检索结果-内蒙古大学图书馆

电子器件 2015年第6期38卷 1253-1256页

作者：邸士伟王硕张健刘昱李志强张海英中国科学院微电子研究所北京100029

功率放大器PA(Power Amplifier)是射频前端重要的模块,基于SMIC 55 nm RF CMOS工艺,设计了一款60 GHz两级差分功率放大器。针对毫米波频段下,硅基CMOS晶体管栅漏电容(C_(gd))严重影响放大器的增益和稳定性的问题,采用交叉耦合电容中和... 详细信息

功率放大器PA(Power Amplifier)是射频前端重要的模块,基于SMIC 55 nm RF CMOS工艺,设计了一款60 GHz两级差分功率放大器。针对毫米波频段下,硅基CMOS晶体管栅漏电容(C_(gd))严重影响放大器的增益和稳定性的问题,采用交叉耦合电容中和技术抵消C_(gd)影响。通过优化级间匹配网络和有源器件参数,提高了功率放大器的输出功率,增益和效率。后仿结果显示,在1.2 V的供电电压下,工作在60 GHz的功率放大器饱和输出功率为11.3 d Bm,功率增益为16.2 d B,功率附加效率为17.0%,功耗为62 m W。芯片面积380μm×570μm。

关键词：功率放大器 60GHz CMOS 中和电容变压器

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DF100A型短波发射机中和电容电路的分析与调整

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广播电视信息 2023年第2期30卷 89-92页

作者：余雁红国家广播电视总局2022台

本文阐述了DF100A短波发射机高末级电子管屏极与栅极之间极间电容的危害性,强调了中和电容在高末级放大器中的重要作用,对中和电容电桥电路的原理进行了分析,并介绍了2种中和电容的调整方法。

关键词：短波发射机中和电容电桥电路原理调整方法

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一种采用中和电容的差分输出高增益倍频器

一种采用中和电容的差分输出高增益倍频器

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作者：陈增创康凯赵晨曦 611731 四川省成都市高新区天全路200号2栋19层

本发明公开了一种采用中和电容的差分输出高增益倍频器，由IQ两对push‑push倍频器和中和电容组成，MOS管M1n和M3n组成I路push‑push倍频器，MOS管M2n和M4n组成Q路push‑push倍频器,电容CN1、CN2、CN3和CN4为中和电容，电感L1、L2为负载电... 详细信息

标准号: CN116886048A

本发明公开了一种采用中和电容的差分输出高增益倍频器，由IQ两对push‑push倍频器和中和电容组成，MOS管M1n和M3n组成I路push‑push倍频器，MOS管M2n和M4n组成Q路push‑push倍频器,电容CN1、CN2、CN3和CN4为中和电容，电感L1、L2为负载电感。此结构有效抑制了从漏极泄露到栅极的二次谐波分量，抑制二次谐波负反馈，转换增益相比传统push‑push倍频器有了明显提升，并且二次谐波信号实现差分输出。

关键词：倍频器中和电容二次谐波分量二次谐波信号电感二次谐波负载电感有效抑制转换增益输出电容负反馈高增益漏极泄露

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一种基于中和电容的高稳定性差分共源放大器

一种基于中和电容的高稳定性差分共源放大器

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作者：康凯刘轩硕赵晨曦刘辉华余益明吴韵秋 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于中和电容的高稳定性差分共源放大器，用以解决现有使用中和电容的差分共源极放大器的共模稳定性以及中和电容的工艺偏差敏感性问题。本发明由两部分组成：共源极的差分晶体管对M1与M2，作为中... 详细信息

标准号: CN114499425A

本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于中和电容的高稳定性差分共源放大器，用以解决现有使用中和电容的差分共源极放大器的共模稳定性以及中和电容的工艺偏差敏感性问题。本发明由两部分组成：共源极的差分晶体管对M1与M2，作为中和电容用的晶体管M3与M4、及共模电感L构成的稳定性增强结构，利用晶体管M3与M4作为中和电容、有效降低了电容对于生产工艺偏差的敏感性，通过差分晶体管对M1与M2的共源节点处引入对地共模电感L、大大提升了放大器的共模稳定性；同时，不会降低放大器的性能。由此可见，本发明改善了基于中和电容的差分共源放大器的共模稳定性和工艺偏差敏感性的问题。

关键词：中和电容共模放大器差分晶体管共源放大器工艺偏差共模电感晶体管无线通信技术领域稳定性增强结构共源极放大器敏感性问题高稳定性电容共源极节点处共源生产工艺引入

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一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端

一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端

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作者：刘润宇余益明 611731 四川省成都市高新区天全路200号2栋19层

本发明属于无线通信技术领域，公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端，带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏极接... 详细信息

标准号: CN114900134A

本发明属于无线通信技术领域，公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端，带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+；第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin‑，第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout‑；第三MOS管中的源极连接第一电阻，第三MOS管中的体电极连接第二电阻；第四MOS管中的源极连接第一电阻。本发明可以提高放大器的增益，优化放大器的噪声系数，有助于射频芯片整体性能的提升。

关键词：电阻放大器输出信号端输入信号端电极隔离源极连接中和电容带体漏极无线通信技术领域放大器设置优化放大器射频芯片噪声系数体电极接反终端

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利用變壓器耦合及中和電容技巧之功率放大器研發

利用變壓器耦合及中和電容技巧之功率放大器研發

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作者：邱稔耕中興大學

学位级别：碩士

本论文旨在探讨应用变压器耦合之功率放大器设计。其中实作之晶片使用台湾晶片中心所提供的台积电90nm CMOS以及40nm CMOS的制程技术支援。在设计功率放大器部分皆是以功率组合技术来设计，内容包含原理性介绍、电路及元件设计、模拟分... 详细信息

本论文旨在探讨应用变压器耦合之功率放大器设计。其中实作之晶片使用台湾晶片中心所提供的台积电90nm CMOS以及40nm CMOS的制程技术支援。在设计功率放大器部分皆是以功率组合技术来设计，内容包含原理性介绍、电路及元件设计、模拟分析、晶片量测、结果讨论。首先介绍射频电路至今的发展与功率放大器相关公式之推导，进而针对本论文所使用到的参数做介绍，最後再对功率放大器的各种架构加以分析。功率放大器设计皆采用变压器耦合之架构来进行功率的分波与结合，其中也包含阻抗匹配之功能，针对所设计之电路分析其原理、电路架构、模拟、量测及总结。本论文之电路设计架构类似，一者为设计於W频段之功率放大器，另一者则增加频率设计到D频段。两电路设计皆利用差动电路的特性加上中和电容用以增加稳定度，且在量测与模拟时皆无振荡之风险。最後总结各章的研究结果，并对发现的问题做探讨与改进，同时对未来的研究做改良。

关键词：功率放大器 W頻段 D頻段功率分波與合成變壓器耦合中和電容

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借助使用片上中和电容器和线性致动的自动校准的电容换能器的线性度增强

借助使用片上中和电容器和线性致动的自动校准的电容换能器的线性...

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作者： G·巴拉钱德兰 V·佩特科夫德国斯图加特

公开了一种用于使用线性致动来自动校准电容换能器以中和馈通电容的系统和方法。所述方法包括：以初始中和电容开始，不向换能器的检测质量块施加静电力，而施加两个已知的静电力，记录由所施加的力引起的换能器输出变化；以及基于变化... 详细信息

标准号: CN103890593A

公开了一种用于使用线性致动来自动校准电容换能器以中和馈通电容的系统和方法。所述方法包括：以初始中和电容开始，不向换能器的检测质量块施加静电力，而施加两个已知的静电力，记录由所施加的力引起的换能器输出变化；以及基于变化确定如何修改中和电容。方法可以使用二分查找来查找提供最佳线性度的最终中和电容。方法可以包括将最终线性度与阈值线性度相比较。可以使用电荷控制方法来施加静电力，其中，静电力是致动持续时间的线性函数。线性致动可以用于电容传感器的连续自检。