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学科分类号

  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 互补金属氧化物半...
  • 1 篇 可变增益控制
  • 1 篇 低噪声放大器

机构

  • 1 篇 复旦大学

作者

  • 1 篇 胡嘉盛
  • 1 篇 李巍
  • 1 篇 li wei
  • 1 篇 ren junyan
  • 1 篇 任俊彦
  • 1 篇 hu jiasheng

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=互补金属氧化物半导体射频集成电路"
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增益可控CMOS低噪声放大器
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2007年 第2期27卷 207-212页
作者: 胡嘉盛 李巍 任俊彦 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,... 详细信息
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