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北京化工大学学报（自然科学版） 2017年第4期44卷 14-19页

作者：刘胶余雨田杨作银北京化工大学理学院北京100029

采用量子化学中的密度泛函理论探究了不同笼型结构(CH4@51262和CH4@435663)的不同环面(四元环面、五元环面、六元环面)以不同方式(单面平行和双面插嵌)与介质Si O2作用对水合笼稳定性的影响,计算了水合笼与Si O2表面间的相互作用能、水... 详细信息

采用量子化学中的密度泛函理论探究了不同笼型结构(CH4@51262和CH4@435663)的不同环面(四元环面、五元环面、六元环面)以不同方式(单面平行和双面插嵌)与介质Si O2作用对水合笼稳定性的影响,计算了水合笼与Si O2表面间的相互作用能、水合笼的变形能、水合笼中甲烷分子与笼子之间的相互作用能和水合笼中水分子间的结合能。结果表明:单面平行构型中的SH-6和双面插嵌构型中的SI-(5+6)、SH-(4+6)最有利于水合笼的分解;Si O2介质与水合笼通过结构匹配的方式形成氢键,降低了水合笼的稳定性,弱化了水合笼对甲烷的束缚。

关键词：水合笼二氧化硅介质单面平行双面插嵌结构匹配稳定性

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集成电路STI CMP中二氧化硅介质层去除速率及平坦化机理的研究

集成电路STI CMP中二氧化硅介质层去除速率及平坦化机理的研究

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作者：刘志河北工业大学

学位级别：硕士

浅沟槽隔离（Shallow Trench Isolation,STI）工艺是半导体器件有源区之间的一种隔离技术,目前已广泛应用于集成电路制造领域。化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是STI结构实现局部和全局平坦化的关键技术。二氧化硅（... 详细信息

浅沟槽隔离（Shallow Trench Isolation,STI）工艺是半导体器件有源区之间的一种隔离技术,目前已广泛应用于集成电路制造领域。化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是STI结构实现局部和全局平坦化的关键技术。二氧化硅（SiO2）介质具有优异的绝缘性能,可以提高器件的可靠性和稳定性,因此常用作STI中的绝缘介质层。但是,二氧化硅介质中硅原子价态为四价（呈最高价态）,具有硬度大、化学性质稳定的特点,难以通过传统的氧化还原法进行抛光且抛光难度较大。同时介质层受初始结构的影响会存在较大起伏的台阶,因此如何实现高二氧化硅去除速率和平坦化性能是当前亟待解决的关键问题。除此之外,在保证晶圆表面质量的前提下,片内非均一性（Wafer-In-Wafer Non-Uniformity,WIWNU）和抛光液的分散稳定性也是评估抛光液性能的关键指标。针对以上问题,本文从抛光液组分的选择、各组分对SiO2CMP性能的影响以及作用机理深入开展了以下研究: 1.首先采用SiO2/CeO2磨料复配的碱性CMP技术路线进行实验和机理研究。结果表明:（1）硅溶胶磨料的去除速率较低但是抛光后的表面质量和一致性更好,而选用氧化铈（CeO2）磨料时结果与其相反。（2）SiO2/CeO2混合磨料可以一定程度上兼顾去除速率、一致性、表面质量和平坦化性能。（3）选用小粒径SiO2磨料可以进一步提高去除速率和一致性。（4）选取聚丙烯酸（PAA,阴离子型）、六偏磷酸钠（SHMP,阴离子型）、聚乙烯醇（PVA,非离子型）、聚乙二醇（PEG4000,非离子型）作为分散剂均能提升抛光液的分散稳定性,其分散能力为PVA>SHMP>PAA>PEG4000,同时分散剂的引入能够有效改善抛光后SiO2晶圆的表面质量,提升台阶修正能力。 2.此外,针对传统的碱性硅基抛光液去除速率较低的问题,为了进一步提升抛光液的CMP性能,本文探索出一条酸性抛光技术路线。结果表明:（1）相较于碱性硅基抛光液,酸性环境中SiO2的去除速率提高了约238%。（2）氢醌（HQ）作为酸性硅基抛光液的添加剂,通过促进SiO2薄膜的水化反应可以进一步提升其去除速率。（3）选用γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH-550）对硅溶胶磨料做改性处理,解决了硅基抛光液在酸性条件下稳定性差的问题,并且能够改善抛光后SiO2的表面质量及平坦化性能。 3.基于以上研究,最终得到了两款不同CMP性能的抛光液,SiO2的CMP去除速率、表面粗糙度、WIWNU、抛光后台阶高度分别为:（1）3563?/min,0.335 nm,6.01%,1412?;（2）2783?/min,0.248 nm,3.13%,1440?。本研究中采用的技术路线及作用机理对实现SiO2介质的高效抛光具有一定的参考价值。

关键词： STI 化学机械抛光二氧化硅介质去除速率平坦化表面质量

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一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法

一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法

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一种用于二氧化硅介质的抛光液,其特征在于它是由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组成,其中磨料占总重量的10～50%,表面活性剂占总重量的0.01～0.6%,pH值调节剂占总重量的1～6%,氧化剂占总重量的0.01～15%,去离子... 详细信息

标准号: hg08014242

一种用于二氧化硅介质的抛光液,其特征在于它是由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组成,其中磨料占总重量的10～50%,表面活性剂占总重量的0.01～0.6%,pH值调节剂占总重量的1～6%,氧化剂占总重量的0.01～15%,去离子水占总重量的28.4～88.98%,抛光液pH值范围为11～12,粒径为15nm～100nm。其制备方法为取料、过滤净化、搅拌、混合均匀即可。本发明的优越性在于：抛光液是碱性,不腐蚀污染设备,容易清洗;二氧化硅介质抛光速率快,平整性好;采用非离子型表面活性剂,能对磨料和反应产物从衬底表面产生有效的吸脱作用;工艺简单,成本低。200610014597.0

关键词：二氧化硅介质抛光液制备方法

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在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法

在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法

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作者：王宝军董杰王圩 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微... 详细信息

标准号: CN1154163C

一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微米级条形台面的顶面的介质膜制做；本发明可解决半导体激光器制造过程中，在窄条形台面的顶面上形成二氧化硅介质膜，使其能够起到再生长过程中的保护作用。

关键词：微米级二氧化硅介质介质膜半导体激光器光刻技术条形台面淀积胶膜制做剥离再生

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二氯硅酞菁染料在SiO_2介质中的掺入及光学效应

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材料导报 2002年第2期16卷 69-71页

作者：章践立王金浩夏海平宁波大学光电子功能材料研究所宁波315211

用溶胶-凝胶低温合成非晶态技术,成功地把二氯硅酞菁染料掺入到SiO_2无机凝胶介质中。对材料的吸收特性作了测定与讨论。用脉宽8ns,波长532nm的Nd^(3+):YAG激光对凝胶固体材料的光限幅效应作了初步的研究。

关键词：光学限幅器二氯硅钛菁光限幅 SiO2介质染料二氧化硅介质光学效应

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侧向槽场板SOI横向功率器件研究

侧向槽场板SOI横向功率器件研究

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作者：邓钰南京邮电大学

学位级别：硕士

绝缘体上硅（Silicon On Insulator,SOI）具有的高速、高集成度、低功率消耗、抗辐射特性和便于隔离等众多优点,使其普遍应用于高性能的功率器件中,SOI横向双扩散金属氧化物半导体（Lateral Double-Diffusion Metal Oxide Semiconductor... 详细信息

绝缘体上硅（Silicon On Insulator,SOI）具有的高速、高集成度、低功率消耗、抗辐射特性和便于隔离等众多优点,使其普遍应用于高性能的功率器件中,SOI横向双扩散金属氧化物半导体（Lateral Double-Diffusion Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）是其中一种能够承担高耐压的重要的横向功率器件。对于SOI LDMOS器件的研究,其中一个主要的难点是解决导通电阻(specific on resistance,Ron,sp)和击穿电压（Breakdwon Voltage,BV）之间的矛盾关系,即提高击穿电压的同时降低导通电阻。新材料、新工艺、新结构和新技术的使用是解决两者矛盾的主要研究方法。本文从新结构和新技术的角度出发,提出了侧向槽场板技术,并基于此技术研究了两种SOI LDMOS新结构。侧向槽场板的引入削弱了PN结处的峰值电场,同时在场板边界处引入新的电场峰值。侧向槽场板还能使漂移区的电场分布趋于均匀,调制了器件的表面电场分布,从而提高了器件的耐压特性。本文围绕侧向槽场板SOI LDMOS器件进行创新研究,主要工作包括:（1）提出了具有二氧化硅/高K介质槽的侧向槽场板SOI LDMOS新结构。新结构的特征在于漂移区引入一个二氧化硅或者高K介质槽,并在介质槽中引入侧向栅场板和侧向漏场板用于消弱结处的电场峰值。使用三维仿真软件DAVINCI对SOI LDMOS新结构进行模拟仿真,分析了漂移区掺杂浓度、栅场板长度、漏场板长度、介质介电常数等结构参数对SOI LDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响。二氧化硅介质侧向槽场板SOI LDMOS器件相比较传统LDMOS器件在保持导通电阻不变的情况下击穿电压提高了26.6%,高K介质侧向槽场板SOI LDMOS器件相比较二氧化硅介质侧向槽场板SOI LDMOS器件击穿电压提高了18.8%,导通电阻下降了11.7%。（2）设计了侧向槽场板SOI LDMOS器件的工艺制备方案,并使用Sentaurus TCAD软件对侧向槽场板SOI LDMOS器件的工艺流程进行了工艺仿真,验证了工艺制备方案的可行性,为器件的研制作指导。

关键词： LDMOS 二氧化硅介质高K介质栅场板漏场板

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一种基于介质微球的白光干涉图像超分辨三维重构方法

一种基于介质微球的白光干涉图像超分辨三维重构方法

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作者：杨见飞王强李敏 211899 江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园江淼路88号腾飞大厦D座1275室

本发明公开了一种基于介质微球的白光干涉图像超分辨三维重构方法，包括如下步骤：步骤1、待测物体和二氧化硅介质微球的放置；步骤2、开启白光干涉显微镜，获得一个视场下的待测物体的一组白光干涉图像；步骤3、重复步骤2，获得下一个... 详细信息

标准号: CN117788547A

本发明公开了一种基于介质微球的白光干涉图像超分辨三维重构方法，包括如下步骤：步骤1、待测物体和二氧化硅介质微球的放置；步骤2、开启白光干涉显微镜，获得一个视场下的待测物体的一组白光干涉图像；步骤3、重复步骤2，获得下一个视场下的待测物体的一组白光干涉图像；步骤4，重复步骤3；步骤5、通过ESPCN模型，获得M组高分辨干涉图；步骤6、提取像素值；步骤7、获得一个像素位置扫描高度值Hmax；步骤8、重复步骤7，得到所有像素点的扫描高度值Hmax；步骤9、重构物体三维形貌。优点，本发明方法，通过亚像素超分辨神经网络模型与介质微球白光干涉图像想结合，提高介质微球超分辨成像质量，从而改善“钝化现象”。

关键词：白光干涉待测物体介质微球图像重复扫描二氧化硅介质神经网络模型超分辨成像图像超分辨钝化现象三维形貌三维重构像素位置超分辨干涉图高分辨像素点亚像素微球像素重构显微镜

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一种基于介质微球的白光干涉图像超分辨三维重构方法

一种基于介质微球的白光干涉图像超分辨三维重构方法

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作者：杨见飞王强李敏 211899 江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园江淼路88号腾飞大厦D座1275室

标准号: CN117788547B

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具有三层介质钝化结构的二极管

具有三层介质钝化结构的二极管

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作者：王明辉贾文庆郭冲王平 310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号

本实用新型提供一种具有三层介质钝化结构的二极管，包括：正面电极，形成在晶片的PN结中的P接触区上；三层介质钝化结构，包括二氧化硅介质、氮化硅介质和聚酰亚胺介质，所述二氧化硅介质形成在晶片上且包围形成在PN结中的P接触区；所... 详细信息

标准号: CN202996812U

本实用新型提供一种具有三层介质钝化结构的二极管，包括：正面电极，形成在晶片的PN结中的P接触区上；三层介质钝化结构，包括二氧化硅介质、氮化硅介质和聚酰亚胺介质，所述二氧化硅介质形成在晶片上且包围形成在PN结中的P接触区；所述氮化硅介质形成在二氧化硅介质上；所述聚酰亚胺介质形成在氮化硅介质上；所述三层介质钝化结构紧密包围形成在PN结中的P接触区上的正面电极，且所述聚酰亚胺介质还延伸覆盖至部分正面电极上和所述正面电极还延伸覆盖至部分氮化硅介质上；背面电极，形成在晶片背面上。本实用新型可以通过三层介质钝化结构有效地保护二极管内部的PN结，避免受到外界的可动离子沾污及水汽的影响，从而保证PN结的稳定性及可靠性。

关键词：氮化硅介质介质钝化正面电极二氧化硅介质聚酰亚胺晶片二极管背面接触稳定性及可靠性水汽的影响离子沾污电极延伸内部

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闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液及使用方法

闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液及使用方法

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作者：王刘坤 200020 上海市淮海中路918号18楼

本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方。在闪烁存储器工艺制造中，控制栅堆积结构侧壁形成工艺步骤：首先进行SPM清洗，然后进行典型RCA两步清洗；接着二氧化... 详细信息

标准号: CN1302096C

本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方。在闪烁存储器工艺制造中，控制栅堆积结构侧壁形成工艺步骤：首先进行SPM清洗，然后进行典型RCA两步清洗；接着二氧化硅介质淀积；最后进行干法刻蚀。上述工艺存在许多缺点。本发明提出了一种新的用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方，只要一步清洗能够达到多步清洗效果。因此，降低了生产成本，同时提高了工艺稳定性和成品率，擦写周期数和数据保持寿命等器件可靠性有了很大的改善和提高。

关键词：侧壁存储器控制结构淀积溶液配方预清洗闪烁集成电路制造工艺二氧化硅介质工艺稳定性器件可靠性存储器干法刻蚀工艺步骤工艺制造清洗效果成品率擦写淀积生产成本

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