盘，基座包括冷却层和位于冷却层上方的加热层，冷却层内设置冷却通道。加热层，其位于冷却层上方，所述加热层内设置加热装置。流体循环层位于加热层上方，内部设置容纳流体媒介的流体通道，流体媒介用于对静电夹盘的温度分布进行调节。本发明通过使用流体介质以径向方式均衡加热元件的不均匀性，对应于下面的加热装置的几个流体通道可以用于提供温度分布的径向对称，以达到对静电夹盘的温度分布进行调节的作用。

关键词：静电夹盘加热层冷却层温度分布下电极组件加热装置流体媒介流体通道流体循环等离子体处理装置不均匀性加热元件径向对称径向方式冷却通道流体介质内部设置吸附承载均衡容纳

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下电极组件及其等离子体处理装置

下电极组件及其等离子体处理装置

引用

作者：胡增文范光伟侯剑秋叶如彬 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

本发明公开了一种下电极组件及其等离子体处理装置，所述下电极组件包含：基座，所述基座包含承载基片的凸台部，以及围绕所述凸台部的外周且上表面低于所述凸台部的支撑部；绝缘环，所述绝缘环位于所述支撑部上方，并环绕所述凸台部；... 详细信息

标准号: CN117637420A

本发明公开了一种下电极组件及其等离子体处理装置，所述下电极组件包含：基座，所述基座包含承载基片的凸台部，以及围绕所述凸台部的外周且上表面低于所述凸台部的支撑部；绝缘环，所述绝缘环位于所述支撑部上方，并环绕所述凸台部；边缘环，所述边缘环位于所述绝缘环上方；其中，所述绝缘环上设置有环形槽用于嵌入所述边缘环。本发明将边缘环嵌入到所述环形槽内，在不改变边缘环高度的情况下，增大基座到边缘环的等效电容，改善基片边缘上方到边缘环上方的等离子体鞘层分布，使基片边缘的等离子体刻蚀方向垂直于基片，可以有效避免基片边缘处刻蚀孔发生倾斜。

关键词：边缘环绝缘环凸台部基片边缘下电极组件环形槽嵌入等离子体处理装置等离子体刻蚀等离子体鞘层承载基片等效电容方向垂直刻蚀孔上表面支撑外周环绕

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下电极组件及半导体工艺设备

下电极组件及半导体工艺设备

引用

作者：陈兆滨 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种下电极组件及半导体工艺设备。该下电极组件包括晶圆承载件和环绕晶圆承载件的边缘设置的边缘调节件，边缘调节件包括绝缘本体和导电体，导电体设于绝缘本体，以用于使导电体分别与晶圆承载件和... 详细信息

标准号: CN117995639A

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种下电极组件及半导体工艺设备。该下电极组件包括晶圆承载件和环绕晶圆承载件的边缘设置的边缘调节件，边缘调节件包括绝缘本体和导电体，导电体设于绝缘本体，以用于使导电体分别与晶圆承载件和等离子体绝缘隔开，导电体包括多个导电段，至少两个导电段可产生的电场强度互不相同。本申请能够解决对进气喷嘴的加工精度和安装精度的要求高，且工艺耗时较长的问题。

关键词：导电体承载件晶圆下电极组件绝缘本体导电段等离子体半导体工艺设备半导体技术领域边缘设置进气喷嘴隔开绝缘申请耗时环绕加工

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下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法

下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法

引用

作者：崔咏琴 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

标准号: CN114121584B

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下电极组件

下电极组件

引用

作者：郭峰 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

本实用新型公开了一种下电极组件，该组件包括设备安装盘、卡盘、顶针机构，顶针机构包括法兰座，其特征在于，所述卡盘上设置有支撑座，所述顶针机构通过将其法兰座与所述支撑座相固定而安装在卡盘上。本实用新型通过在卡盘上设置支撑... 详细信息

标准号: CN205542738U

本实用新型公开了一种下电极组件，该组件包括设备安装盘、卡盘、顶针机构，顶针机构包括法兰座，其特征在于，所述卡盘上设置有支撑座，所述顶针机构通过将其法兰座与所述支撑座相固定而安装在卡盘上。本实用新型通过在卡盘上设置支撑座，将顶针机构直接安装在卡盘上，一改顶针机构安装在设备安装盘上的现状，方便了下电极组件的装配，保证了装配过程中顶针的安全，保证了装配质量，而且也不再需要专门的顶针安装工具，提高了装配效率。

关键词：顶针机构卡盘支撑座顶针本实用新型下电极组件设备安装法兰座装配安装工具直接安装装配过程装配效率组件包括保证安全

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