检索结果-内蒙古大学图书馆

本发明公开了一种二极管电路、交流信号放大电路及高速比较器，二极管电路，包括：第一连接端、第二连接端、第一放大器和单向导电单元，第一放大器的第一输入端与第一连接端相连，第一放大器的第二输入端与第二连接端相连，单向导电单元的第一端和第二端与第一放大器的输出端和第二连接端相连，第一放大器基于内部产生的失调电压获得第一连接端和第二连接端之间的电压。通过单向导电单元的单向导通特性，结合闭环的第一放大器，得到只能单向流动的输出电流，在第一放大器内加入失调电压，可以设定单向输出电流时的第一连接端和第二连接端之间的电压差，达到了二极管的效果，通过调节第一放大器输入的失调电压，从而调节二极管电路的导通电压。

关键词：放大器连接端单向导电单元二极管电路失调电压输出电流输入端单向导通特性交流信号放大闭环高速比较器二极管单向流动导通电压第一端电压差输出端电路

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二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法

二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法

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作者：维维克·沙巴拉曼尼恩派崔克·史密斯美国加利福尼亚州森尼维耳市

本发明公开了一种二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法。所述二极管制造方法包含下列步骤：在一衬底上形成一第一图案化半导体层，该第一图案化半导体层具有一第一导电型式；在该衬底上形成一第二图案化半导体层，该第... 详细信息

标准号: CN1979816B

本发明公开了一种二极管电路及其箝位电路、二极管制造方法及其限压方法。所述二极管制造方法包含下列步骤：在一衬底上形成一第一图案化半导体层，该第一图案化半导体层具有一第一导电型式；在该衬底上形成一第二图案化半导体层，该第二图案化半导体层具有一第二导电型式；在该第一图案化半导体层、该第二图案化半导体层以及该衬底上方形成一图案化绝缘层；以及在该图案化绝缘层上形成一第一图案化金属层，该第一图案化金属层与该第一图案化半导体层以及该第二图案化半导体层电性接触。本发明有效利用NMOS薄膜晶体管的阈值电压与PMOS薄膜晶体管的阈值电压之间的偏离来建立及/或改善正向电压降的稳定度。

关键词：图案化半导体衬底二极管制造方法图案化绝缘层薄膜晶体管图案化金属导电型式阈值电压二极管电路箝位电路层电性正向电压接触

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二极管电路和太阳能电池系统

二极管电路和太阳能电池系统

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作者： A·J·惠特沃思美国亚利桑那

本实用新型题为“二极管电路和太阳能电池系统”。本实用新型公开了一种用于减少反向偏压二极管器件诸如肖特基二极管中的反向泄漏电流的电路和方法。所述二极管器件电耦合在N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件之间，并且所述耗尽型器件... 详细信息

标准号: CN209344076U

本实用新型题为“二极管电路和太阳能电池系统”。本实用新型公开了一种用于减少反向偏压二极管器件诸如肖特基二极管中的反向泄漏电流的电路和方法。所述二极管器件电耦合在N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件之间，并且所述耗尽型器件的栅极电耦合到所述电路的相对端子，使得基于施加到所述电路的端子的电压使两者都处于导通状态或关断状态。当所述电路正向偏压时，两个耗尽型器件都处于导通状态，并且当所述二极管器件反向偏压时，两个所述耗尽型器件都处于所述关断状态。处于所述关断状态的所述耗尽型器件减少所述二极管器件的反向泄漏电流。该减少对于需要有效二极管操作的应用非常有用，诸如太阳能电池系统。

关键词：耗尽型器件二极管器件关断状态电路太阳能电池系统本实用新型导通状态泄漏电流电耦合反向偏压二极管肖特基二极管二极管电路二极管反向偏压正向偏压施加应用

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带稳压电荷泵的电容偏置二极管电路及基准电压产生电路

带稳压电荷泵的电容偏置二极管电路及基准电压产生电路

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作者：唐中谭年熊 310053 浙江省杭州市滨江区六和路368号海创基地北楼A4070号

本发明公开了一种带稳压电荷泵的电容偏置二极管电路及基准电压产生电路，属于集成电路设计技术领域。所述带稳压电荷泵的电容偏置二极管电路包括电荷泵电路和电容偏置二极管电路，电荷泵电路的一端连接输入电压，另一端连接电容偏置二... 详细信息

标准号: CN118249797A

本发明公开了一种带稳压电荷泵的电容偏置二极管电路及基准电压产生电路，属于集成电路设计技术领域。所述带稳压电荷泵的电容偏置二极管电路包括电荷泵电路和电容偏置二极管电路，电荷泵电路的一端连接输入电压，另一端连接电容偏置二极管电路，所述输入电压低于1V；电容偏置二极管电路包括电容支路和二极管支路，电荷泵电路用于将输入电压升高至充电电压，充电电压用于为电容支路充电，电容支路通过二极管支路放电，二极管支路产生输出电压。该电容偏置二极管电路可以大幅降低外部供电电压，结构简洁，电荷泵电路增加稳压电路可以进一步保证产生的充电电压和外部电源电压无关，提升了电容偏置二极管对外部电源电压波动的鲁棒性。

关键词：电容二极管电路偏置电荷泵电路二极管支路充电电压电容支路输入电压外部电源电压一端连接电荷泵稳压基准电压产生电路集成电路设计外部供电电压二极管输出电压稳压电路鲁棒性放电充电升高保证

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一种检测二极管电路的方法和装置

一种检测二极管电路的方法和装置

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作者：江俭张念东陈帅李兰荣 100094 北京市海淀区丰慧中路7号新材料创业大厦502

本申请公开了一种检测二极管电路的方法和装置，二极管电路是串联二极管电路和并联二极管电路中的一种，该方法包括：利用测试驱动源对施加至被测二极管电路的电压值和电流值中的至少一者进行分阶梯依次递增；以及测量被测二极管电路施... 详细信息

标准号: CN111596195A

本申请公开了一种检测二极管电路的方法和装置，二极管电路是串联二极管电路和并联二极管电路中的一种，该方法包括：利用测试驱动源对施加至被测二极管电路的电压值和电流值中的至少一者进行分阶梯依次递增；以及测量被测二极管电路施加递增后的实际的输出电压值和输出电流值直至达到结束递增的条件。本申请的目的至少在于，能够利用大电压宽电流快速精准地测试串并联二极管电路，并且可以有效防止被测二极管电路中存在个别元件短路、连焊、断路、虚焊等重大缺陷时施加过大电流、电压对被测二极管电路造成的损坏。

关键词：二极管电路施加串联二极管电路并联二极管方法和装置递增测试驱动快速精准输出电流输出电压依次递增重大缺陷串并联大电流种检测短路断路连焊虚焊申请电路测量测试

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太赫兹二极管电路装配板及其制备方法

太赫兹二极管电路装配板及其制备方法

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作者：宋旭波梁士雄吕元杰张立森冯志红顾国栋郭红雨 050051 河北省石家庄市合作路113号

本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于... 详细信息

标准号: CN111599745B

本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。

关键词：二极管电路基板定位桩装配二极管电路预置位置装配板电路性能装配位置制备

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制造半导体装置的天线二极管电路

制造半导体装置的天线二极管电路

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作者： J·金 M·拉希德 N·贾殷 A·米塔尔 S·金美国加利福尼亚州

本发明揭示制造半导体装置的天线二极管电路，其揭示至少一种方法、设备及系统涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共用二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成... 详细信息

标准号: CN107919352B

本发明揭示制造半导体装置的天线二极管电路，其揭示至少一种方法、设备及系统涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共用二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相邻于半导体装置中的n型阱。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至该半导体装置的第一信号线的第一天线二极管，用于释放该第一信号线上的累积电荷。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至半导体装置的第二信号线的第二天线二极管，用于释放该第二信号线上的累积电荷。

关键词：半导体装置操作性耦合二极管天线隔离深n型阱区第二信号累积电荷二极管电路设备及系统接地节点释放耦合制造

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