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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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157 篇 专利

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157 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

8 篇 长春理工大学
6 篇 北京大学
5 篇 华中科技大学
4 篇 中国地质大学
3 篇 成都皓瀚完井岩电...
3 篇 浙江大学
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 西安和其光电科技...
2 篇 致晶科技有限公司
2 篇 华润矽威科技有限...
2 篇 北京科技大学
2 篇 潍坊华光光电子有...
2 篇 东服企业股份有限...
2 篇 合肥硅臻芯片技术...
2 篇 中航高科智能测控...
2 篇 上海北车永电电子...
2 篇 芯冠半导体有限公...
2 篇 天津大学
2 篇 华能新能源股份有...
2 篇 上海电机学院

作者

4 篇 乔忠良
4 篇 刘国军
4 篇 芦鹏
4 篇 高欣
4 篇 薄报学
4 篇 王玉霞
4 篇 张斯玉
4 篇 李梅
4 篇 李占国
3 篇 陈一健
3 篇 张伦平
3 篇 孙雷
3 篇 王晓华
3 篇 唐吉龙
3 篇 王柯景
3 篇 曲轶
3 篇 方铉
3 篇 楚学影
3 篇 李金华
3 篇 房丹

语言

157 篇 中文

检索条件"主题词=传统半导体"

共 157 条记录，以下是91-100 订阅

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详细简洁

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一种高散热封装结构及其封装工艺

一种高散热封装结构及其封装工艺

引用

作者：黄亚发周章渝文志军毛用锐代天军徐永驰 563005 贵州省遵义市红花岗区深溪镇盈田工谷30号厂房

本发明公开了一种高散热封装结构，包括：芯片；铜电极，芯片上下两侧均设置有铜电极，两铜电极均与芯片固接，且两芯片均与铜电极电性连接；复合涂层，芯片表面和铜电极与芯片的连接处均涂覆有复合涂层；封装胶体，封装胶体将芯片、铜... 详细信息

标准号: CN115863269B

本发明公开了一种高散热封装结构，包括：芯片；铜电极，芯片上下两侧均设置有铜电极，两铜电极均与芯片固接，且两芯片均与铜电极电性连接；复合涂层，芯片表面和铜电极与芯片的连接处均涂覆有复合涂层；封装胶体，封装胶体将芯片、铜电极和复合涂层均包覆在内，且两铜电极的引脚均伸出封装胶体。本发明解决了传统半导体封装总铜电极因为是良好的导体，在需要绝缘的区域不能做统一的散热，同时由于加工精度的问题，铜电极在做散热的时候与芯片接触面不能做到全面接触，导致的散热面较小导致的散热不足，最终影响该封装半导体器件的性能和使用温度；使用本申请的封装结构能够提高散热效果从而提高半导体器件的性能和使用温度。

关键词：铜电极芯片封装胶体复合涂层散热封装半导体器件高散热封装结构半导体器件传统半导体芯片接触面导体电性连接封装结构全面接触散热效果上下两侧芯片表面散热面电极包覆固接涂覆引脚总铜封装绝缘伸出加工申请统一

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一种小型发光模块及激光白光器件

一种小型发光模块及激光白光器件

引用

作者：彭洋余子康陈明祥 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明公开了一种小型发光模块及激光白光器件，属于照明和显示技术领域。发光模块包括：波长转换单元、两个铜电极及LD芯片；所述LD芯片固定在所述两个铜电极之间并与所述两个铜电极电连接，所述波长转换单元设置在所述两个铜电极上，... 详细信息

标准号: CN114725769A

本发明公开了一种小型发光模块及激光白光器件，属于照明和显示技术领域。发光模块包括：波长转换单元、两个铜电极及LD芯片；所述LD芯片固定在所述两个铜电极之间并与所述两个铜电极电连接，所述波长转换单元设置在所述两个铜电极上，并与所述LD芯片之间有空隙；所述两个铜电极用于通电后给所述LD芯片供电，使所述LD芯片发出蓝色激光；所述波长转换单元用于提供荧光转换材料，供所述LD芯片激发转换，发出黄光，并与所述蓝色激光混合形成白光。还提供了一种基于上述发光模块的白光器件。本发明解决了荧光转换材料以及激发芯片温度过高以及传统半导体白光光源体积过大、不易集成化等问题，具有小型化、高功率、高亮度、散热好和光损耗小的优势。

关键词：铜电极波长转换单元发光模块荧光转换材料白光器件蓝色激光传统半导体白光光源温度过高电连接高功率光损耗集成化激发散热白光黄光激光通电芯片供电转换

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一种能量-空间耦合测量的核辐射探测器及其探测方法

一种能量-空间耦合测量的核辐射探测器及其探测方法

引用

作者：王方宝陈亮张斯龙何世熠欧阳晓平 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号

本发明涉及一种能量‑空间耦合测量的核辐射探测器及其探测方法；解决传统半导体探测器获取高能粒子位置信息困难的问题以及闪烁体探测器成像精度与探测效率的矛盾；探测器包括供电单元、半导体辐射探测单元以及设置在半导体辐射探测单... 详细信息

标准号: CN116859440A

本发明涉及一种能量‑空间耦合测量的核辐射探测器及其探测方法；解决传统半导体探测器获取高能粒子位置信息困难的问题以及闪烁体探测器成像精度与探测效率的矛盾；探测器包括供电单元、半导体辐射探测单元以及设置在半导体辐射探测单元上表面的有机发光成像单元；半导体辐射探测单元的一端与供电单元的负极连接，另一端与有机发光成像单元的输入端连接，有机发光成像单元的输出端与供电单元的正极连接；半导体辐射探测单元用于沉积辐射能量，将其转换为带电的载流子，产生电信号，并测量辐射射线的能量信息，有机发光成像单元用于收集半导体辐射探测单元产生的载流子并进行复合发光，记录辐射射线的空间信息；本发明还提出探测器的探测方法。

关键词：半导体辐射探测单元成像单元有机发光供电单元探测器载流子射线探测测量核辐射探测器闪烁体探测器传统半导体输入端连接辐射能量复合发光负极连接高能粒子空间信息空间耦合能量信息探测效率正极连接上表面输出端辐射带电沉积成像转换记录矛盾

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亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法

亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法

引用

作者：段晓峰黄永清任晓敏尚玉峰杨一粟张霞王琦 100876 北京市海淀区西土城路10号 66信箱

本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型... 详细信息

标准号: CN103367370A

本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。

关键词：外延层波长光栅光探测器量子效率频率响应电极带宽光电子技术领域氧化硅衬底层传统半导体光信号处理宽光谱范围光栅硅衬底层特定图案相关工艺制备方法宽光谱树脂层光通信硅基接触

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阻变存储器的制备方法及阻变存储器

阻变存储器的制备方法及阻变存储器

引用

作者：刘力锋于迪陈冰王琰傅亦晗韩德栋王漪刘晓彦康晋锋张兴 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的... 详细信息

标准号: CN102655211A

本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的金属氧化物浆料印刷到衬底和金属字线上，再经热处理得到阻变层；D：采用丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到阻变层上，经热处理得到金属位线。本发明中的制备方法采用溶胶凝胶与丝网印刷相结合的方法制造阻变存储器阵列，不需使用传统半导体制造工艺，因而降低了成本，其对工艺条件要求低，设备简单，工艺过程为低温过程，可与各种衬底材料和工艺兼容，且通过该方法制备的阻变存储器的特性和可靠性较好。

关键词：阻变存储器丝网印刷机热处理金属氧化物浆料金属浆料制备方法氯铂酸金属印刷衬底字线溶胶凝胶法制传统半导体衬底材料低温过程工艺过程工艺条件溶胶凝胶丝网印刷相结合位线

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一种基于全介质材料的柔性可调制太赫兹滤波器

一种基于全介质材料的柔性可调制太赫兹滤波器

引用

作者：马雷郝丹妮张毅 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明是一种基于全介质材料的柔性可调制太赫兹滤波器，器件包括：上层为掺杂硅或无掺硅介质图案层，下层为聚二甲基硅氧烷柔性衬底层，上层掺杂硅或无掺硅介质图案层与下层衬底层的连接依靠硅与聚二甲基硅氧烷衬底间的成键作用；上层... 详细信息

标准号: CN115911881A

本发明是一种基于全介质材料的柔性可调制太赫兹滤波器，器件包括：上层为掺杂硅或无掺硅介质图案层，下层为聚二甲基硅氧烷柔性衬底层，上层掺杂硅或无掺硅介质图案层与下层衬底层的连接依靠硅与聚二甲基硅氧烷衬底间的成键作用；上层图案为对称三角形结构、对称扇环结构或不对称裂口环结构单元在平面内周期性阵列平铺，阵列与衬底的连接依靠硅与聚二甲基硅氧烷衬底间的成键作用。通过拉伸，器件在太赫兹波段实现明显的滤波位置调制与滤波深度调制。本发明具有初级材料成本低的优势，且与传统半导体制造工艺有很高的兼容性，在较宽的频率范围内具有较大深度的可调制性，满足太赫兹系统的许多应用要求，并有潜力替代传统的金属基超材料器件。

关键词：聚二甲基硅氧烷衬底调制上层掺杂硅硅介质图案层成键下层对称三角形结构滤波器裂口传统半导体全介质材料柔性衬底层太赫兹波段太赫兹系统周期性阵列初级材料滤波位置扇环结构深度调制应用要求制造工艺不对称超材料衬底层传统的环结构兼容性金属基拉伸滤波平铺对称图案替代

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阻变存储器的制备方法及阻变存储器

阻变存储器的制备方法及阻变存储器

引用

作者：刘力锋于迪陈冰王琰傅亦晗韩德栋王漪刘晓彦康晋锋张兴 100871 北京市海淀区颐和园路5号

标准号: CN102655211B

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一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法

一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法

引用

作者：彭文豪陈平李彬彬施凯旋 200240 上海市闵行区江川路690号

本发明涉及一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法，具体通过Cr掺杂在宿主材料AgGaS2的阳离子Ga位，以此形成的半导体化学分子式为AgGa1‑xCrxS2，式中0.008<x<0.1。与现有技术相比，本发明引入一条金属性的半占据中... 详细信息

标准号: CN113511672B

本发明涉及一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法，具体通过Cr掺杂在宿主材料AgGaS₂的阳离子Ga位，以此形成的半导体化学分子式为AgGa_1‑xCr_xS₂，式中0.008<x<0.1。与现有技术相比，本发明引入一条金属性的半占据中间带，中间带主要由Cr的3d态价电子构成。因为这一金属性的中间带出现，实现了多种低能光子吸收，提高了光生电子空穴对的数量，故其光子能量能够很好地覆盖太阳光谱的可见光范围，有效利用了太阳光，极大地提高了可见光的光学吸收效率，进而有效提升太阳能电池的光电转换效率和光解水制氢活性，因此本材料有望改进传统半导体光学效率低下的问题，并有望成为新一代光催化制氢材料。

关键词：中间带可见光金属性空穴光电转换效率半导体化学传统半导体多光子吸收光催化制氢光解水制氢太阳能电池低能光子光生电子光学吸收光学效率光子能量宿主材料太阳光谱铬掺杂价电子硫镓银太阳光新一代阳离子式中掺杂引入占据覆盖吸收改进

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一种基于自注入锁定的光频梳源

一种基于自注入锁定的光频梳源

引用

作者：刘午周志伟 230601 安徽省合肥市经济技术开发区宿松路以东、观海路以北智能装备科技园E栋10层东02室

本申请公开了一种基于自注入锁定的光频梳源，包括半导体激光器、激光驱动器、第一波导分束器、第二波导分束器和波导滤波器，第一波导分束器、第二波导分束器和波导滤波器集成在一个光芯片上。半导体激光器在激光驱动器的作用下工作于... 详细信息

标准号: CN116435866A

本申请公开了一种基于自注入锁定的光频梳源，包括半导体激光器、激光驱动器、第一波导分束器、第二波导分束器和波导滤波器，第一波导分束器、第二波导分束器和波导滤波器集成在一个光芯片上。半导体激光器在激光驱动器的作用下工作于增益开关模式输出光脉冲，半导体激光器输出的光脉冲经过第一波导分束器和第二波导分束器的分束后一部分光脉冲输出到光芯片外，另一部分光脉冲经过波导滤波器处理后形成特定频率的自注入光信号，自注入光信号反馈注入到半导体激光器，实现半导体激光器的自注入锁定以及有效光频梳的产生。此外，本申请提供的光频梳源可基于传统半导体激光器和传统的硅基芯片工艺实现，易于片上集成。

关键词：分束器半导体激光器波导光脉冲波导滤波器激光驱动器注入光信号自注入锁定光芯片光频传统半导体工艺实现硅基芯片模式输出片上集成增益开关输出传统的激光器有效光分束申请反馈

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连续波钙钛矿极化激元激光器与激光芯片及制作方法

连续波钙钛矿极化激元激光器与激光芯片及制作方法

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作者：狄大卫邹晨赵保丹 310030 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

本发明公开了连续波钙钛矿极化激元激光器与激光芯片及制作方法。所述连续波钙钛矿极化激元激光器的增益介质为钙钛矿材料或包含钙钛矿材料的混合材料，形式为薄膜、微晶、荧光粉、纳米晶体、量子点或单晶。通过溶液法或真空镀膜法制备... 详细信息

标准号: CN117712823A

本发明公开了连续波钙钛矿极化激元激光器与激光芯片及制作方法。所述连续波钙钛矿极化激元激光器的增益介质为钙钛矿材料或包含钙钛矿材料的混合材料，形式为薄膜、微晶、荧光粉、纳米晶体、量子点或单晶。通过溶液法或真空镀膜法制备钙钛矿增益介质，与光学谐振腔结合，利用激子与光子之间的强相互作用形成稳态激子极化激元凝聚，可在无需达到传统激光器粒子束反转条件的前提下，获得低阈值的连续波极化激元激光出射。所述激光器可以在各类相干、非相干光源或电激发泵浦下实现室温低阈值连续波或脉冲激光发射，比传统半导体激光器的阈值低1‑3个数量级，优化后的阈值可达到0.1‑1W/cm²或以下，是一种超低功耗的新型相干光源技术。

关键词：极化激元激光器连续波钙钛矿钙钛矿材料增益介质激子粒子束荧光粉脉冲激光发射真空镀膜法制传统半导体传统激光器非相干光源光学谐振腔超低功耗反转条件个数量级混合材料激光芯片纳米晶体相干光源电激发量子点溶液法光子相干泵浦出射单晶微晶稳态薄膜激光凝聚制作优化

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