检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

157 篇 专利

馆藏范围

157 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

8 篇 长春理工大学
6 篇 北京大学
5 篇 华中科技大学
4 篇 中国地质大学
3 篇 成都皓瀚完井岩电...
3 篇 浙江大学
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 西安和其光电科技...
2 篇 致晶科技有限公司
2 篇 华润矽威科技有限...
2 篇 北京科技大学
2 篇 潍坊华光光电子有...
2 篇 东服企业股份有限...
2 篇 合肥硅臻芯片技术...
2 篇 中航高科智能测控...
2 篇 上海北车永电电子...
2 篇 芯冠半导体有限公...
2 篇 天津大学
2 篇 华能新能源股份有...
2 篇 上海电机学院

作者

4 篇 乔忠良
4 篇 刘国军
4 篇 芦鹏
4 篇 高欣
4 篇 薄报学
4 篇 王玉霞
4 篇 张斯玉
4 篇 李梅
4 篇 李占国
3 篇 陈一健
3 篇 张伦平
3 篇 孙雷
3 篇 王晓华
3 篇 唐吉龙
3 篇 王柯景
3 篇 曲轶
3 篇 方铉
3 篇 楚学影
3 篇 李金华
3 篇 房丹

语言

157 篇 中文

检索条件"主题词=传统半导体"

共 157 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

一种半导体结构及其制备方法

一种半导体结构及其制备方法

引用

作者：张国伟许宗能 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明是涉及一种半导体结构的制备方法。此半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成一介电层；在所述介电层上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一介电保护层；微影蚀刻所述第一介电保护层，以形成一图案化第... 详细信息

标准号: CN111524857A

本发明是涉及一种半导体结构的制备方法。此半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成一介电层；在所述介电层上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一介电保护层；微影蚀刻所述第一介电保护层，以形成一图案化第一介电保护层；形成一金属掩模层于所述图案化第一介电保护层上；进行平坦化步骤；形成第二介电保护层；形成第一孔洞；去除剩余所述第二介电保护层；形成第二孔洞；刻蚀所述第一孔洞及所述第二孔洞，形成第一通孔。本发明解决了传统半导体结构的制备方法中易导致蚀刻深度差异过大、对电阻值控制困难等问题。

关键词：介电保护层孔洞制备半导体结构介电层图案化衬底蚀刻深度差异层间介电层传统半导体电阻值控制金属掩模层微影蚀刻平坦化电层刻蚀通孔去除

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体炉管机台加热器

半导体炉管机台加热器

引用

作者：请求不公布姓名请求不公布姓名 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

本发明主要公开了一种半导体炉管机台加热器，包括加热器外框及多组电阻丝元件，加热器外框具有顶部、底部及位于顶部和底部间的侧部，侧部形成有组件固定区及降温气体流通区，多组电阻丝元件安装于组件固定区中，降温气体流通区位于侧... 详细信息

标准号: CN109951906B

本发明主要公开了一种半导体炉管机台加热器，包括加热器外框及多组电阻丝元件，加热器外框具有顶部、底部及位于顶部和底部间的侧部，侧部形成有组件固定区及降温气体流通区，多组电阻丝元件安装于组件固定区中，降温气体流通区位于侧部和组件固定区之间，每一组的电阻丝元件安装在侧部的相同高度，不同组之间的电阻丝元件以等距环状分散、交错插排及循环方式竖直独立排列在所述侧部的不同高度，每个电阻丝元件可单独安装或拆卸。本发明用以改变传统半导体炉管机台加热器发生故障时，需要整体更换加热器而加热器体积过大拆装不便、成本较高的现状。

关键词：加热器电阻丝元件组件固定降温气体流通区外框半导体炉管机台加热器发生故障传统半导体单独安装炉管机台循环方式整体更换插排拆卸拆装等距竖直交错

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的方法及其装置

半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的方法及其装置

引用

作者：冯五裕中国台湾台北巿

本发明提供一种半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的方法，包括供应一气雾状水分子进入废气处理槽的反应腔室内，该气雾状水分子以扩散分布方式捕捉废气烧结反应后的生成物，其中该气雾状水分子扩散分布于反应腔室中一废气反应端的底... 详细信息

标准号: CN107626173A

本发明提供一种半导体制程废气烧结反应后捕捉生成物的方法，包括供应一气雾状水分子进入废气处理槽的反应腔室内，该气雾状水分子以扩散分布方式捕捉废气烧结反应后的生成物，其中该气雾状水分子扩散分布于反应腔室中一废气反应端的底缘与反应腔室四周的槽壁之间；本发明进一步提供实施上述方法所需的一种废气生成物捕捉装置。如此，改善传统半导体废气在经过高温烧结处理的后所生成的SiO₂、WO₂、BO₂的粉末极其微细，且F₂气体的分子极小，不利于后段水洗程序进行捕捉的问题。

关键词：废气反应腔室烧结捕捉气雾状半导体制程传统半导体废气处理槽水分子扩散雾状水分子捕捉装置废气反应分布方式高温烧结微细反应腔水分子槽壁底缘后段室内扩散

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

水基型清洗剂及半导体的制备方法

水基型清洗剂及半导体的制备方法

引用

作者：周康帝黎立桂 510700 广东省广州市黄埔区连云路388号

本发明涉及半导体制备的技术领域，特别涉及水基型清洗剂及半导体的制备方法。所述水基型清洗剂的组分包括有机碱、醇胺、螯合剂、磷酸肌醇类化合物和水。可用于传统半导体制备的后端工艺(例如在集成电路后端工艺中对金属互连结构的清洗... 详细信息

标准号: CN114317130A

本发明涉及半导体制备的技术领域，特别涉及水基型清洗剂及半导体的制备方法。所述水基型清洗剂的组分包括有机碱、醇胺、螯合剂、磷酸肌醇类化合物和水。可用于传统半导体制备的后端工艺(例如在集成电路后端工艺中对金属互连结构的清洗)，对金属及金属半导体具有非常低的腐蚀速率，同时能有效去除大多数有机物和金属离子，成本低，所需工艺温度低，环保。

关键词：水基型清洗剂制备金属互连结构半导体制备传统半导体金属半导体磷酸肌醇类金属离子有机物有机碱螯合剂醇胺可用去除集成电路半导体清洗腐蚀金属环保

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体炉管机台加热器

半导体炉管机台加热器

引用

作者：不公告发明人 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

标准号: CN109951906A

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于半导体分选一体机的自动控制方法及系统

用于半导体分选一体机的自动控制方法及系统

引用

作者：叶十逢俞子强 226000 江苏省南通市南通经济技术开发区驰行路123号智锐达园区厂房(二)一楼

本发明提供了用于半导体分选一体机的自动控制方法及系统，涉及数据处理技术领域，通过接收待分选半导体图像和基准半导体图像识别生成关联抓手位置标识以调取多个真空吸盘抓手执行抓取定位控制并采集抓手定位图像，进而基于分选抓手定... 详细信息

标准号: CN117463645B

本发明提供了用于半导体分选一体机的自动控制方法及系统，涉及数据处理技术领域，通过接收待分选半导体图像和基准半导体图像识别生成关联抓手位置标识以调取多个真空吸盘抓手执行抓取定位控制并采集抓手定位图像，进而基于分选抓手定位图像信息确定抓手坐标偏离系数，当偏离系数小于或等于坐标偏离系数阈值时，激活多个真空吸盘抓手执行半导体分选。解决现有技术中存在基于不同类型半导体芯片抓取位置的差异性，导致传统半导体分选机无法实现多类半导体芯片的抓取方案自动化生成的技术问题。达到了根据半导体形状特征自动化分析确定进行半导体无损抓取的抓取位点信息，提高半导体分选一体机进行不特定半导体芯片的抓取灵活性的技术效果。

关键词：半导体抓取分选抓手半导体芯片定位图像真空吸盘坐标偏离一体机数据处理技术传统半导体类型半导体自动化分析定位控制技术效果图像识别位点信息信息确定形状特征抓取位置抓手位置差异性分选机阈值时调取无损偏离自动化采集激活图像芯片关联

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种半导体传感器及VOCs监测装置

一种半导体传感器及VOCs监测装置

引用

作者：张宏辉袁焌王文炬应晓阳吕钰宁 523000 广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号

本发明涉及一种半导体传感器及VOCs监测装置，半导体传感器的基材具有一定的轴向长度，在基材上间隔布置两个电极，半导体包覆层设置在基材上并形成有吸附表面，电加热件定位在基材上，电加热件用于给半导体包覆层加热，增加半导体包覆... 详细信息

标准号: CN116773615A

本发明涉及一种半导体传感器及VOCs监测装置，半导体传感器的基材具有一定的轴向长度，在基材上间隔布置两个电极，半导体包覆层设置在基材上并形成有吸附表面，电加热件定位在基材上，电加热件用于给半导体包覆层加热，增加半导体包覆层的导电性能，使大气中的氧气以O或O2‑的形式吸附在半导体包覆层的吸附表面上；半导体包覆层的电阻值按正比关系随着吸附表面上吸附的氧气量变化而变化。将该半导体传感器应用于VOCs监测装置上，具有新型抗湿度好、使用寿命长，突破传统半导体传感器只适用于高浓度可燃气才能完成监测的局限，实现对低浓度的VOCs也具有的高精度、高可靠性的长期稳定监测。

关键词：半导体包覆层基材半导体传感器吸附表面电加热件监测装置吸附传统半导体长期稳定导电性能高可靠性间隔布置使用寿命氧气量变正比关系可燃气电极监测传感器电阻轴向加热氧气局限应用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法

一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法

引用

作者：柴扬陈杰威 518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新技术产业园南区粤兴一道18号香港理工大学产学研大楼205室

本发明公开了一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法，晶体管包括：外尔半导体层；源极，设置于所述外尔半导体层；漏极，设置于所述外尔半导体层，与所述源极间隔设置；栅极，与所述外尔半导体层连接；其中，在所述栅极的静电... 详细信息

标准号: CN115207132A

本发明公开了一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法，晶体管包括：外尔半导体层；源极，设置于所述外尔半导体层；漏极，设置于所述外尔半导体层，与所述源极间隔设置；栅极，与所述外尔半导体层连接；其中，在所述栅极的静电调控下所述外尔半导体层拓扑相变，以使所述基于外尔半导体的拓扑相变晶体管呈开态或关态。本发明利用外尔半导体的贝利曲率和对应的陈数可调特性，实现了陈数为0的传统半导体和陈数为1的拓扑半金属间的拓扑相变。实现具低功耗和高性能的场效应晶体管。通过静电调控，实现了10⁸开关比和39毫西门子每微米的开态电导。

关键词：半导体层拓扑晶体管半导体静电开态源极曲率场效应晶体管传统半导体间隔设置半金属低功耗开关比调控电导关态可调漏极制备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法

一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法

引用

作者：孙德福李东华 250014 山东省济南市历下区和平路51号

本发明提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P‑型半导体VLD区的一... 详细信息

标准号: CN114141858A

本发明提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P‑型半导体VLD区的一侧相互连接，P‑型半导体VLD区的结深大于P型半导体主结的结深；相对于传统半导体终端结构，本发明可实现更稳定的击穿电压、更低的漏电水平和更短的终端尺寸，且不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。

关键词：半导体终端结构场限环半导体漂移区结深主结表面固定电荷传统半导体漏电击穿电压制造工艺掺杂的制备终端引入

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

体布拉格光栅与慢轴准直透镜一体化半导体激光器及组件

体布拉格光栅与慢轴准直透镜一体化半导体激光器及组件

引用

作者：马凯胜秦华兵王友志秦鹏 261061 山东省潍坊市高新区新城街道玉清社区金马路9号管芯净化厂房

本发明公开体布拉格光栅与慢轴准直透镜一体化半导体激光器及组件。所述激光器包括半导体激光器芯片、快轴准直透镜、慢轴透镜与光栅一体件、聚焦透镜和光纤。所述快轴准直透镜、慢轴透镜与光栅一体件、聚焦透镜、光纤依次沿着半导体激... 详细信息

标准号: CN116526290A

本发明公开体布拉格光栅与慢轴准直透镜一体化半导体激光器及组件。所述激光器包括半导体激光器芯片、快轴准直透镜、慢轴透镜与光栅一体件、聚焦透镜和光纤。所述快轴准直透镜、慢轴透镜与光栅一体件、聚焦透镜、光纤依次沿着半导体激光器芯片的光线出射方向分布。所述快轴准直透镜为水平设置的柱面镜，所述慢轴透镜与光栅一体件为竖向设置的柱面镜，且所述慢轴透镜与光栅一体件的凸面侧与聚焦透镜相邻，所述述快轴准直透镜的凸面侧与慢轴透镜与光栅一体件的平面侧相邻。本发明有效解决了传统半导体激光器结构中每个光学件需要单独调节带来的存在调节繁琐、不便的问题以及当相邻光学件界面上的镀膜效果差或者污染时容易造成光学件烧坏的问题。

关键词：透镜慢轴光栅准直透镜一体件快轴聚焦透镜半导体激光器芯片光学件柱面镜凸面光纤半导体激光器体布拉格光栅烧坏传统半导体激光器结构单独调节镀膜效果光线出射竖向设置水平设置相邻光学有效解决激光器一体化污染

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共16页 << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：