检索结果-内蒙古大学图书馆

中国电机工程学报 2021年第20期41卷 7152-7159页

作者：彭振东任志刚沙新乐李博杨晨光邹顺武汉船用电力推进装置研究所船舶综合电力技术重点实验室湖北省武汉市430064

为开发实用的中压大容量直流直流真空断路器,针对10kV级直流真空断路器的大电流快速换流分断过程开展试验研究。当单独的真空断路器在电弧电流下降率约300 A/μs条件下对23kA电流进行换流分断时,容易发生电弧重燃和分断失败;串联二极管... 详细信息

为开发实用的中压大容量直流直流真空断路器,针对10kV级直流真空断路器的大电流快速换流分断过程开展试验研究。当单独的真空断路器在电弧电流下降率约300 A/μs条件下对23kA电流进行换流分断时,容易发生电弧重燃和分断失败;串联二极管后,相同条件下的换流分断可靠性得到大幅提升。在单独真空断路器的换流分断过程中,弧后真空间隙的鞘层发展过程持续约450μs,并且电场强度和功率密度在电弧过零后约1μs分别达到峰值12MV/m和45MW/m^(2),真空间隙极易在鞘层发展阶段等离子体浓度仍然较高时发生电、热击穿。串联二极管能在熄弧后的反向阻断期间有效切断电弧能量注入回路,并使真空间隙躲过弧后快速上升的初始暂态恢复电压,同时促进真空间隙的等离体浓度大幅衰减,进而明显降低真空间隙开始恢复绝缘时的电场强度和功率密度。在二极管反向阻断结束时刻真空间隙才开始建立介质强度的极端条件下,电场强度和功率密度延时30μs才上升到峰值,并且分别被显著降低到130kV/m和1.4kW/m^(2),对降低真空间隙重击穿的发生概率、改善弧后介质恢复性能十分有利。

关键词：直流真空断路器串联二极管弧后暂态电场强度功率密度介质恢复

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串联二极管在线监测系统、方法、换流器、计算机设备和计算机可读存储介质

串联二极管在线监测系统、方法、换流器、计算机设备和计算机可读...

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作者：谢晔源段军张子敬王宇姚宏洋姜田贵李汉杰李臣松高彪 211102 江苏省南京市江宁区苏源大道69号

本发明公开一种串联二极管在线监测系统、方法、换流器、计算机设备和计算机可读存储介质，串联二极管在线监测系统包括：阀串，阀串包括功率二极管Di，N个功率二极管Di串联；检测单元，检测单元与阀串并联，检测单元包括采样二极管Ds... 详细信息

标准号: CN116973614A

本发明公开一种串联二极管在线监测系统、方法、换流器、计算机设备和计算机可读存储介质，串联二极管在线监测系统包括：阀串，阀串包括功率二极管Di，N个功率二极管Di串联；检测单元，检测单元与阀串并联，检测单元包括采样二极管Ds、采样电阻Rs和承压电阻Ri，采样电阻Rs与承压电阻Ri串联，采样电阻Rs与采样二极管Ds并联，采样二极管Ds与功率二极管Di反向设置；监控单元，监控单元与检测单元连接；供能单元，供能单元连接监控单元；供能单元磁隔离供能单元和/或高电位供能单元。通过采样电阻Rs对阀串的电压分压，采样二极管Ds将阀串分压后的电压整形得到采样电压信号；监控单元用于根据采样电压信号判断阀串中的功率二极管Di的故障数量。

关键词：供能单元采样二极管功率二极管采样电阻监控单元采样电压信号在线监测系统串联二极管检测承压电阻串联计算机可读存储介质计算机设备单元连接电压分压反向设置连接监控串并联磁隔离高电位换流器并联整形分压

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用于电子加速器的串联二极管退化问题研究

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电子产品可靠性与环境试验 2021年第1期39卷 52-56页

作者：白天旭张小玲谢雪松王伟岩北京工业大学信息学部北京100124

高压电子加速器中常利用串联二极管来承受高电压,然而串联二极管的可靠性却难以保证。通过老化试验的方法,测量电子加速器中的串联二极管在交流脉冲应力下电学特性的变化来研究二极管的退化情况。结果表明:重复的正反向脉冲应力冲击会... 详细信息

高压电子加速器中常利用串联二极管来承受高电压,然而串联二极管的可靠性却难以保证。通过老化试验的方法,测量电子加速器中的串联二极管在交流脉冲应力下电学特性的变化来研究二极管的退化情况。结果表明:重复的正反向脉冲应力冲击会使二极管的复合电流增大,器件的欧姆接触会在初期改善,随后也发生退化。以理想因子作为敏感参数反映器件的退化程度,对不同的二极管进行对比,得出使串联二极管发生失效的原因有外部电路的影响、交流脉冲应力对器件本身造成的缺陷和器件工艺上的不足。最后,在串联二极管的使用方法上提出了意见,对于提高串联二极管的可靠性具有一定的参考意义。

关键词：串联二极管退化理想因子缺陷欧姆接触

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基于IGBT串联二极管的电流源型变流器的调制方法

基于IGBT串联二极管的电流源型变流器的调制方法

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作者：明磊薛宇斌陈贺尹伟王鹏辛振陈建良 300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院

本发明为基于IGBT串联二极管的电流源型变流器的调制方法，首先根据三相参考电流确定参考电流矢量所在扇区，得到两个有源矢量和零矢量的作用时间；然后，采集三相电容电压，并根据参考电流矢量所在扇区和三相电容电压，确定载波周期内... 详细信息

标准号: CN116846190A

本发明为基于IGBT串联二极管的电流源型变流器的调制方法，首先根据三相参考电流确定参考电流矢量所在扇区，得到两个有源矢量和零矢量的作用时间；然后，采集三相电容电压，并根据参考电流矢量所在扇区和三相电容电压，确定载波周期内各个开关管的开关状态以及矢量作用顺序和作用时间；最后，计算与三相电容相连的开关管的矢量作用时间，合成调制波；通过比较调制波与三角载波确定载波周期的五个阶段，进而得到载波周期内开关管的导通顺序。该方法根据参考电流矢量所在扇区和三相电容的电压大小赋予各个开关管在载波周期内的导通关断信号，实现开关信号重叠的目的，确保开关变换过程中电流的连续性，避免电路出现断路现象，同时减少了谐波含量和共模电压含量，降低了开关损耗。

关键词：三相电容载波周期开关管参考电流所在扇区矢量矢量作用调制波电流源型变流器三相参考电流串联二极管共模电压开关变换开关损耗开关信号开关状态三角载波断路零矢量源矢量导通谐波调制电路采集合成赋予

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一种高效产生直流和二次谐波的单串联二极管整流电路

一种高效产生直流和二次谐波的单串联二极管整流电路

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作者：罗章杰陈雨程强马慧锋蒋卫祥崔铁军 211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

本发明涉及一种高效产生直流和二次谐波的单串联二极管整流电路，由阻抗匹配模块、谐波输出支路、直流滤波模块、肖特基二极管、直流输出支路构成。谐波输出支路连接于肖特基二极管的阳极，直流输出支路连接于肖特基二极管的阴极。与传... 详细信息

标准号: CN117013855A

本发明涉及一种高效产生直流和二次谐波的单串联二极管整流电路，由阻抗匹配模块、谐波输出支路、直流滤波模块、肖特基二极管、直流输出支路构成。谐波输出支路连接于肖特基二极管的阳极，直流输出支路连接于肖特基二极管的阴极。与传统整流电路不同，本发明电路能够将基波能量同时转换为直流和二次谐波，且“基波‑二次谐波”转换效率高，基波转换总效率高。该电路属于无源电路，完全依靠输入的基波能量工作，其“基波‑二次谐波”转换效率的提升不需要外加电源，不依赖射频放大器或其他特殊设备，具有结构简单、加工简便的优点。能够应用于无线能量收集和谐波通信等场景。

关键词：支路二次谐波肖特基二极管基波基波能量谐波输出整流电路直流输出转换效率电路直流滤波模块阻抗匹配模块阴极串联二极管射频放大器阳极外加电源无线能量无源电路总效率转换场景通信加工应用

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串联二极管、电路以及电气装置

串联二极管、电路以及电气装置

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作者：稻田正树日本京都府

串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基... 详细信息

标准号: CN113196502A

串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)，并流过反向的隧道电流。

关键词：肖特基势垒二极管反向连接串联二极管半导体层绝缘体层隧道电流肖特基结金属层

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一种串联二极管

一种串联二极管

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作者：孙福功盛书萍盛玉斌 214000 江苏省无锡市锡山区东亭杨亭工业园兴塘路南

本实用新型公开了一种串联二极管，包括框架、两颗铜粒、两组芯片和两组铜跳线，所述两颗铜粒均设置在框架上，所述芯片包括P面和N面，所述其中一块芯片P面压在其中一颗铜粒上，N面位于其中一块铜跳线的下方，所述另外一块芯片P面位于... 详细信息

标准号: CN213026114U

本实用新型公开了一种串联二极管，包括框架、两颗铜粒、两组芯片和两组铜跳线，所述两颗铜粒均设置在框架上，所述芯片包括P面和N面，所述其中一块芯片P面压在其中一颗铜粒上，N面位于其中一块铜跳线的下方，所述另外一块芯片P面位于另一块铜跳线的下方，N面压在另一颗铜粒上，所述两组铜跳线分别连接有接线引脚，所述框架也延伸有框架引脚，所述接线引脚位于框架引脚的两侧。本实用新型将两个二极管整合在一个框架上形成串联二极管，结构简单，可直接应用于大电流、高电压、高频率的电路中，无需对电路再进行特殊设计。

关键词：跳线铜粒两组本实用新型串联二极管接线引脚框架引脚芯片P面电路芯片二极管大电流高电压高频率整合延伸应用

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一种串联二极管的封装结构

一种串联二极管的封装结构

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作者：江俊 213000 江苏省常州市新北区河海西路195号

本实用新型公开了一种串联二极管的封装结构，包括封装筒、正极盖板、负极盖板、正极板、负极板和导线，封装筒、正极盖板和负极盖板均绝缘，封装筒呈空心圆柱状，正极盖板和负极盖板均与封装筒适配，正极盖板的右侧固定连接有正极板和... 详细信息

标准号: CN210325789U

本实用新型公开了一种串联二极管的封装结构，包括封装筒、正极盖板、负极盖板、正极板、负极板和导线，封装筒、正极盖板和负极盖板均绝缘，封装筒呈空心圆柱状，正极盖板和负极盖板均与封装筒适配，正极盖板的右侧固定连接有正极板和封装筒，正极板的表面与封装筒的内壁滑动连接，负极盖板的左侧固定连接有负极板，封装筒的侧壁与负极盖板的侧壁滑动连接。该串联二极管的封装结构，通过设置利用封装筒将二极管尽量堆叠，利用绝缘布和导线将二极管串联，再通过布线块与限位块的卡接，防止导线纠缠，再利用搭扣，使得二极管封装便于拆卸组装，从而具有减少串联二极管的占用面积和根据实际需要改变串联二极管封装规格的特点。

关键词：封装筒负极盖板串联二极管正极盖板正极板封装结构负极板侧壁本实用新型二极管串联二极管封装空心圆柱状二极管便于拆卸导线纠缠滑动连接内壁滑动绝缘布面积和限位块再利用布线搭扣堆叠适配封装绝缘组装占用

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一种串联二极管的方波电流下降沿振荡抑制拓扑结构

一种串联二极管的方波电流下降沿振荡抑制拓扑结构

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作者：王议锋吴啸尘程鹏宇韩富强陈梦颖刘瑞欣 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明公开一种串联二极管的方波电流下降沿振荡抑制拓扑结构，包括相互并联的调光开关管和LED，所述LED的内部电路等效为相互串联的基准电压源、等效电阻和LED结电容；LED内部等效电路中串联有理想二极管，所述理想二极管上并联有理想... 详细信息

标准号: CN111885778A

本发明公开一种串联二极管的方波电流下降沿振荡抑制拓扑结构，包括相互并联的调光开关管和LED，所述LED的内部电路等效为相互串联的基准电压源、等效电阻和LED结电容；LED内部等效电路中串联有理想二极管，所述理想二极管上并联有理想二极管结电容，所述调光开关管和LED的电路中还存在线路寄生电感。

关键词：理想二极管调光开关并联串联线路寄生电感串联二极管基准电压源等效电路等效电阻方波电流内部电路拓扑结构振荡抑制电容结电容下降沿电路

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串联二极管的封装结构及电子设备

串联二极管的封装结构及电子设备

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作者：刘永东 510000 广东省广州市增城区永宁街誉山国际融景一路4号201房

本实用新型涉提供一种串联二极管的封装结构及电子设备，封装结构包括：封装体和散热片；封装体内设置有金属框架、第一二极管芯片、第二二极管芯片；金属框架包括第一引脚、第二引脚和辅助引脚，均暴露于封装体的外部；封装体的背面设... 详细信息

标准号: CN208000917U

本实用新型涉提供一种串联二极管的封装结构及电子设备，封装结构包括：封装体和散热片；封装体内设置有金属框架、第一二极管芯片、第二二极管芯片；金属框架包括第一引脚、第二引脚和辅助引脚，均暴露于封装体的外部；封装体的背面设置有凹槽，散热片设置于凹槽内；第一二极管芯片的一极贴附在辅助引脚上，第二二极管芯片极性相反的一极与辅助引脚电连接，第二二极管芯片极性相同的一极贴附在第一引脚和第二引脚的其中一个引脚上，第一二极管芯片的另一极与第一引脚和第二引脚中的另一个引脚电连接。本实用新型可缓解现有技术中存在的串联二极管封装只能通过限制电流的方式解决散热不良的技术问题。

关键词：引脚二极管芯片辅助引脚封装体本实用新型串联二极管封装结构金属框架电连接散热片贴附封装背面设置电子设备极性相反限制电流散热体内暴露缓解外部

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