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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

157 篇 专利

馆藏范围

157 篇 电子文献
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日期分布

机构

8 篇 长春理工大学
6 篇 北京大学
5 篇 华中科技大学
4 篇 中国地质大学
3 篇 成都皓瀚完井岩电...
3 篇 浙江大学
2 篇 中国科学院半导体...
2 篇 西安和其光电科技...
2 篇 致晶科技有限公司
2 篇 华润矽威科技有限...
2 篇 北京科技大学
2 篇 潍坊华光光电子有...
2 篇 东服企业股份有限...
2 篇 合肥硅臻芯片技术...
2 篇 中航高科智能测控...
2 篇 上海北车永电电子...
2 篇 芯冠半导体有限公...
2 篇 天津大学
2 篇 华能新能源股份有...
2 篇 上海电机学院

作者

4 篇 乔忠良
4 篇 刘国军
4 篇 芦鹏
4 篇 高欣
4 篇 薄报学
4 篇 王玉霞
4 篇 张斯玉
4 篇 李梅
4 篇 李占国
3 篇 陈一健
3 篇 张伦平
3 篇 孙雷
3 篇 王晓华
3 篇 唐吉龙
3 篇 王柯景
3 篇 曲轶
3 篇 方铉
3 篇 楚学影
3 篇 李金华
3 篇 房丹

语言

157 篇 中文

检索条件"主题词=传统半导体"

共 157 条记录，以下是151-160 订阅

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排序：

基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法

基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法

引用

作者：钟海政孟令海施立甫江峰 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法。该制备方法至少包括以下步骤：S100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板；S200、将所述聚合物薄膜图形化；S300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属，得到聚合物填充的... 详细信息

标准号: CN112480915B

本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法。该制备方法至少包括以下步骤：S100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板；S200、将所述聚合物薄膜图形化；S300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属，得到聚合物填充的金属格栅图形衬底；S400、钙钛矿量子点前驱体嵌入所述金属格栅图形衬底的聚合物中，析出钙钛矿量子点，即可得到所述基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜。该方法可大面积、高分辨率、高重复性、低成本的制备稳定性良好，并可兼容传统半导体光刻工艺的钙钛矿量子点荧光复合功能薄膜，从而为制备光电探测器、相机模块、阵列激光器、多色显示和荧光防伪标识等器件提供了规模化生产的可行性。

关键词：钙钛矿量子点图形化制备复合功能薄膜聚合物薄膜金属格栅衬底荧光防伪标识传统半导体光电探测器规模化生产聚合物填充阵列激光器析出沉积金属多色显示高分辨率高重复性光刻工艺器件提供相机模块聚合物低成本前驱体荧光基板嵌入兼容覆盖申请

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基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法

基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法

引用

作者：钟海政孟令海施立甫江峰 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

标准号: CN112480915A

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一种碲纳米片厚度减薄的方法

一种碲纳米片厚度减薄的方法

引用

作者：张跃于慧慧张铮曾浩然张先坤高丽洪孟羽汤文辉李瑞山卫孝福 100083 北京市海淀区学院路30号北京科技大学

本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳... 详细信息

标准号: CN113401880B

本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片进行减薄，可实现碲纳米片厚度的精确调控；采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片，可充分发挥p型碲纳米片的优势，满足不同器件对材料性能的要求，可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件，与传统半导体加工工艺兼容性良好；本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控，对发展性能稳定，满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。

关键词：纳米片厚度减薄弱氧化载流子纳米材料技术场效应开关传统半导体电子束曝光材料性能电极材料光电器件精确调控氧化反应兼容性薄层二维减薄制备浸泡取出场景调控构筑

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一种金属-氧化层-栅极电容器及其制备方法

一种金属-氧化层-栅极电容器及其制备方法

引用

作者：吴汉明陈春章胡煜 315000 浙江省宁波市鄞州区学士路642弄2号卓悦大厦7楼

本发明公开了一种金属‑氧化层‑栅极电容器及其制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上覆盖第一绝缘层；在第一绝缘层的表面形成导电层；在导电层的表面上气相沉积第二层绝缘层；对第二层绝缘层进行蚀刻，形成对导电层的局部暴露，同时... 详细信息

标准号: CN113571499A

本发明公开了一种金属‑氧化层‑栅极电容器及其制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上覆盖第一绝缘层；在第一绝缘层的表面形成导电层；在导电层的表面上气相沉积第二层绝缘层；对第二层绝缘层进行蚀刻，形成对导电层的局部暴露，同时形成接触孔；对接触孔的开口进行金属填充，形成翅片结构，作为电容器的底板电极即栅极柱；对围绕栅极柱的第二层绝缘层进行蚀刻，使栅极柱从第二绝缘层突出，围绕栅极柱形成沟槽；在第二层绝缘层和栅极柱的表面上气相沉积绝缘介电层；在绝缘介电层上沉积并覆盖一层衬底金属层；在衬底金属层上沉积并覆盖一层主体金属层，形成电容器的上极板电极。本发明可用于传统半导体平面制备和最先进的FinFET制备技术。

关键词：绝缘层导电层电容器蚀刻衬底金属层绝缘介电层气相沉积接触孔沉积制备覆盖传统半导体栅极电容器主体金属层表面形成翅片结构底板电极金属填充局部暴露平面制备上极板氧化层电极衬底可用半导体开口金属

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一种非易失性的可编程pn结存储器

一种非易失性的可编程pn结存储器

引用

作者：张增星李东 200092 上海市杨浦区四平路1239号

本发明公开了一种非易失性的可编程pn结存储器。该器件主要基于双极性半导体材料的物理特性，通过半浮栅场效应晶体管的结构设计，实现控制栅对沟道层的有效调制，使沟道层可以在pn结与非pn结等不同的存储状态之间逻辑变换，具有非易失... 详细信息

标准号: CN106920851A

本发明公开了一种非易失性的可编程pn结存储器。该器件主要基于双极性半导体材料的物理特性，通过半浮栅场效应晶体管的结构设计，实现控制栅对沟道层的有效调制，使沟道层可以在pn结与非pn结等不同的存储状态之间逻辑变换，具有非易失性可编程可存储的功能。由于pn结与非pn结具有不同的物理性能，因而可以在电子和光电子器件中产生新的应用，拓展传统半导体pn结与浮栅存储器的功能和应用领域。该器件主要结构和功能如下：(1)具有半浮栅场效应晶体管的器件构造；(2)组成沟道层的材料主要为双极性半导体材料，该材料的载流子类型(p型或n型)可以通过电场进行动态调控；(4)为半浮栅结构，即浮栅只覆盖部分沟道层。

关键词：沟道层浮栅场效应晶体管双极性半导体非易失性可编程与非传统半导体浮栅存储器功能和应用光电子器件载流子类型电场存储状态动态调控浮栅结构逻辑变换器件构造物理特性物理性能存储器可存储控制栅浮栅调制覆盖拓展应用浮栅场效应晶体管二维晶体非易失性逻辑变化脉冲电压可编程可存储控制栅双极型与非存储施加

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一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法

一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法

引用

作者：蔡一茂王宗巍黄如刘业帆余牧溪方亦陈 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极‑阻变层‑电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然... 详细信息

标准号: CN104485416B

本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极‑阻变层‑电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然后利用光刻胶作为牺牲层，利用传统半导体CMOS工艺的光刻技术，通过牺牲层在阻变薄膜材料层上刻蚀出超材料结构的电极图形；再在刻蚀出的图形上淀积金属电极材料，去除牺牲层后即形成阻变存储器结构。本发明将超材料做成电极结构应用在阻变存储器中，通过电磁波的非接触式激励来实现存储状态的改变，可以应用到电磁开关、电磁波探测等方面，极大的丰富了阻变存储器的应用。

关键词：阻变存储器电极结构牺牲层衬底薄膜材料层传统半导体超材料电极刻蚀阻变存储器结构应用超材料结构电磁波探测电磁场产生材料结构存储状态电磁开关电极材料电极图形淀积金属非接触式光刻技术电磁波光刻胶阻变层共振去除制备生长

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一种高温高压岩心动态驱油实验CT扫描装置

一种高温高压岩心动态驱油实验CT扫描装置

引用

作者：陈星宇邹长春陈一健孙雷张伦平王杨王柯景 100083 北京市海淀区学院路29号

本发明公开了一种高温高压岩心动态驱油实验CT扫描装置，包括装置外壳，装置外壳由四层组成，装置外壳从内到外依次设有高压釜体、加热套、保温套和铅皮，高压釜体上下两端分别有釜体上端盖和釜体下端盖覆盖，该种高温高压岩心动态驱油... 详细信息

标准号: CN106706690A

本发明公开了一种高温高压岩心动态驱油实验CT扫描装置，包括装置外壳，装置外壳由四层组成，装置外壳从内到外依次设有高压釜体、加热套、保温套和铅皮，高压釜体上下两端分别有釜体上端盖和釜体下端盖覆盖，该种高温高压岩心动态驱油实验CT扫描装置，相比与传统半导体X光探测器，采用荧光纸作为X光接收装置，可以实现将接收装置放于高温高压环境当中的实验方案。X射线经X光机发出，透过铍窗和围压气体氦气照射到岩心上，再在荧光纸上成像，可以获得25帧/秒，并大于5lp/mm的分辨率图像。X射线的发射和接受都不会穿过高压釜体外壳，避免了釜体外壳对X射线产生的散射和衰弱的影响，同时可以达到150摄氏度高温和70MPA的实验要求。

关键词：高压釜体装置外壳岩心动态驱油高温高压荧光纸釜体高温高压环境传统半导体分辨率图像摄氏度高温釜体外壳气体氦气上下两端实验要求保温套加热套上端盖下端盖散射铅皮围压铍窗衰弱成像照射穿过发射覆盖

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