检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王培智吉林大学

学位级别：硕士

二次离子质谱（Secondary-ion-mass spectroscope SIMS）,即用自身带有一定能量的离子束轰击待测样品表面，将样品表面的原子溅射出来成为带电的二次离子，然后用磁分析器/四级杆质能筛选器所组成的质谱仪分析离子的荷/质比，便可知道... 详细信息

二次离子质谱（Secondary-ion-mass spectroscope SIMS）,即用自身带有一定能量的离子束轰击待测样品表面，将样品表面的原子溅射出来成为带电的二次离子，然后用磁分析器/四级杆质能筛选器所组成的质谱仪分析离子的荷/质比，便可知道样品表面元素的组成和成份。大型二次离子质谱仪器，是最前沿的表面分析技术。它可以在数秒内对表面的局部区域进行扫描和分析，生成一个表面成分图。其已经广泛的应用于地球化学及同位素分析领域。二次离子质谱仪器中，一次离子源、一次离子光学系统、二次离子飞行管道、质量分析器中，各个部分都需要高压来对离子进行电离、加速/减速、偏转、聚焦等物理过程。所以高压控制系统是整个系统正常运行的基础，在整个二次离子质谱仪器中占有重要地位。本硕士论文选题来源于“十一五”国家科技支撑计划重点项目“二次离子质谱仪器核心技术及关键部件研究与开发”（编号：2006BAK03A21）。高压控制系统是其中的的重要部分，其性能的好坏直接影响到一次离子的产出率，一次离子束斑的大小，一次离子束的电流强度以及二次离子的能量筛选精度和仪器整体的分辨率等指标。本课题主要研究：高压发生的核心控制电路ARM核心板以及其外围电路的整体设计;D/A转换电路和高压驱动电路的硬件设计以及其在Linux下驱动程序的编写;高压发生装置在实际应用过程中的测试及其可靠性测试。本课题研究的各项技术对二次离子质谱仪器的研制有一定的参考价值。二次离子质谱仪器对高压的精度的要求较高，目前本项目的要求是各部分高压的精度最小的要不大于0.05%，因此，对控制电路的控制稳定度和高压发生源的精度要求较高。本文根据系统的要求主要进行了以下几方面的研究。首先，提出高压控制系统的整体设计方案。该方案以包括以AT91RM9200为控制核心的核心控制电路;AD5725芯片构成的数字-模拟电压转换电路;后置高压控制电路和高压电源模块构成整体电路。其次，给出了ARM核心板及其外围电路、D/A转换电路、和高压控制电路的硬件设计。ARM核心板采用的是Atmel公司的AT91RM9200作为整个电路的控制核心，它负责接收用户的命令，根据相应指令，控制D/A输出，从而控制不同高压值输出。根据任务对高压的要求为精度不小于0.05%，我们计算得出D/A转换芯片的最低位数为12位，INL不小于1LSB，所以我们采用Analog Devices公司的AD5725作为我们D/A转换电路的核心芯片，它负责从ARM控制板读取数字量，进而转化为模拟控制量。高压控制电路负责将D/A转换电路输出的模拟控制量进行跟随放大，使控制信号与高压电源之间达到阻抗匹配的目的。再次，简单介绍了Linux系统内核的配置和裁剪和其向硬件平台的移植。重点阐述了Linux系统下字符设备驱动程序编写的方法和步骤，同时给出了AD5725芯片在Linux操作系统下的硬件驱动过程以及AD5725应用程序的编写。最后，重点对整个系统做了详细的应用性测试。主要包括对核心板硬件电路的功能性测试;D/A芯片的静态参数、动态参数的测试;对于±250V高压、300V.5KV高压、-10KV0KV高压的输出电流、电压纹波和电压稳定度的测试。其中AD5725的INL≤0.4LSB，满足系统要求。±250V高压的电压纹波为0.004%，电压稳定度为0.007%;300V.5KV高压的电压纹波为0.004%，电压稳定度为0.04%;-10KV0KV高压的电压纹波为0.003%，电压稳定度为0.04%;均达到任务指标。整个高压发生系统移植到SHRIMP上进行实验，测试出其稳定性和精度均达到了预期标准。

关键词：二次离子质谱仪高压控制高精度 AT91RM9200 Linux

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二次离子质谱仪用准原位充放电样品转移装置及应用

二次离子质谱仪用准原位充放电样品转移装置及应用

引用

作者：王其钰张建茹李泓 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

本发明实施例涉及一种二次离子质谱仪用准原位充放电样品转移装置，包括准原位充放电样品托和可外接电极的惰性气氛保护样品转移盒；其中，准原位充放电样品托包括金属样品托、绝缘样品托组件和两个导电极耳；绝缘样品托组件设置于金属... 详细信息

标准号: CN117747401A

本发明实施例涉及一种二次离子质谱仪用准原位充放电样品转移装置，包括准原位充放电样品托和可外接电极的惰性气氛保护样品转移盒；其中，准原位充放电样品托包括金属样品托、绝缘样品托组件和两个导电极耳；绝缘样品托组件设置于金属样品托上，用于固定储能器件样品；两个导电极耳均固定在绝缘样品托组件上，并设置在储能器件样品的两侧；可外接电极的惰性气氛保护样品转移盒包括盒体、样品限位弹簧、密封开关、两个可伸缩接触电极和两组凹型滑轮。本装置安装简便、操作安全，可同时满足二次电池类储能器件的原位充放电需求和二次离子质谱采集测试需要，从而能够在二次电池类储能器件充放电的同时进行转移和原位表征。

关键词：充放电储能器件绝缘样品准原位惰性气氛保护导电极耳二次电池金属样品外接电极样品转移样品托二次离子质谱仪二次离子质谱样品转移装置凹型滑轮操作安全接触电极密封开关限位弹簧原位表征装置安装组件设置可伸缩盒体两组采集测试

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二次离子质谱仪(SIMS)的原理及应用

引用

中国集成电路 2005年第8期14卷 74-78,73页

作者：田春生 EVANS分析集团

二次离子质谱仪(SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度(最低可探测浓度为ppm￣ppb数量级)和高分辨率(大约10!)。由于半导体材料的特殊性,即其电学特性是由微量元素所决定的,在掺杂、沾污等测量分析中SIMS已成为... 详细信息

二次离子质谱仪(SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度(最低可探测浓度为ppm￣ppb数量级)和高分辨率(大约10!)。由于半导体材料的特殊性,即其电学特性是由微量元素所决定的,在掺杂、沾污等测量分析中SIMS已成为不可替代的手段。本文将对SIMS的原理及应用进行较为详细的介绍。

关键词：二次离子质谱仪灵敏度半导体材料分辨率电学特性表面分析

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二次离子质谱仪氩离子枪的研制

二次离子质谱仪氩离子枪的研制

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作者：陈丕瑾李幼哲王健华林会彬连亨长叶静如龙志翘清华大学中国科学院沈阳科学仪器厂电子部第12研究所

二次离子质谱仪是一种表面分析仪器，其检测灵敏度高，而氩离子枪是该仪器的重要组成部份。该氩离子枪的主要技术指标为：离子束能量５００～５０００ｅＶ；最大束流８μＡ；最小束斑直径＜０．２ｍｍ；最大束流密度３ｍＡ／ｃｍ。上... 详细信息

标准号: 840416

二次离子质谱仪是一种表面分析仪器，其检测灵敏度高，而氩离子枪是该仪器的重要组成部份。该氩离子枪的主要技术指标为：离子束能量５００～５０００ｅＶ；最大束流８μＡ；最小束斑直径＜０．２ｍｍ；最大束流密度３ｍＡ／ｃｍ。上述指标测定条件为：离子源氩压强０．００００００１～０．００００１。

关键词：离子二次离子氩离子离子质谱仪离子枪二次离子质谱仪氩离子枪质谱仪

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二次离子质谱仪和二次离子质谱法

二次离子质谱仪和二次离子质谱法

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作者：鲁道夫·弗洛斯埃瓦尔德·尼惠斯德国明斯特市

本发明涉及一种二次离子质谱仪和一种用于分析样品的二次离子质谱分析方法。现有技术中已知大量的二次离子质谱仪。在所述二次离子质谱仪中，尤其感兴趣的是飞行时间二次离子质谱仪(ToF‑SIMS)。

标准号: CN108028168B

关键词：二次离子质谱仪二次离子质谱分析分析样品飞行

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离子源的电离器组件、离子源及二次离子质谱仪

离子源的电离器组件、离子源及二次离子质谱仪

引用

作者：刘宇唐国强李秋立 100029 北京市朝阳区北土城西路19号

本申请提供了离子源的电离器组件、离子源及二次离子质谱仪，将化合物储库分隔为多个区域，多个区域中均设置化合物，使化合物的总表面积大于相关技术中化合物的总表面积，从而可以使化合物在工作过程中被完全消耗，节省资源的同时延长... 详细信息

标准号: CN116525403A

本申请提供了离子源的电离器组件、离子源及二次离子质谱仪，将化合物储库分隔为多个区域，多个区域中均设置化合物，使化合物的总表面积大于相关技术中化合物的总表面积，从而可以使化合物在工作过程中被完全消耗，节省资源的同时延长电离器组件的寿命。

关键词：电离器离子源二次离子质谱仪节省资源储库分隔消耗申请

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一种提高二次离子质谱仪样品腔真空度的全自动控制装置

一种提高二次离子质谱仪样品腔真空度的全自动控制装置

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作者：张万峰夏小平杨晴刘铭亮熊伯琴张彦强 510640 广东省广州市天河区科华街511号

本发明公开了一种提高二次离子质谱仪样品腔真空度的全自动控制装置，包括自增压液氮罐、真空冷冻罐、密封盖体及加液控制器，所述自增压液氮罐与真空冷冻罐之间通过液氮管道相连通，在所述真空冷冻罐内分别设有与加液控制器连接的低位... 详细信息

标准号: CN106571286B

本发明公开了一种提高二次离子质谱仪样品腔真空度的全自动控制装置，包括自增压液氮罐、真空冷冻罐、密封盖体及加液控制器，所述自增压液氮罐与真空冷冻罐之间通过液氮管道相连通，在所述真空冷冻罐内分别设有与加液控制器连接的低位传感器及高位传感器，在所述液氮管道上设有与加液控制器连接的气动阀门，所述气动阀门与氮气管道相连接，当真空冷冻罐中液氮达到预先设定的低位时，根据反馈加液控制器控制气动阀门打开；当真空冷冻罐中液氮达到预先设定的高位时，根据反馈加液控制器控制气动阀门关闭，从而对真空冷冻罐中液氮含量的精确控制，实现对样品腔真空度的精确控制。

关键词：加液控制器气动阀门真空冷冻液氮真空冷冻罐液氮管道样品腔液氮罐自增压二次离子质谱仪全自动控制装置低位传感器高位传感器反馈氮气管道密封盖体低位

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一种基于二次离子质谱仪的放射性屏蔽隔离系统

一种基于二次离子质谱仪的放射性屏蔽隔离系统

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作者：宁知恩方忠强吴璐扶靓虔周小钧张伟信天缘匡慧敏滕常青姚亮孔祥刚彭涛斯嘉轩徐锡语辛虹阳 610000 四川省成都市双流区长顺大道一段328号

本发明公开了一种基于二次离子质谱仪的放射性屏蔽隔离系统，手套箱内设有相互连通的样品转入区和样品转出区；屏蔽室在底部位置带有避空位；屏蔽室对应样品转入区一侧带有第一手套孔和第一剑式机械手预留孔；屏蔽室对应样品转出区一侧... 详细信息

标准号: CN117316480A

本发明公开了一种基于二次离子质谱仪的放射性屏蔽隔离系统，手套箱内设有相互连通的样品转入区和样品转出区；屏蔽室在底部位置带有避空位；屏蔽室对应样品转入区一侧带有第一手套孔和第一剑式机械手预留孔；屏蔽室对应样品转出区一侧带有翻开式屏蔽门，翻开式屏蔽门上带有第二剑式机械手预留孔；手套箱对应样品转出区另一侧还带有设备对接口，设备对接口用于和二次离子质谱仪对接。本发明旨在发明一种在不影响二次离子质谱仪正常工作的基础上能够实现对强放试样进行放射性屏蔽、气密性保持、试样密封转运对接、人员远距离操作等功能于一体的放射性屏蔽隔离系统，为二次离子质谱仪应用于核结构与功能材料的研发提供技术支持和安全保障。

关键词：二次离子质谱仪放射性屏蔽屏蔽室转出机械手隔离系统对接口翻开式预留孔转入远距离操作安全保障底部位置功能材料技术支持避空位核结构屏蔽门气密性手套孔手套箱屏蔽手套研发连通密封转运应用

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一种提高二次离子质谱仪样品腔真空度的全自动控制装置

一种提高二次离子质谱仪样品腔真空度的全自动控制装置

引用

作者：张万峰夏小平杨晴刘铭亮熊伯琴张彦强 510640 广东省广州市天河区科华街511号

标准号: CN106571286A

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一种飞行时间二次离子质谱仪及其质谱分析方法

一种飞行时间二次离子质谱仪及其质谱分析方法

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作者：高业成曹江城 250101 山东省济南市自由贸易试验区济南片区浪潮路1036号浪潮科技园S01楼35层

本申请涉及成分分析领域，特别是公开了一种飞行时间二次离子质谱仪及其质谱分析方法，包括步骤S1：在扫描模式下，根据待测样品表面产生的二次离子确定待测样品的成分；步骤S2：将成分聚焦到光栅上，得到第一成分分布图；步骤S3：判断... 详细信息

标准号: CN115639268A

本申请涉及成分分析领域，特别是公开了一种飞行时间二次离子质谱仪及其质谱分析方法，包括步骤S1：在扫描模式下，根据待测样品表面产生的二次离子确定待测样品的成分；步骤S2：将成分聚焦到光栅上，得到第一成分分布图；步骤S3：判断第一成分分布图中是否存在颜色均匀分布的目标区域；步骤S4：若第一成分分布图中存在目标区域，在溅射模式下扫描目标区域，并对待测样品进行质谱分析；步骤S5：若第一成分分布图中不存在目标区域，更换待测样品表面的扫描区域，并执行步骤S1。本申请中的质谱分析方法在对待测样品进行溅射扫描之前，先在扫描模式下对待测样品表面进行扫描，根据成像确定出位置再进行溅射扫描，提升质谱分析的准确性。

关键词：成分分布图质谱分析待测样品目标区域溅射扫描扫描模式二次离子质谱仪成分分析扫描目标扫描区域颜色均匀样品表面光栅成像申请离子聚焦飞行

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