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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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1,222 篇 专利

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1,222 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

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机构

526 篇 中芯国际集成电路...
38 篇 上海华虹宏力半导...
32 篇 长鑫存储技术有限...
28 篇 上海宏力半导体制...
18 篇 中国科学院苏州纳...
17 篇 上海集成电路研发...
16 篇 长江存储科技有限...
15 篇 上海华力微电子有...
15 篇 中国科学院微电子...
14 篇 北大方正集团有限...
13 篇 西安交通大学
12 篇 华虹半导体有限公...
12 篇 深圳方正微电子有...
11 篇 华进半导体封装先...
11 篇 格科微电子有限公...
11 篇 电子科技大学
9 篇 无锡华润上华半导...
9 篇 江西师范大学
9 篇 无锡华润上华科技...
9 篇 德淮半导体有限公...

作者

46 篇 洪中山
44 篇 张海洋
29 篇 三重野文健
29 篇 张城龙
28 篇 周鸣
21 篇 何其旸
17 篇 邓浩
14 篇 张宝顺
14 篇 王新鹏
14 篇 蔡勇
14 篇 于国浩
12 篇 周飞
12 篇 王琪
11 篇 何永根
11 篇 鲍宇
10 篇 邓武锋
10 篇 李凤莲
10 篇 甘正浩
10 篇 赵杰
9 篇 俞挺

语言

1,222 篇 中文

检索条件"主题词=介质层表面"

共 1222 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构

层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

本发明提供一种层间介质层的表面平坦方法，包括步骤：提供半导体结构，并预定义需要的层间介质层的第一厚度，于半导体结构的单元集成层上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度；对第一层间介质层进行过度研磨... 详细信息

标准号: CN107398825B

本发明提供一种层间介质层的表面平坦方法，包括步骤：提供半导体结构，并预定义需要的层间介质层的第一厚度，于半导体结构的单元集成层上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度；对第一层间介质层进行过度研磨，将第一层间介质层减薄至第三厚度，获得表面平坦化的第一层间介质层，研磨液为酸性研磨液，第三厚度小于第一厚度；于第一层间介质层表面进行补偿沉积，形成具有第四厚度的第二层间介质层，其与所述第一层间介质层的迭加为半导体结构所需要的层间介质层，第四厚度小于等于第三厚度。通过上述方案，本发明可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。

关键词：第一层介质层层间介质层半导体结构研磨液层间介质层厚度表面平坦化介质层表面表面平坦产品良率单元集成研磨上表面预定义迭加刮伤减薄种层沉积生产成本

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层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构

层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

标准号: CN107398825A

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半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构

半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构

引用

作者：杨明阳黎明李钊黄永彬 201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号

本发明提供了一种半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构，所述方法包括如下步骤：提供一衬底；于衬底表面沉积形成第一层间介质层，第一层间介质层的膜层厚度为500‑600nm；于第一层间介质层表面沉积形成研磨阻挡层；于研磨阻挡层... 详细信息

标准号: CN118231225A

本发明提供了一种半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构，所述方法包括如下步骤：提供一衬底；于衬底表面沉积形成第一层间介质层，第一层间介质层的膜层厚度为500‑600nm；于第一层间介质层表面沉积形成研磨阻挡层；于研磨阻挡层表面沉积形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层并停止于研磨阻挡层，第一层间介质层以及研磨后的研磨阻挡层形成层间介质层。本发明在研磨阻挡层表面直接沉积第二层间介质层，对第二层间介质层研磨，研磨停止于研磨阻挡层，得到完整且连续的研磨阻挡层表面，确保生成的层间介质层的表面的洁净以及均一性，降低层间介质层的表面出现缺陷的概率，利于后续工艺进行，提升后续所形成的薄膜表面的均匀性与连续性，保护器件性能。

关键词：层间介质层研磨阻挡层研磨第一层介质层沉积半导体结构介质层表面薄膜表面保护器件表面沉积衬底表面后续工艺直接沉积均一性均匀性衬底膜层半导体洁净概率

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一种LED芯片及其制作方法

一种LED芯片及其制作方法

引用

作者：杨克伟曲晓东罗桂兰赵斌江土堆尤翠萍陈凯轩刘文辉 361101 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且... 详细信息

标准号: CN115939282A

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。

关键词：金属反射层外延叠层介质层粘附层金属连接层基板绝缘层第二型半导体层金属反射层边缘介质层表面金属键合层图形完整性化学试剂上下表面水平表面通孔侧壁边缘处材料层介质孔裸露侵蚀延伸覆盖制作

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一种连续导电纤维电磁超结构及3D打印方法

一种连续导电纤维电磁超结构及3D打印方法

引用

作者：李涤尘张童童梁庆宣杨贞王玲 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

本发明公开了一种连续导电纤维电磁超结构及3D打印方法，通过计算机构建目标电磁超结构模型，确定连续导电纤维沿介质层表面的打印路径；选择介质层材料和具备合适直径与电导率的导电纤维；使用熔融挤出成型方法制备聚合物介质层；按照... 详细信息

标准号: CN115401913A

本发明公开了一种连续导电纤维电磁超结构及3D打印方法，通过计算机构建目标电磁超结构模型，确定连续导电纤维沿介质层表面的打印路径；选择介质层材料和具备合适直径与电导率的导电纤维；使用熔融挤出成型方法制备聚合物介质层；按照导电纤维打印路径，采用连续纤维3D打印技术在介质层上打印制备导电纤维阵列层。打印路径的设计可以在不出现路径跳转的情况下成型导电图案，并具备较低的极化敏感性，或者在多层导电图案间添加导电过孔，增加等效电感，利于器件小型化。

关键词：打印路径连续导电纤维打印导电纤维介质层制备导电纤维电导率超结构模型计算机构建介质层表面介质层材料制备聚合物导电过孔导电图案等效电感多层导电挤出成型连续纤维超结构阵列层极化熔融跳转成型图案

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量子芯片的制备方法及量子芯片

量子芯片的制备方法及量子芯片

引用

作者：请求不公布姓名请求不公布姓名贾志龙 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层

本说明书实施方式提供了一种量子芯片的制备方法及量子芯片，所述量子芯片制备方法包括：提供表面具有第一布线层的衬底；在第一布线层的目标走线处形成空气桥结构；该空气桥结构包括跨接目标走线两侧衬底的空气桥和支撑该空气桥的牺牲... 详细信息

标准号: CN117677278A

本说明书实施方式提供了一种量子芯片的制备方法及量子芯片，所述量子芯片制备方法包括：提供表面具有第一布线层的衬底；在第一布线层的目标走线处形成空气桥结构；该空气桥结构包括跨接目标走线两侧衬底的空气桥和支撑该空气桥的牺牲层；在衬底上形成覆盖第一布线层和空气桥结构的至少一层布线结构，该布线结构包括介质层和位于介质层表面的第二布线层；第二布线层在衬底的投影区域和空气桥结构在衬底的投影区域相错开在与第二布线层错开区域的介质层上形成暴露空气桥结构的沟槽；通过沟槽去除空气桥结构下方的牺牲层。通过本说明书实施方式，实现了在位于衬底的底层布线层上制备空气桥，减少了第二布线层形成过程中各工艺对空气桥造成的损伤。

关键词：布线层空气桥结构衬底空气桥量子布线结构投影区域介质层牺牲层错开制备芯片底层布线层介质层表面芯片制备走线处跨接去除走线损伤暴露支撑覆盖

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一种固体电解质钽电容器及其制备方法

一种固体电解质钽电容器及其制备方法

引用

作者：王宇高星梁树杰 101204 北京市平谷区马坊镇马坊大街32号院5号楼-1至5层101

本发明公开了一种固体电解质钽电容器的制备方法，包括：步骤1，将烧结好的钽芯子置于包含柠檬酸的酸性形成液中，在钽芯子外表面赋能形成具有均匀厚度介质层的阳极钽块；步骤2，在赋能后的阳极钽块的介质层外表面涂覆聚酰亚胺绝缘层制... 详细信息

标准号: CN114188162B

本发明公开了一种固体电解质钽电容器的制备方法，包括：步骤1，将烧结好的钽芯子置于包含柠檬酸的酸性形成液中，在钽芯子外表面赋能形成具有均匀厚度介质层的阳极钽块；步骤2，在赋能后的阳极钽块的介质层外表面涂覆聚酰亚胺绝缘层制成阳极钽芯组；步骤3，对阳极钽芯组进行阴极化处理形成由阴极层、聚酰亚胺绝缘层、介质层和钽芯子组成的阳极钽芯组结构体；步骤4，对阳极钽芯组结构体进行涂覆石墨层，外层再涂覆引出阴极的银浆层，封装后制成带聚酰亚胺绝缘层的固体电解质钽电容器。通过在赋能液中加入柠檬酸，减少了形成介质层表面的薄弱点；在介质层外部涂覆聚酰亚胺形成聚酰亚胺绝缘层，增强介质层的绝缘性，大大的提升了电容器产品的可靠性。

关键词：阳极钽芯聚酰亚胺绝缘层介质层钽芯子涂覆聚酰亚胺柠檬酸固体电解质阳极钽块钽电容器组结构赋能涂覆绝缘层阴极电容器产品介质层表面增强介质层厚度介质烧结薄弱点赋能液绝缘性石墨层阴极层阴极化银浆层制备封装外部

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存储器结构及其形成方法

存储器结构及其形成方法

引用

作者：陈赫董金文朱继锋华子群肖亮王永庆 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层... 详细信息

标准号: CN114078954B

本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。本发明的存储器结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高存储器性能。

关键词：衬底层焊垫存储器结构隔离结构第二表面第一表面焊垫区域存储层基底存储器性能介质层表面寄生电容介质层减小隔离外围包围贯穿

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一种双面介质加载平行板波导静电场的计算方法

一种双面介质加载平行板波导静电场的计算方法

引用

作者：王滔张雪 411105 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学

本发明提出了一种双面介质加载平行板波导静电场的计算方法，属于大功率微波部件微放电领域。首先通过傅里叶变换法求解谱域格林函数，由于被积函数的复杂性和振荡性，采用Filon数值积分方法进行求解，利用点电荷的电势计算的叠加原理... 详细信息

标准号: CN116266209A

本发明提出了一种双面介质加载平行板波导静电场的计算方法，属于大功率微波部件微放电领域。首先通过傅里叶变换法求解谱域格林函数，由于被积函数的复杂性和振荡性，采用Filon数值积分方法进行求解，利用点电荷的电势计算的叠加原理，根据介质层表面电荷密度，对格林函数进行面积分，从而得到介质层表面上任意电荷分布而产生的电势，再通过数值差分方法获得其对应的电场强度。在大功率微波部件微放电领域中，静电场的计算方法可以扩展到研究双面介质加载平行板波导的倍增效应。

关键词：大功率微波介质层表面平行板波导双面介质静电场微放电求解格林加载傅里叶变换倍增效应电荷分布电势计算叠加原理电荷点电荷数值差振荡性电势谱域研究

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：韩凤芹李萍桂珞 315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

本申请公开一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有导电区；在导电区上形成第一介质层，第一介质层至少暴露出导电区的部分表面；在第一介质层的表面形成第一导电层，且第一导电层保形覆盖所述第一介... 详细信息

标准号: CN114348955A

本申请公开一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有导电区；在导电区上形成第一介质层，第一介质层至少暴露出导电区的部分表面；在第一介质层的表面形成第一导电层，且第一导电层保形覆盖所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在基底上形成第二介质层，第二介质层覆盖所述基底和第一导电层除顶部表面的其他表面，且第二介质层表面与第一导电层的顶部表面齐平；在第二介质层上形成第二导电层，第二导电层至少覆盖第一导电层的部分顶部表面。其可以降低后续各项工艺难度；第二导电层的整个顶部表面作为后续互连面积，使互连面积得到增大，相应半导体结构的互连能力得到提升。

关键词：介质层第一导电层顶部表面第二导电层导电区互连基底半导体结构覆盖导电区表面介质层表面保形覆盖表面形成工艺难度基底表面暴露齐平申请

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