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  • 1 篇 单元电路
  • 1 篇 瞬态光电流
  • 1 篇 寄生效应
  • 1 篇 阱电势抬升
  • 1 篇 瞬态辐射
  • 1 篇 瞬时电离辐射效应

机构

  • 1 篇 西北核技术研究所

作者

  • 1 篇 刘岩
  • 1 篇 陈伟
  • 1 篇 李瑞宾
  • 1 篇 丁李利
  • 1 篇 谢泽元
  • 1 篇 李俊霖

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=二次光电流"
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排序:
脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
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物理学报 2022年 第4期71卷 195-202页
作者: 李俊霖 李瑞宾 丁李利 陈伟 刘岩 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开... 详细信息
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元器件和单元电路辐照效应的计算机模拟
元器件和单元电路辐照效应的计算机模拟
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作者: 谢泽元
脉冲γ射线入射到半导体内,使半导体原子受激,产生电子空穴对。在P-N结耗尽区内产生的载流子,由外加反向电场收集,形成漂移电流。而耗尽区外产生的载流子,由于载流子浓度梯度的存在,要扩散过结,由外加电场收集,形成扩散电流。漂移电流... 详细信息
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