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  • 21 篇 电子文献
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  • 21 篇 亚微米器件
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机构

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  • 1 篇 华东师范大学
  • 1 篇 科学院微电子中心
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作者

  • 2 篇 徐永勋
  • 1 篇 范焕章
  • 1 篇 相进
  • 1 篇 李志坚
  • 1 篇 战长青
  • 1 篇 perry j.robertso...
  • 1 篇 陈明华
  • 1 篇 赵鸿麟
  • 1 篇 宋湘云
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  • 1 篇 张安康
  • 1 篇 黎想
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  • 1 篇 ying jian-hua
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  • 1 篇 潘姬

语言

  • 21 篇 中文
检索条件"主题词=亚微米器件"
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亚微米器件制造技术的发展动态
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半导体技术 2000年 第1期25卷 8-10,18页
作者： 范焕章 黎想 华东师范大学电子系 上海200062
主要从光刻、隔离。
来源： 评论
亚微米器件的一些物理问题
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物理 1990年 第12期19卷 709-713页
作者： 方兆烓 彭英才 苏州大学物理系 河北大学电子系
要建造功能比现有的更强大的超级计算机、新型雷达，或在微波段以上甚高频率下工作的通讯卫星，就需要超高速的半导体器件．亚微米器件就是为了适应这种需要而发展起来的．在亚微米器件中，由于空间上的短尺度与时间上的瞬变，各种物理... 详细信息
来源： 评论
亚微米器件的高场输运和新的模拟方法
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微纳电子技术 1985年 第5期 24-29页
作者： Eugène Constant 相进
本文的目的是:第一部分研究亚微米器件中可能发生的一些新的输运现象;第二部分提出并描述了考虑这些输运现象的新的模拟方法。
来源： 评论
扩展电阻法测量亚微米器件的结深和杂质分布
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电子器件 1998年 第3期21卷 141-148页
作者： 张安康 李文渊 王健华 陈明华 东南大学无锡分校 华晶公司
本文介绍了亚微米器件结深和杂质分布的测量方法，叙述了扩展电阻法测量结深的原理。
来源： 评论
电子束直写在亚微米器件制造中的应用
电子束直写在亚微米器件制造中的应用
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 梁俊厚 陈宝钦 科学院微电子中心(北京) 科学院半导体所(北京)
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺），研制的器件包括具有0．2um栅长的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有叉指宽度为0.8... 详细信息
来源： 评论
适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究
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微电子学 1997年 第3期27卷 176-180页
作者： 陈勇 肖兵 杨漠华 电子科技大学微电子科学与工程系
论述了深亚微米ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理概念为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量数据进行了比较。
来源： 评论
基于Taurus Workbench的亚微米n沟MOS器件关键工艺参数的优化
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微电子学 2003年 第3期33卷 196-199页
作者： 徐永勋 李惠军 山东大学信息科学与工程学院 山东济南250100
　简要介绍了集成电路虚拟工厂系统TaurusWorkbench。对亚微米n沟MOS工艺的特点进行了分析。在TaurusWorkbench环境下进行亚微米n沟MOS器件关键工艺参数的优化,优化结果印证了新工艺条件对器件性能的改善。
来源： 评论
亚微米半导体器件模拟方法的探索
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微电子学 1995年 第2期25卷 55-61页
作者： 王明网 魏同立 东南大学微电子中心
本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况，阐述了漂移扩散模型（ＤＤＭ）、流体动力学模型（ＨＤＭ）、玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、全量子模型（ＱＴＭ）的各自适用范围，概括了玻耳兹曼的一些新解法，ＨＤＭ，ＢＴＭ适合于亚微米半... 详细信息
来源： 评论
Si亚微米MESFET的Monte　Carlo法模拟
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电子学报 1994年 第2期22卷 1-7页
作者： 赵鸿麟 战长青 潘姬 天津大学电子工程系
本文是继用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａ... 详细信息
来源： 评论
考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析
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引用
Journal of Semiconductors 1993年 第5期14卷 292-296页
作者： 张锡盛 何新平 李志坚 清华大学微电子所 清华大学微电子所 北京 100084
本文讨论了准确模拟亚微米MOSFET碰撞电离所用的模型和算法。碰撞电离项被自洽地加到器件模拟程序PISCES中,用这个程序,我们计算了PN结击穿电压和0.75μm MOS-FET不同偏压下的衬底电流,结果和实验符合。
来源： 评论
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