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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

223 篇 专利

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223 篇 电子文献
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日期分布

机构

7 篇 武汉大学
5 篇 国家电网有限公司
4 篇 芯海科技股份有限...
4 篇 肯塔基大学
3 篇 衢州学院
3 篇 华北电力大学
3 篇 天津大学
3 篇 国家电网公司
3 篇 西安交通大学
3 篇 农业农村部南京农...
3 篇 国网河北省电力有...
3 篇 威胜能源技术股份...
3 篇 上海航天设备制造...
3 篇 浙江大学
3 篇 中国计量学院
2 篇 华中科技大学
2 篇 河南丰源电力科技...
2 篇 东南大学
2 篇 瑞声光电科技有限...
2 篇 暄泰电子有限公司

作者

5 篇 胡文山
5 篇 邓其军
5 篇 周洪
4 篇 周学成
4 篇 高欣
4 篇 祖爽
4 篇 黄亮
4 篇 宋波
4 篇 李强
4 篇 a·欧姆赛比
4 篇 高星冉
4 篇 j·r·兰登
4 篇 k·刘
4 篇 李晓
3 篇 张玉良
3 篇 贾伯岩
3 篇 余建平
3 篇 杨腾祥
3 篇 王超
3 篇 黄银龙

语言

223 篇 中文

检索条件"主题词=传统电容"

共 223 条记录，以下是1-10 订阅

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一种消除电容分压测量电位中漏电流影响的方法

一种消除电容分压测量电位中漏电流影响的方法

引用

作者：周朝阳 311200 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区启迪路198号杭州湾信息港A-B102-1158室

一种消除电容分压测量电位中漏电流影响的方法，测压方法基于下述测压结构及测压步骤，测压步骤为：多档位直流电源采用V1与V2分别驱动压电陶瓷堆叠，使感应极板与待测压极板间距分别为d1与d2，感应极板测得电位VH分别为VH1和VH2其中，d... 详细信息

标准号: CN109541275A

一种消除电容分压测量电位中漏电流影响的方法，测压方法基于下述测压结构及测压步骤，测压步骤为：多档位直流电源采用V1与V2分别驱动压电陶瓷堆叠，使感应极板与待测压极板间距分别为d1与d2，感应极板测得电位V_H分别为V_H1和V_H2其中，d1与d2采用d_n表示，V_H1和V_H2采用V_Hn表示，V_s为待测压极板电位，V₀为漏电流引起的感应极板误差电位，S为待测压极板的面积，通过公式可解出V_s与V₀的数值。本发明解决了传统电容分压测量高电压，漏电流的致命影响；相对于采用固定频率振动装置实现的动电容非接触测量高压的方式，本发明采用两档直流驱动，驱动电路简单，同时由于带宽被压缩在低频，噪声更小，且对放大电路要求更低，不需要窄带滤波电路和解调电路。

关键词：测压感应极板漏电流电位极板电路和解调电路驱动压电陶瓷非接触测量测量电位传统电容电容分压放大电路分压测量固定频率极板电位驱动电路窄带滤波振动装置直流电源直流驱动多档位高电压电容堆叠两档噪声带宽压缩

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偶数相开关磁阻电机倍压整流电容裂相式电路

偶数相开关磁阻电机倍压整流电容裂相式电路

引用

作者：钱宇杰朱雨微刘闯朱学忠 210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号

本发明公开了适用于偶数相的开关磁阻电机倍压整流电容裂相式主电路，包含由交流电源和倍压整流电路、2个串联滤波电容组成整流电路，通过N个不对称半桥电路与开关磁阻电机的2N相绕组组成；偶数相绕组的中点与串联滤波电容中点相连。本... 详细信息

标准号: CN114006564A

本发明公开了适用于偶数相的开关磁阻电机倍压整流电容裂相式主电路，包含由交流电源和倍压整流电路、2个串联滤波电容组成整流电路，通过N个不对称半桥电路与开关磁阻电机的2N相绕组组成；偶数相绕组的中点与串联滤波电容中点相连。本发明相对于开关磁阻电机传统的不对称半桥电路方案，其功率开关器件数减少一半，大大降低功率器件的用量；本发明相对于传统的偶数相开关磁阻电机电容裂相型主电路方案，由于增加了倍压整流结构和稳定电容中点电位，解决了传统电容裂相型主电路的固有的中点电位漂移问题。本发明具有结构简单、成本低、控制灵活、可靠性高、维护方便等优点。

关键词：开关磁阻电机主电路不对称半桥电路倍压整流滤波电容中点电位电容传统的相绕组串联倍压整流电路功率开关器件漂移传统电容降低功率交流电源维护方便稳定电容整流电路灵活

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一种减少电容和开关数量的逐次逼近型模数转换器

一种减少电容和开关数量的逐次逼近型模数转换器

引用

作者：李效龙杨双竹曾睿高亮杨正文 212008 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号

本发明公开了一种减少电容和开关数量的逐次逼近型模数转换器，包括顺次电连接的DAC模块、电压比较器和SAR逻辑控制电路，SAR逻辑控制电路输出开关控制信号控制DAC模块输出，在电压比较器完成比较。本发明电容阵列采用分段电容结构，提... 详细信息

标准号: CN114095029B

本发明公开了一种减少电容和开关数量的逐次逼近型模数转换器，包括顺次电连接的DAC模块、电压比较器和SAR逻辑控制电路，SAR逻辑控制电路输出开关控制信号控制DAC模块输出，在电压比较器完成比较。本发明电容阵列采用分段电容结构，提出最少电容数量的分段计算方法，有效降低了所需的电容数量，本发明与传统电容阵列相比可节省近96％的电容数，与其他形式的分段电容结构相比可节省37％～90％的电容数量；使用更为简单的CMOS互补开关作为开关，进一步在高电位段增加一个单位电容，从而使低电位段电容无需采样，进而节省了开关开销；通过对电容阵列高电位段最高权重组电容进行分裂，使其在电荷转移阶段无需通过开关接入共模电平Vcm，由此可以节省近20％的开关开销。

关键词：电容逻辑控制电路电压比较器电容阵列分段电容高电位输出开关控制信号电荷转移阶段模数转换器逐次逼近型传统电容单位电容分段计算共模电平互补开关开关接入低电位电连接采样输出分裂

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一种深度融合柱上断路器电容取电电源装置

一种深度融合柱上断路器电容取电电源装置

引用

作者：黄亮孙勇卫李强肖泽龙周学成艾少鹏 411201 湖南省湘潭市经开区白石路28号

本发明公开了一种一种深度融合柱上断路器电容取电电源装置，传统电容取电电源装置，仅单路输入，不能给超级电容充电，一旦后备锂电池失效，光靠输入源电容取电的能量无法满足开关分合闸瞬间大功率输出能量的能力。同时传统的电源装置... 详细信息

标准号: CN116388359A

本发明公开了一种一种深度融合柱上断路器电容取电电源装置，传统电容取电电源装置，仅单路输入，不能给超级电容充电，一旦后备锂电池失效，光靠输入源电容取电的能量无法满足开关分合闸瞬间大功率输出能量的能力。同时传统的电源装置无电池串并功能，不能通过电池串并投切降低压差，本方案装置管理单元具备电源自适应取能CPT功率，能同时满足外接核心单元输出功率、电池充电功率、超容充电功率，优先提供给外部核心单元，当核心单元功率超过电源模块的输出功率限值时，超出部分由电池或超容提供，如分合闸及储能阶段、5G模块通讯阶段；电池一旦出现过流或短路保护后，会断开电池，需通过电池启动按键恢复电池；在有CPT供电时，电池会自动恢复。

关键词：电池核心单元电容取电电源装置输出功率电池串分合闸超容超级电容充电电池充电功率瞬间大功率柱上断路器按键恢复充电功率储能阶段传统电容电池启动电源模块短路保护方案装置管理单元模块通讯取电电源深度融合输出能量优先提供自动恢复传统的输入源锂电池单路取能投切外接压差断开供电外部

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零电荷电位基电容去离子

零电荷电位基电容去离子

引用

作者：高欣 A·欧姆赛比 J·R·兰登 K·刘美国肯塔基州

本发明是通过经表面改性改变电极表面的零电荷电位解决传统电容去离子(CDI)和膜电容去离子(MCDI)装置和方法的短寿命问题的电容(又称静电)去离子装置和方法。这样的电极表面改性提供极长寿命的电容去离子装置和方法。

标准号: CN112441653B

关键词：电极表面离子电容去离子装置去离子装置表面改性传统电容电荷电位寿命问题静电长寿命膜电容电容改性

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一种智能融合型电容式电压互感器和测量系统

一种智能融合型电容式电压互感器和测量系统

引用

作者：刘坤雄刘瑶王勇江涛张华张小庆锁军彭书涛徐磊李俊陈一悰胡波万青王辰曦 710199 陕西省西安市国家民用航天产业基地航天中路669号

本发明公开了一种智能融合型CVT和系统，属于电力系统高压电压互感器技术领域，本发明主要解决了CVT无法应用于对电力系统高频谐波和暂态电压进行测量问题，并且拓展了其应用范围，可实现对CVT的故障诊断以及数字孪生等应用场景。智能... 详细信息

标准号: CN118033210A

本发明公开了一种智能融合型CVT和系统，属于电力系统高压电压互感器技术领域，本发明主要解决了CVT无法应用于对电力系统高频谐波和暂态电压进行测量问题，并且拓展了其应用范围，可实现对CVT的故障诊断以及数字孪生等应用场景。智能融合型CVT现场安装方便，无需外部电源供电，极大降低了安装和运维成本。本发明所提出的基于滑模观测器的暂态和宽频谐波进行电压还原，考虑了寄生参数影响，该技术在应对高频谐波和快速变化的暂态信号时，相比传统电容电流积分法具有更准确的还原性能，且由于避免了微分运算，因此也具备很强的抗噪性能。

关键词：高频谐波智能融合电力系统高压寄生参数影响外部电源供电电流积分法电压互感器滑模观测器测量问题传统电容电力系统故障诊断还原性能抗噪性能快速变化微分运算现场安装应用场景暂态电压暂态信号宽频谐波运维暂态还原应用拓展

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金属滴液电极式三维电容触觉传感器

金属滴液电极式三维电容触觉传感器

引用

作者：余建平李欣张玉良 324000 浙江省衢州市柯城区九华北大道78号

本发明公开了一种金属滴液电极式三维电容触觉传感器。主要从下至上依次由下极板、电介质层和上极板组合而成，下极板上表面开有四组阵列布置的方形凹槽，每组方形凹槽包括两个直角三角形槽，每个直角三角形槽均置有一个传感电极，每组... 详细信息

标准号: CN109282921A

本发明公开了一种金属滴液电极式三维电容触觉传感器。主要从下至上依次由下极板、电介质层和上极板组合而成，下极板上表面开有四组阵列布置的方形凹槽，每组方形凹槽包括两个直角三角形槽，每个直角三角形槽均置有一个传感电极，每组方形凹槽的两个传感电极构成一组电容单元；上极板上表面加工成半圆球型结构，上极板下表面加工有四个阵列布置的梯形台状槽，电介质层和上极板粘接使得形成密封腔体，四个密封腔体填注有镓铟锡合金液体构成四个传感单元。本发明采用变极板面积的方式替代传统电容传感器改变极板间距的方式，有效提高传感器灵敏度。

关键词：上极板方形凹槽直角三角形槽传感电极电介质层密封腔体阵列布置上表面下极板极板传感器灵敏度触觉传感器镓铟锡合金半圆球型传感单元传统电容电容单元梯形台状电极式金属滴下表面电容传感器填注粘接加工三维替代

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MIM电容的制备方法及半导体器件

MIM电容的制备方法及半导体器件

引用

作者：杨倩范晓陈广龙余航向超王龙鑫 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本发明提供一种MIM电容的制备方法及半导体器件，其中MIM电容的制备方法包括：形成第一NDC层；形成对准沟槽；形成第二绝缘介质层；形成电容沟槽；形成下极板金属层、介电层和上极板金属层；去除第二绝缘介质层表面的上极板金属层和介... 详细信息

标准号: CN115802883A

本发明提供一种MIM电容的制备方法及半导体器件，其中MIM电容的制备方法包括：形成第一NDC层；形成对准沟槽；形成第二绝缘介质层；形成电容沟槽；形成下极板金属层、介电层和上极板金属层；去除第二绝缘介质层表面的上极板金属层和介电层；形成刻蚀阻挡层；去除部分第二绝缘介质层上的刻蚀阻挡层和下极板金属层以得到部分下极板金属层的上表面与上极板金属层的上表面处于同一平面的MIM电容；形成第三绝缘介质层；形成金属插塞。本申请在MIM电容与传统MIM电容占据相同面积且只需更改传统电容工艺上极板光罩的前提下，避免了刻蚀上极板金属层的过程中介电层被损伤的情况，同时提升了MIM电容的电容量。

关键词：上极板金属绝缘介质层下极板金属刻蚀阻挡层介电层上表面去除制备绝缘介质层表面半导体器件传统电容电容沟槽金属插塞中介电层电容量上极板光罩刻蚀对准损伤占据申请

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一种电容检测方法及系统

一种电容检测方法及系统

引用

作者：曹金根饶化腾李天毅毛建明 335599 江西省上饶市万年县丰收工业园区

本发明公开了一种电容检测方法及系统，针对传统电容生成测试的局限性，本发明利用图像识别技术对电容的外观进行检测和分析，识别出存在缺陷的电容，并将其标记剔除。将筛选后的电容进行各项性能测试，然后对剩余电容样品进行老化测试... 详细信息

标准号: CN117900159A

本发明公开了一种电容检测方法及系统，针对传统电容生成测试的局限性，本发明利用图像识别技术对电容的外观进行检测和分析，识别出存在缺陷的电容，并将其标记剔除。将筛选后的电容进行各项性能测试，然后对剩余电容样品进行老化测试，利用线性回归算法构建老化模型，监测电容在长期使用过程中的性能变化，进行电容的各项性能测试，评估电容的性能变化。可以有效确保电容产品的质量和性能。将测试合格的电容进行封装，标明相关信息，并存储在适当的环境中，以待出售和使用。

关键词：电容性能变化性能测试图像识别技术线性回归算法传统电容电容产品电容检测老化测试老化模型生成测试剩余电容相关信息构建封装剔除存储标明测试筛选监测检测评估分析

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基于推广C-2C结构拆分电容冗余逐次逼近型模数转换器的误差校正方法

基于推广C-2C结构拆分电容冗余逐次逼近型模数转换器的误差校正方...

引用

作者：曹超徐龙飞于佳段玉婵陈宏天胡轲郭海君 250100 山东省济南市历城区山大南路27号

本发明涉及一种基于推广C‑2C结构拆分电容冗余逐次逼近型模数转换器的误差校正方法，属于模拟集成电路技术领域。本发明采用推广的C‑2C结构，相比于传统电容阵列结构减少了大量电容面积，同时改善了传统的C‑2C电容阵列结构由于过多的桥... 详细信息

标准号: CN117650785A

本发明涉及一种基于推广C‑2C结构拆分电容冗余逐次逼近型模数转换器的误差校正方法，属于模拟集成电路技术领域。本发明采用推广的C‑2C结构，相比于传统电容阵列结构减少了大量电容面积，同时改善了传统的C‑2C电容阵列结构由于过多的桥接电容引入的寄生电容导致的线性度和精度较差的问题。在推广C‑2C电容阵列中引入冗余电容，冗余电容覆盖前几位电容，权重等于覆盖电容的权重之和。然后通过数字校正电路将10位输出B_i转换成8位二进制输出码D_i；拆分电容设计法保持电容器总和不变，数字校正电路仅通过加法电路进行转换而不会溢出，电路简便；从整体上看，而不需要超过二进制电平的冗余电容。还给出了优化速度和DEC逻辑的设计。

关键词：电容冗余电容数字校正电路电容阵列权重电容器模拟集成电路二进制电平二进制输出模数转换器逐次逼近型传统电容电容设计寄生电容加法电路误差校正阵列结构传统的位输出线性度冗余引入转换覆盖桥接溢出电路优化

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