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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

1,222 篇 专利

馆藏范围

1,222 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

526 篇 中芯国际集成电路...
38 篇 上海华虹宏力半导...
32 篇 长鑫存储技术有限...
28 篇 上海宏力半导体制...
18 篇 中国科学院苏州纳...
17 篇 上海集成电路研发...
16 篇 长江存储科技有限...
15 篇 上海华力微电子有...
15 篇 中国科学院微电子...
14 篇 北大方正集团有限...
13 篇 西安交通大学
12 篇 华虹半导体有限公...
12 篇 深圳方正微电子有...
11 篇 华进半导体封装先...
11 篇 格科微电子有限公...
11 篇 电子科技大学
9 篇 无锡华润上华半导...
9 篇 江西师范大学
9 篇 无锡华润上华科技...
9 篇 德淮半导体有限公...

作者

46 篇 洪中山
44 篇 张海洋
29 篇 三重野文健
29 篇 张城龙
28 篇 周鸣
21 篇 何其旸
17 篇 邓浩
14 篇 张宝顺
14 篇 王新鹏
14 篇 蔡勇
14 篇 于国浩
12 篇 周飞
12 篇 王琪
11 篇 何永根
11 篇 鲍宇
10 篇 邓武锋
10 篇 李凤莲
10 篇 甘正浩
10 篇 赵杰
9 篇 俞挺

语言

1,222 篇 中文

检索条件"主题词=介质层表面"

共 1222 条记录，以下是71-80 订阅

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：肖杏宇姜长城王文泰张海洋 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：在所述衬底表面形成第一介质材料层，所述第一介质材料层位于所述第一伪栅极结构和所述第二伪栅极结构侧壁；在所述第一介质材料层上形成第二介质材料层，所述第一区上的第二介质材料层厚度小于所述第... 详细信息

标准号: CN116417344A

一种半导体结构的形成方法，包括：在所述衬底表面形成第一介质材料层，所述第一介质材料层位于所述第一伪栅极结构和所述第二伪栅极结构侧壁；在所述第一介质材料层上形成第二介质材料层，所述第一区上的第二介质材料层厚度小于所述第二区上的第二介质材料层厚度；平坦化所述第一介质材料层和所述第二介质材料层，直到暴露出所述第一伪栅极和所述第二伪栅极，以所述第一介质材料层形成第一过渡介质层；回刻所述第一过渡介质层，形成第一初始介质层，且所述第一区上的第一初始介质层的厚度低于所述第二区上的第一初始介质层的厚度；在所述第一初始介质层表面形成保护层，提高了栅极形成工艺的控制窗口。

关键词：介质材料层介质层过渡介质层伪栅极结构第一区伪栅极栅极形成工艺半导体结构介质层表面衬底表面控制窗口保护层平坦化侧壁回刻暴露

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电路板的制作方法以及电路板

电路板的制作方法以及电路板

引用

作者：黄钏杰邱培修王玉超 066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区腾飞路18号

一种电路板的制作方法，包括以下步骤：提供一线路基板，所述线路基板包括介质层以及位于所述介质层表面的底铜层；在所述底铜层上形成覆铜层，所述底铜层的部分表面暴露于所述覆铜层；以及喷砂处理，去除暴露于所述覆铜层的底铜层以露... 详细信息

标准号: CN115701749A

一种电路板的制作方法，包括以下步骤：提供一线路基板，所述线路基板包括介质层以及位于所述介质层表面的底铜层；在所述底铜层上形成覆铜层，所述底铜层的部分表面暴露于所述覆铜层；以及喷砂处理，去除暴露于所述覆铜层的底铜层以露出介质层，得到所述电路板。本申请还提供一种电路板。

关键词：底铜层电路板覆铜层介质层介质层表面表面暴露喷砂处理线路基板路基板去除暴露申请制作

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金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法

金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法

引用

作者：张权石艳伟龚皓董金文华子群 430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

公开了一种金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法，金属层的形成方法包括：在介质层表面依次堆叠形成硬掩模、第一牺牲层和第一光刻胶层；经由图案化的所述第一光刻胶层刻蚀所述第一牺牲层，形成多个轴芯；在多个所述轴芯表面形成... 详细信息

标准号: CN112018127A

公开了一种金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法，金属层的形成方法包括：在介质层表面依次堆叠形成硬掩模、第一牺牲层和第一光刻胶层；经由图案化的所述第一光刻胶层刻蚀所述第一牺牲层，形成多个轴芯；在多个所述轴芯表面形成氧化层；图案化所述氧化层去除所述轴芯，形成多个侧墙；在多个所述侧墙的间隙和顶部形成第二牺牲层；以所述侧墙为阻挡，经由图案化的第二光刻胶层刻蚀所述第二牺牲层和部分所述硬掩模；经由所述硬掩模的开口刻蚀所述介质层；在所述介质层的开口中填充金属层，其中，所述硬掩模包括氮化物层。该金属层的形成方法采用氮化物层做硬掩模，减小了工艺温度，保证了金属层的线粗糙度，扩大了工艺应用范围。

关键词：硬掩模牺牲层光刻胶层金属层图案化侧墙刻蚀氮化物层介质层轴芯开口介质层表面填充金属层氧化层去除存储器件工艺应用线粗糙度种金属层轴芯表面氧化层堆叠减小阻挡制造保证

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一种三维存储器的形成方法及三维存储器

一种三维存储器的形成方法及三维存储器

引用

作者：杨红心刘峻 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，所述方法包括：形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；在所述介质层表面形成... 详细信息

标准号: CN112864317A

本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，所述方法包括：形成位于衬底之上的介质层，其中，所述介质层内部形成有至少一个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面；在所述介质层表面形成存储器阵列；在所述存储器阵列的外围，形成至少一个第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔的延伸方向垂直于所述第一刻蚀孔的延伸方向；在每一所述第一刻蚀孔和每一所述第二刻蚀孔中分别填充散热剂，对应形成第一散热管道和第二散热管道，以形成所述三维存储器。

关键词：刻蚀孔三维存储器存储器阵列散热管道介质层衬底延伸介质层表面方向垂直方向平行散热剂填充外围申请

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半导体结构的制造方法

半导体结构的制造方法

引用

作者：窦涛 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构包括晶体管区，晶体管区包括第一源漏区和字线区，制造方法包括：提供基底，在基底上形成有源层，晶体管区的有源层包括多个有源结构；在第一源漏区和字线区形成... 详细信息

标准号: CN117440678A

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构包括晶体管区，晶体管区包括第一源漏区和字线区，制造方法包括：提供基底，在基底上形成有源层，晶体管区的有源层包括多个有源结构；在第一源漏区和字线区形成伪字线结构，伪字线结构包覆同一层有源结构的表面；形成第一隔离层，第一隔离层与伪字线结构在第三方向上交替设置；去除伪字线结构；在第一源漏区和字线区的有源结构的表面形成初始介质层；在初始介质层表面形成初始字线；去除位于第一源漏区的初始字线和初始介质层；在第一源漏区形成绝缘层，绝缘层位于相邻有源结构之间。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

关键词：源漏区字线结构源结构半导体结构晶体管区字线区绝缘层隔离层介质层基底源层字线去除半导体领域介质层表面表面形成交替设置同一层包覆制造

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铜铝互连结构的制作方法

铜铝互连结构的制作方法

引用

作者：卢光远陈瑜陈华伦 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本申请公开了一种铜铝互连结构的制作方法，涉及半导体制造领域。该铜铝互连结构的制作方法包括形成铜金属层连线，在铜金属层连线的表面依次形成DNC和介质层，在介质层表面形成氮化钛层，在氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案，刻... 详细信息

标准号: CN111725133B

本申请公开了一种铜铝互连结构的制作方法，涉及半导体制造领域。该铜铝互连结构的制作方法包括形成铜金属层连线，在铜金属层连线的表面依次形成DNC和介质层，在介质层表面形成氮化钛层，在氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案，刻蚀通孔图案和深槽图案对应的衬底，形成通孔和底部低于铜金属层连线表面的深槽，填充通孔，去除衬底表面的填充材料和氮化钛层，沉积形成铝金属层，铝金属层中形成有对位标记；解决了目前铜铝互连结构中铝金属层的对位标记不清晰的问题；达到了有效地在铜铝互连结构中的铝层中形成明显的对位标记，避免光刻时对位失败的效果。

关键词：互连结构铜铝氮化钛层对位标记铝金属层铜金属层连线深槽通孔图案通孔半导体制造领域图案介质层表面衬底表面填充材料介质层有效地衬底对位光刻刻蚀铝层沉积去除填充制作清晰失败申请

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：刘琳 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成若干第一伪栅结构和若干第二伪栅结构；在衬底上形成第一介质层；在第一伪栅结构的顶部表面和第二伪栅结构的顶部表面形成牺牲层；在第一介质层上形成第二介质层；采用刻蚀工艺去除牺牲... 详细信息

标准号: CN118116869A

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成若干第一伪栅结构和若干第二伪栅结构；在衬底上形成第一介质层；在第一伪栅结构的顶部表面和第二伪栅结构的顶部表面形成牺牲层；在第一介质层上形成第二介质层；采用刻蚀工艺去除牺牲；去除第一伪栅结构和第二伪栅结构；形成第一栅极结构和第二栅极结构。由于刻蚀工艺对牺牲层的刻蚀速率大于对第二介质层的刻蚀速率，使得第二介质层表面几乎不出现凹陷问题，进而减小去除第一伪栅结构和第二伪栅结构时第二介质层表面出现凹陷的深度，进而减小在形成第一栅极结构和第二栅极结构时的研磨时间，减小第一栅极结构和第二栅极结构之间的研磨差异叠加时间，以此提升器件结构的均一性。

关键词：伪栅结构栅极结构介质层减小去除介质层表面顶部表面刻蚀工艺研磨牺牲层凹陷衬底刻蚀半导体结构提升器件均一性叠加

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半导体器件的制造方法

半导体器件的制造方法

引用

作者：刘冲任媛媛严强生陈宏曹秀亮 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和金属层，所述金属层内形成有开口，所述开口暴露的所述层间介质层的表面存在第一突起缺陷；在所述金属层的表面和所述开口的侧壁及底部形成保护... 详细信息

标准号: CN113192878B

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和金属层，所述金属层内形成有开口，所述开口暴露的所述层间介质层的表面存在第一突起缺陷；在所述金属层的表面和所述开口的侧壁及底部形成保护层，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺去除所述保护层上存在的第二突起缺陷并沉积介质层；或者，在所述开口内填充介质层并延伸覆盖所述开口两侧的所述金属层，对所述介质层进行平坦化处理，以去除所述第二突起缺陷。本发明去除保护层或介质层表面的第二突起缺陷，从而减少或避免层间介质层表面的第一突起缺陷影响后续形成的钝化层及其他半导体结构的表面平坦度，从而改善半导体器件的形貌和性能。

关键词：突起缺陷金属层保护层介质层开口去除半导体器件层间介质层介质层表面衬底高密度等离子体化学气相沉积形貌半导体结构表面平坦度平坦化处理开口两侧延伸覆盖避免层钝化层侧壁沉积填充暴露制造

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浅沟槽隔离结构的制备方法

浅沟槽隔离结构的制备方法

引用

作者：孙晓峰秦仁刚盛拓 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和所述半导体衬底，以形成隔离槽；在所述隔离槽底部和侧壁形成第三介质层；在所述第二介质层表面和所述第三介... 详细信息

标准号: CN110120364B

本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和所述半导体衬底，以形成隔离槽；在所述隔离槽底部和侧壁形成第三介质层；在所述第二介质层表面和所述第三介质层表面形成第四介质层；在所述隔离槽中沉积绝缘介质，以形成浅沟槽隔离结构。上述浅沟槽隔离结构的制备工艺中，在隔离槽底部和侧壁生长第三介质层后，又在第三介质层和第二介质层的表面生长了相对致密的第四介质层。该第四介质层可有效阻挡在隔离槽中沉积绝缘介质时产生的等离子体对第三介质层表面的损坏，起到阻隔作用，进而防止引发漏电。

关键词：介质层隔离槽浅沟槽隔离结构介质层表面衬底半导体绝缘介质侧壁沉积等离子体致密表面生长制备工艺漏电刻蚀制备阻隔阻挡生长

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具有屏蔽效应的电路结构及其制造方法

具有屏蔽效应的电路结构及其制造方法

引用

作者：苏铃凯李少谦谢建彦中国台湾桃园县

一种具有屏蔽效应的电路结构，包含介质层、位于介质层表面上的多条导线、位于介质层表面上并介于多条导线间的至少一电路、位于至少一电路及多条导线部分的表面上方的第一防焊层，以及位于第一防焊层的上方并电连接多条导线的导电层，... 详细信息

标准号: CN101730376B

一种具有屏蔽效应的电路结构，包含介质层、位于介质层表面上的多条导线、位于介质层表面上并介于多条导线间的至少一电路、位于至少一电路及多条导线部分的表面上方的第一防焊层，以及位于第一防焊层的上方并电连接多条导线的导电层，而对于至少一电路产生屏蔽效应。

关键词：电路介质层表面屏蔽效应防焊层电路结构导电层电连接介质层

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