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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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51 篇 专利
1 篇 成果

馆藏范围

52 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

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学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

1 篇 宽带砷化镓电调变...
1 篇 二极管管芯

机构

5 篇 电子科技大学
4 篇 广安市嘉乐电子科...
3 篇 苏州华域祥电子科...
3 篇 中国振华集团永光...
3 篇 安徽华瑞半导体科...
2 篇 深圳市大疆创新科...
2 篇 池州睿成微电子有...
2 篇 安徽滨湖机电新材...
2 篇 黄山芯微电子股份...
2 篇 青岛海宜丰电力电...
2 篇 西安卫光科技有限...
2 篇 艾赛斯有限责任公...
2 篇 华东光电集成器件...
1 篇 挖财网络技术有限...
1 篇 常州唐龙电子股份...
1 篇 江苏宝浦莱半导体...
1 篇 英飞凌科技奥地利...
1 篇 四川众为创通科技...
1 篇 江苏皋鑫电子有限...
1 篇 科广电子有限公司

作者

6 篇 牛中乾
6 篇 张波
5 篇 丁宁
5 篇 丁延柏
5 篇 张忠革
5 篇 刘传让
4 篇 支炜
4 篇 李平生
4 篇 欧金荣
3 篇 张云珂
3 篇 杨骑东
3 篇 邵嘉妤
3 篇 郑弘
3 篇 苏一洪
3 篇 孙明伟
3 篇 尹千里
3 篇 张勇
3 篇 袁军
2 篇 朱华利
2 篇 陈江波

语言

52 篇 中文

检索条件"主题词=二极管管芯"

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详细简洁

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一种能够提高亮度的发光二极管及制作方法

一种能够提高亮度的发光二极管及制作方法

引用

作者：周维王宗泽 300000 天津市西青区海逸长洲恋海园3号楼2202

一种能够提高亮度的发光二极管及制作方法，二极管有由下至上依次设置的基片、绝缘层和金属层，金属层上并排形成有2组以上的由上下贯通的发光孔槽构成的发光二极管的发光环，基片上开有与2组以上的发光环相对应的2组以上的V形槽，V形... 详细信息

标准号: CN104465693B

一种能够提高亮度的发光二极管及制作方法，二极管有由下至上依次设置的基片、绝缘层和金属层，金属层上并排形成有2组以上的由上下贯通的发光孔槽构成的发光二极管的发光环，基片上开有与2组以上的发光环相对应的2组以上的V形槽，V形槽的表面上覆盖有绝缘层，位于发光环环内侧的金属层与基片直接连接。方法是：在模板上每一个内布设两个以上的二极管管芯图形；形成P‑N结；用刻蚀和钝化的方法将管芯图形刻蚀在基片上并构成单只的具有两个以上二极管管芯的二极管芯片的雏形；覆盖绝缘层；开引线窗口；覆盖引线金属层；切割分离成单粒的具有两个以上的相并联的管芯的发光二极管芯片。本发明使发光二极管的发光亮度有明显的增加。

关键词：发光二极管金属层绝缘层二极管管芯发光环刻蚀发光发光二极管芯片二极管芯片覆盖绝缘层引线金属层二极管管芯图形切割分离上下贯通依次设置布设发光孔并联钝化覆盖管芯制作

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太赫兹倍频器中肖特基二极管的参数确定和制造方法及太赫兹倍频器

太赫兹倍频器中肖特基二极管的参数确定和制造方法及太赫兹倍频器

引用

作者：张波牛中乾尹千里袁军张云珂邵嘉妤苏一洪支炜杨骑东孙明伟 215345 江苏省苏州市昆山市淀山湖镇淀山湖电子商务产业园5号楼201室

本发明涉及太赫兹通信技术领域，具体涉及一种太赫兹倍频器中肖特基二极管的参数确定和制造方法及太赫兹倍频器，其中，参数确定方法包括，对任意一个肖特基二极管进行仿真，获得二极管管芯的热耗散功率，并获得二极管管芯的热承载功率... 详细信息

标准号: CN116384131A

本发明涉及太赫兹通信技术领域，具体涉及一种太赫兹倍频器中肖特基二极管的参数确定和制造方法及太赫兹倍频器，其中，参数确定方法包括，对任意一个肖特基二极管进行仿真，获得二极管管芯的热耗散功率，并获得二极管管芯的热承载功率，如果热耗散功率大于热承载功率，则降低所述二极管管芯的耗尽层的掺杂浓度和/或将所述二极管管芯的半导体材料替换为热承载功率更高的半导体材料，以使所述二极管管芯的热耗散功率小于热承载功率。上述技术方案，可以快速且更准确地确定需求的太赫兹倍频器中肖特基二极管的二极管管芯的耗尽层掺杂浓度和/或半导体材料的参数，从而可以更好地提高太赫兹倍频器中肖特基二极管的性能以提升太赫兹倍频器倍频效率。

关键词：二极管管芯倍频器肖特基二极管半导体材料热耗散功率承载参数确定耗尽层掺杂通信技术领域倍频效率替换制造

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一种太赫兹功率合成电路的临界驱动功率测定方法

一种太赫兹功率合成电路的临界驱动功率测定方法

引用

作者：张波牛中乾尹千里袁军张云珂邵嘉妤苏一洪支炜杨骑东孙明伟 215345 江苏省苏州市昆山市淀山湖镇淀山湖电子商务产业园5号楼201室

本发明提供了一种太赫兹功率合成电路的临界驱动功率测定方法，所述太赫兹功率合成电路包括太赫兹功分器、太赫兹功合器、以及多个太赫兹倍频器，太赫兹倍频器位于太赫兹功分器和太赫兹功合器之间。本发明先通过太赫兹功率合成电路的电... 详细信息

标准号: CN116298763A

本发明提供了一种太赫兹功率合成电路的临界驱动功率测定方法，所述太赫兹功率合成电路包括太赫兹功分器、太赫兹功合器、以及多个太赫兹倍频器，太赫兹倍频器位于太赫兹功分器和太赫兹功合器之间。本发明先通过太赫兹功率合成电路的电磁模型进行仿真，然后单独对太赫兹倍频器中的二极管进行建模仿真，通过单个二极管管芯的电子学模型和热力学模型配合，确定二极管实际可承受输入功率上限p₃，然后测太赫兹功率合成电路实际最大可承受的电路驱动功率P₃，从而得到太赫兹功率合成电路的临界驱动功率，对指导功率合成电路的安全使用，以及太赫兹电路安全设计均具有重要意义。

关键词：功率合成电路倍频器二极管驱动功率功分器功合器二极管管芯热力学模型安全使用电磁模型电路安全电路驱动建模仿真输入功率重要意义电子学配合

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具有多个发射器和多个接收器的光探测和测距传感器以及相关联的系统和方法

具有多个发射器和多个接收器的光探测和测距传感器以及相关联的系...

引用

作者：刘祥洪小平郑国光黄淮陈江波 518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼

描述了与光检测和测距(LIDAR)应用相关联的系统和技术。在一个代表性方面，公开了可用来实施封装半导体设备的技术。该设备包括：基板；二极管管芯，其由基板承载并定位成发射电磁能量束；以及壳体，其联接到基板以围绕二极管管芯。该... 详细信息

标准号: CN112041985A

描述了与光检测和测距(LIDAR)应用相关联的系统和技术。在一个代表性方面，公开了可用来实施封装半导体设备的技术。该设备包括：基板；二极管管芯，其由基板承载并定位成发射电磁能量束；以及壳体，其联接到基板以围绕二极管管芯。该壳体包括开口或透明区域，以允许从二极管管芯发射的电磁能量束穿过该壳体。

关键词：二极管管芯壳体基板测距发射电磁能量半导体设备电磁能量束基板承载透明区域光检测可用封装开口穿过关联发射应用

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具有多个发射器和多个接收器的光探测和测距传感器以及相关联的系统和方法

具有多个发射器和多个接收器的光探测和测距传感器以及相关联的系...

引用

作者：刘祥洪小平郑国光黄淮陈江波 518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼

标准号: CN112074759A

关键词：二极管管芯壳体基板测距发射电磁能量半导体设备电磁能量束基板承载透明区域光检测可用封装开口穿过关联发射应用

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一种宽带高效三倍频器的设计方法

一种宽带高效三倍频器的设计方法

引用

作者：张勇李祥赵安捷张铁笛 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明公开了一种宽带高效三倍频器的设计方法，属于倍频技术领域，具体为：先确定三倍频器的目标频段，获得目标频段内最优理想倍频效率对应的二极管管芯对的Spice参数；控制谐波，使二极管组件的输入三次谐波阻抗和输出基波阻抗处于... 详细信息

标准号: CN116996022A

本发明公开了一种宽带高效三倍频器的设计方法，属于倍频技术领域，具体为：先确定三倍频器的目标频段，获得目标频段内最优理想倍频效率对应的二极管管芯对的Spice参数；控制谐波，使二极管组件的输入三次谐波阻抗和输出基波阻抗处于准开路状态；通过调整二极管组件的结构尺寸，获得目标频段内各频率点的最优理想倍频效率，提取对应二极管组件的最优输入基波匹配阻抗和最优输出三次谐波匹配阻抗；通过调整输入波导、输入探针、输出探针和输出波导的尺寸，实现二极管组件的阻抗匹配，最终合成整体优化后得到宽带高效三倍频器。本发明在保证二极管组件适用于目标频段的前提下，使二极管管芯发挥最大倍频效率，提升匹配效果，拓展工作带宽。

关键词：二极管组件目标频段倍频效率二极管管芯高效三倍频匹配阻抗三次谐波宽带输出倍频技术工作带宽基波阻抗开路状态匹配效果三倍频器输出波导输出探针输入波导输入探针整体优化阻抗匹配频率点基波谐波阻抗合成拓展保证

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高温二极管制备方法及高温二极管

高温二极管制备方法及高温二极管

引用

作者：于波 266000 山东省青岛市四方区南昌支路1号

本发明公开了一种高温二极管制备方法及高温二极管，采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺制备二极管管芯，然后将二极管管芯直接焊接到底部开槽安装有钼片的管座上，在盖管帽之前将内引线与二极管管芯焊接在一起，然后封帽，最后采用冲压方式将... 详细信息

标准号: CN113380622B

本发明公开了一种高温二极管制备方法及高温二极管，采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺制备二极管管芯，然后将二极管管芯直接焊接到底部开槽安装有钼片的管座上，在盖管帽之前将内引线与二极管管芯焊接在一起，然后封帽，最后采用冲压方式将阴极管与内引线冲压铆接形成二极管成品，将二极管的性能提升至结温≥200℃，高温反向漏电流小于0.8mA，耐温度应力范围‑55～200℃，20个循环，机械应力为198000 m/，时间10分钟。

关键词：二极管管芯二极管内引线二极管成品反向漏电流玻璃烧结冲压方式冲压铆接底部开槽工艺制备机械应力温度应力性能提升直接焊接氮化硅阴极管封帽盖管管座结温钼片制备焊接

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一种太赫兹倍频器及其肖特基二极管电路设计方法

一种太赫兹倍频器及其肖特基二极管电路设计方法

引用

作者：牛中乾谢剑支炜 215133 江苏省苏州市相城区高铁新城青龙港路60号港口大厦11层1108室

本发明涉及太赫兹通信技术领域，具体涉及一种太赫兹倍频器及其肖特基二极管电路设计方法，对太赫兹倍频器中的肖特基二极管电路进行热仿真，基于该热仿真结果获得肖特基二极管电路所有二极管管芯的总热耗散功率；对于任意一个肖特基二... 详细信息

标准号: CN116562211A

本发明涉及太赫兹通信技术领域，具体涉及一种太赫兹倍频器及其肖特基二极管电路设计方法，对太赫兹倍频器中的肖特基二极管电路进行热仿真，基于该热仿真结果获得肖特基二极管电路所有二极管管芯的总热耗散功率；对于任意一个肖特基二极管，获取二极管管芯的热承载功率；计算所述总热耗散功率与热承载功率的比值并向上取整得到第一数值；基于第一数值与预设的阈值范围进行比较，并根据符合的阈值范围设计肖特基二极管电路。基于上述方案，可以快速且更准确地确定需求的太赫兹倍频器中肖特基二极管的电路结构，从热效应角度解决了在较大驱动功率驱动下，如何改进太赫兹倍频器中肖特基二极管的电路结构来提升太赫兹倍频器的倍频效率的问题。

关键词：肖特基二极管倍频器二极管管芯热耗散功率电路电路结构热仿真热效应承载通信技术领域倍频效率电路设计结果获得驱动功率取整预设驱动改进

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用于PFC应用的封装的快速反向二极管组件

用于PFC应用的封装的快速反向二极管组件

引用

作者：石庆旭美国加利福尼亚州

新的四端子封装的半导体器件在400伏的直流输出PFC升压转换器电路中是特别有用的。在封装的主体内，安装NFET管芯和快速反向二极管管芯，使得NFET的底侧漏极电极经由管芯附接片电耦接到反向二极管的底侧P型阳极区域。第一端子T1被耦接... 详细信息

标准号: CN109427706B

新的四端子封装的半导体器件在400伏的直流输出PFC升压转换器电路中是特别有用的。在封装的主体内，安装NFET管芯和快速反向二极管管芯，使得NFET的底侧漏极电极经由管芯附接片电耦接到反向二极管的底侧P型阳极区域。第一端子T1被耦接到管芯附接片。第二端子T2被耦接到NFET管芯的栅极。第三端子T3被耦接到NFET管芯的源极。第四端子T4被耦接到快速反向二极管管芯的顶侧阴极电极。由于反向二极管管芯的新的P+型电荷载流子提取区域，该封装器件在PFC升压转换器电路应用中是快速的且具有低的反向漏电流。

关键词：管芯升压转换器电路二极管管芯反向二极管快速反向附接封装半导体器件电荷载流子反向漏电流封装器件提取区域阳极区域阴极电极直流输出电极侧漏电耦顶侧源极应用

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通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片

通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层...

引用

作者： R·奥特伦巴奥地利菲拉赫

公开了通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片。一种用于制造二极管层堆叠体的方法(100)包括：提供二极管层堆叠体(110)，其包括：碳化硅二极管管芯，其包括位于二极管管芯的阳极侧处的第一主表... 详细信息

标准号: CN118053774A

公开了通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片。一种用于制造二极管层堆叠体的方法(100)包括：提供二极管层堆叠体(110)，其包括：碳化硅二极管管芯，其包括位于二极管管芯的阳极侧处的第一主表面以及位于二极管管芯的阴极侧处的与第一主表面相对的第二主表面，层堆叠体，其位于二极管管芯的第一主表面上，层堆叠体包括设置在二极管管芯的第一主表面上的铜层以及设置在铜层上方的含锡层或含铟层；提供管芯焊盘(120)，其包括铜引线框架，其包括：第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面；以及执行用于将具有层堆叠体的二极管层堆叠体连接到管芯焊盘的第一主表面的扩散焊接工艺(130)。

关键词：主表面堆叠体二极管管芯二极管层层堆叠管芯焊盘铜层扩散焊接工艺碳化硅二极管铜引线框架倒装芯片引线框架含铟层金属化铜镍锡阳极侧阴极侧管芯锡层焊接扩散制造

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