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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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167 篇 专利

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4 篇 北京科技大学
4 篇 复旦大学
4 篇 西北工业大学
3 篇 瑞萨电子株式会社
3 篇 常州大学
3 篇 北京航空航天大学
3 篇 合肥工业大学
2 篇 胡安·卡洛斯·加西...
2 篇 东莞精旺电子有限...
2 篇 广东科德环保科技...
2 篇 中国科学院山西煤...
2 篇 江苏师范大学
2 篇 广州海鸥卫浴用品...
2 篇 浙江晶达建材科技...
2 篇 太原理工大学
2 篇 tcl通讯有限公司
2 篇 人科机械设备有限...
2 篇 济宁学院
2 篇 山东科技大学
2 篇 济南海能仪器股份...

作者

3 篇 中条卓也
3 篇 宝藏寺裕之
3 篇 大川启一
3 篇 田村政树
3 篇 王文静
3 篇 元脇成久
3 篇 高桥靖司
3 篇 谢建新
3 篇 刘雪峰
3 篇 梶原良一
3 篇 刘磊
2 篇 胡安·卡洛斯·加西...
2 篇 邹玉红
2 篇 徐泽军
2 篇 王礼祥
2 篇 杨宪强
2 篇 程淑芬
2 篇 刘苏
2 篇 于金泳
2 篇 李恒毅

语言

167 篇 中文

检索条件"主题词=传统表面"

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一种烧结NdFeB磁体表面Co/Cu合金化的方法

一种烧结NdFeB磁体表面Co/Cu合金化的方法

引用

作者：徐光青沈子函冉仁豪吕珺汪冬梅郭敏娜斯佳佳 230000 安徽省合肥市屯溪路193号

本发明公开了一种烧结NdFeB磁体表面Co/Cu合金化的方法，包括以下步骤：磁体前处理：将烧结NdFeB磁体酸洗后在去离子水中超声，随后二次酸洗后在去离子水中超声，最后在无水乙醇进行脱水处理；磁体表面溅射Co/Cu合金膜：使用磁控溅射镀... 详细信息

标准号: CN117328027A

本发明公开了一种烧结NdFeB磁体表面Co/Cu合金化的方法，包括以下步骤：磁体前处理：将烧结NdFeB磁体酸洗后在去离子水中超声，随后二次酸洗后在去离子水中超声，最后在无水乙醇进行脱水处理；磁体表面溅射Co/Cu合金膜：使用磁控溅射镀膜仪在NdFeB磁体表面溅射Co/Cu膜，溅射靶材为Co靶和Cu靶，Co/Cu膜中Co、Cu的质量比为4:3‑4:5；磁体表面扩散Co/Cu合金层：将镀膜后的NdFeB磁体在真空管式炉中进行扩散。该烧结NdFeB磁体表面Co/Cu合金化的方法解决了目前钕铁硼耐腐蚀性差以及传统表面防护带来的环境污染问题，且降低了合金化成本。

关键词：磁体表面烧结NdFeB 合金化超声溅射水中离子磁控溅射镀膜环境污染问题扩散真空管式炉传统表面二次酸洗溅射靶材耐腐蚀性脱水处理无水乙醇合金层合金膜前处理质量比钕铁硼镀膜酸洗防护

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一种降低光热效应的表面增强拉曼散射衬底

一种降低光热效应的表面增强拉曼散射衬底

引用

作者：吴雄雄何智慧李建新霍亚杉崔巍王奕璇杨志敏路绍军杨延宁 716000 陕西省西安市宝塔区圣地路580号

本申请涉及表面增强拉曼散射技术领域，具体涉及一种降低光热效应的表面增强拉曼散射衬底，包括基底层、散热层和复合层。散热层置于基底层上，复合层置于散热层上。复合层包括多个散热部和多个贵金属纳米颗粒。贵金属纳米颗粒的尺寸小... 详细信息

标准号: CN118067687A

本申请涉及表面增强拉曼散射技术领域，具体涉及一种降低光热效应的表面增强拉曼散射衬底，包括基底层、散热层和复合层。散热层置于基底层上，复合层置于散热层上。复合层包括多个散热部和多个贵金属纳米颗粒。贵金属纳米颗粒的尺寸小于散热部的尺寸，贵金属纳米颗粒的个数多于散热部的个数，贵金属纳米颗粒散布在散热部之间。本发明传统表面增强拉曼散射衬底的基础上引入散热层和散热部，将激发光产生的热量传递到基底层和复合层上部空间，降低了激发光产生的光热效应对表面增强拉曼散射信号的影响，提高了表面增强拉曼散射信号的准确性和稳定性，在表面增强拉曼散射技术领域具有良好的应用前景。

关键词：表面增强拉曼散射散热部贵金属纳米颗粒复合层散热层基底层光热效应激发光衬底传统表面拉曼散射热量传递上部空间散布引入申请应用

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一种表面等离子体光刻成像结构

一种表面等离子体光刻成像结构

引用

作者：马乐韦亚一张利斌 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

本申请提供一种表面等离子体光刻成像结构，包括：掩模层、层叠结构、间隔层、光刻胶、反射层以及菲涅尔透镜。层叠结构包括至少2个目标膜组，目标膜组包括至少2层薄膜。掩模层、层叠结构、间隔层、光刻胶和反射层依次层叠设置。菲涅尔... 详细信息

标准号: CN117492330A

本申请提供一种表面等离子体光刻成像结构，包括：掩模层、层叠结构、间隔层、光刻胶、反射层以及菲涅尔透镜。层叠结构包括至少2个目标膜组，目标膜组包括至少2层薄膜。掩模层、层叠结构、间隔层、光刻胶和反射层依次层叠设置。菲涅尔透镜设置于第一位置、第二位置、第三位置、第四位置和第五位置中的任意一个位置，第一位置为层叠结构和间隔层之间，第二位置为层叠结构和掩模层之间，第三位置为相邻2个目标膜组之间，第四位置为目标膜组包括的至少2层薄膜之间，第五位置为光刻胶和反射层之间。通过在传统表面等离子体光刻成像结构中增加一个菲涅尔透镜，提高表面等离子体光刻成像的对比度，提高表面等离子体光刻在光刻胶的成像质量。

关键词：层叠结构光刻胶目标膜表面等离子体菲涅尔透镜反射层间隔层掩模层第二位置第三位置第一位置光刻成像薄膜等离子体光成像结构传统表面依次层叠光刻成像申请

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一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件

一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件

引用

作者：陈伟中秦海峰王礼祥许峰黄义 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

本发明涉及一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统表面栅薄层SOI‑LDMOS器件上，在埋氧层处额外引入体内栅极并在漂移区引入P型埋层，优点：(1)在正向导通时，该器件的表面与... 详细信息

标准号: CN112420846B

本发明涉及一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统表面栅薄层SOI‑LDMOS器件上，在埋氧层处额外引入体内栅极并在漂移区引入P型埋层，优点：(1)在正向导通时，该器件的表面与体内同时形成两个导电沟道，使电子的注入能力有很大的提升，从而降低器件的比导通电阻。引入的P型埋层提高了漂移区N型层的浓度进而优化器件的正向导通性能，最终降低器件的比导通电阻。(2)在击穿时，P型埋层优化漂移区的电场强度分布，P型埋层与N型层相互耗尽从而使漂移区发生电荷补偿效应。(3)在埋氧层引入体内栅极，提高了器件的跨导g_m，从而使栅极电压对电流的控制能力增强。

关键词：漂移区体内引入比导通电阻降低器件埋氧层薄层半导体功率器件电场强度分布传统表面导电沟道电荷补偿横向超结控制能力优化器件栅极电压正向导通双沟道击穿耗尽优化

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表面具有高价态电荷基团的聚磷基酰胺纳滤膜及其制备方法

表面具有高价态电荷基团的聚磷基酰胺纳滤膜及其制备方法

引用

作者：陈亦力李恒毅刘涛陈弘仁孙广东丑树人侯小露李锁定 101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区乐园南二街4号

本发明涉及一种表面具有高价态电荷基团的聚磷基酰胺纳滤膜及其制备方法，通过表面具有高价态电荷基团的聚磷基酰胺纳滤膜制备方法制备的纳滤膜以解决现有技术中存在的传统表面具有一价负电基团(羧基、磺酸基)的纳滤膜材料对有机物/盐... 详细信息

标准号: CN114082309B

本发明涉及一种表面具有高价态电荷基团的聚磷基酰胺纳滤膜及其制备方法，通过表面具有高价态电荷基团的聚磷基酰胺纳滤膜制备方法制备的纳滤膜以解决现有技术中存在的传统表面具有一价负电基团(羧基、磺酸基)的纳滤膜材料对有机物/盐截留的选择性差的技术问题。

关键词：纳滤膜制备电荷基团高价态磷基酰胺传统表面负电基团磺酸基有机物一价羧基截留

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一种功能化表面改性剂及其改性材料和改性方法

一种功能化表面改性剂及其改性材料和改性方法

引用

作者：傅强谢紫龙吴凯张琴陈枫吴蝶 610065 四川省成都市一环路南一段24号

本发明属于材料表面改性领域，涉及一种新型的功能表面改性剂，及其改性制得的改性材料和改性方法。本发明指出含液态金属的物质可用作表面改性剂。即指出含液态金属的物质能够作为材料(包括填料)的表面改性剂，能在改善材料功能性：导... 详细信息

标准号: CN116120635A

本发明属于材料表面改性领域，涉及一种新型的功能表面改性剂，及其改性制得的改性材料和改性方法。本发明指出含液态金属的物质可用作表面改性剂。即指出含液态金属的物质能够作为材料(包括填料)的表面改性剂，能在改善材料功能性：导电，介电，导磁，导热，光热，医用等的同时，改善相关材料在复合材料中使用时的分散性。本发明通过简便的“一步法”实现了对材料(包括填料)的功能化改性，无溶剂和副产物，无需后处理，是一种生产简便，通用性强的新技术，少量液态金属的引入既解决了传统表面改性方式无法提供功能增益的问题，同时可改善填料的分散。

关键词：液态金属改性表面改性剂导热材料表面改性功能化改性后处理传统表面改善材料改性材料功能表面通用性强复合材料分散性副产物改性剂无溶剂一步法光热导磁导电介电可用引入生产

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表面后处理机用联动切刀装置

表面后处理机用联动切刀装置

引用

作者：康帅帅全德镐李炫东 713300 陕西省咸阳市乾县工业区人科大道1号

提供一种表面后处理机用联动切刀装置，包括底座和设于底座上端面两侧的立板，底座上方设有两端转动安装于对应侧立板上的旋转轴，且位于两个立板之间的摆臂架下端固定于转轴上，立板上安装有与旋转轴连接并用于驱动旋转轴带动摆臂架旋... 详细信息

标准号: CN220807617U

提供一种表面后处理机用联动切刀装置，包括底座和设于底座上端面两侧的立板，底座上方设有两端转动安装于对应侧立板上的旋转轴，且位于两个立板之间的摆臂架下端固定于转轴上，立板上安装有与旋转轴连接并用于驱动旋转轴带动摆臂架旋转摆动的摆动驱动装置；摆臂架上安装有用于将铜箔压紧或松开的第一压辊装置和位于第一压辊装置上方并用于将铜箔压紧切割的压辊切割装置。本实用新型实现对换卷前铜箔的自动化切割，为双工位自动换卷结构提供自动切割条件，解决了传统表面处理机手动上下卷存在的劳动强度大、效率低的弊端，结构简单，设计新颖，切割效率高，切割质量好，为生产效率和质量的提高提供条件。

关键词：摆臂架立板铜箔切割压辊装置旋转轴压紧底座摆动驱动装置本实用新型底座上端面驱动旋转轴处理机传统表面后处理机两端转动切刀装置切割效率切割装置生产效率提供条件旋转摆动自动换卷自动切割侧立板双工位对换联动松开下端压辊转轴自动化

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一种用于钝感电火工品半导体桥换能元的表面封装

一种用于钝感电火工品半导体桥换能元的表面封装

引用

作者：刘黎刘宇韬 050200 河北省石家庄市鹿泉区经济开发区昌盛大街21号

本实用新型公开了一种用于钝感电火工品半导体桥换能元的表面封装，属于电火工品换能元技术领域，包括印制电路板，灌埋孔A、B，电极孔A、B，侧壁金属化层A、B、C、D、E、F，焊盘A、B、C、D。双层印制电路板的顶层和底层分别居中设置两... 详细信息

标准号: CN220507849U

本实用新型公开了一种用于钝感电火工品半导体桥换能元的表面封装，属于电火工品换能元技术领域，包括印制电路板，灌埋孔A、B，电极孔A、B，侧壁金属化层A、B、C、D、E、F，焊盘A、B、C、D。双层印制电路板的顶层和底层分别居中设置两个灌埋孔，用于扣装半导体桥芯片和负温度系数的热敏电阻，横向对称设置两个用于穿过脚线电极的电极孔，以此实现半导体桥芯片和负温度系数热敏电阻的并联连接；本实用新型无需封装电极塞，可直接外层包裹火工药剂，采用芯片扣装灌埋孔表面组装技术，通过一道工艺即可完成芯片与印制电路板间的可靠电气连接。相较于传统表面封装结构，具有体积小、成本低、焊接强度高，易于系列化的批量生产等特点。

关键词：半导体桥芯片埋孔本实用新型印制电路板电极孔换能扣装负温度系数热敏电阻双层印制电路板表面组装技术负温度系数表面封装并联连接侧壁金属传统表面电火工品封装电极封装结构横向对称火工药剂居中设置可靠电气热敏电阻外层包裹火工品体积小电极顶层系列化焊盘化层脚线焊接穿过生产

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基于表面肌电与步态的外骨骼穿戴疲劳评测系统及方法

基于表面肌电与步态的外骨骼穿戴疲劳评测系统及方法

引用

作者：吕健何恺伦徐兆刘翔侯宇康 550000 贵州省贵阳市花溪区

本发明属于穿戴疲劳评测技术领域，具体地说是基于表面肌电与步态的外骨骼穿戴疲劳评测系统及方法，结合肌肉疲劳阈值，生物力学分析，主观疲劳自觉量表的外骨骼综合效能评价方法.区别于传统表面肌电信号或血氧饱和度的单一测定方法，... 详细信息

标准号: CN116712092A

本发明属于穿戴疲劳评测技术领域，具体地说是基于表面肌电与步态的外骨骼穿戴疲劳评测系统及方法，结合肌肉疲劳阈值，生物力学分析，主观疲劳自觉量表的外骨骼综合效能评价方法.区别于传统表面肌电信号或血氧饱和度的单一测定方法，该方法将有效提高无源负载下肢外骨骼效能评测精度；通过动作捕捉对受试者进行步态对比分析，获取空间位置信息与肌肉发力情况，并计算下肢膝关节稳定性.同时采集受试者sEMG，预处理并计算肌肉疲劳阈值.最后结合sRPE评分与膝关节偏移量方差对EMG_FT进行主客观验证.结果表明，该评测方法对无源下肢外骨骼的评价具有有效性，外骨骼对受试者EMG_FT到达时间平均推迟42.9％，下肢稳定性提升75.8％，主观疲劳感受缓解30.3％。

关键词：评测外骨骼疲劳下肢外骨骼肌肉疲劳步态穿戴预处理空间位置信息生物力学分析稳定性提升下肢膝关节血氧饱和度膝关节表面肌电传统表面动作捕捉对比分析肌电信号评测系统时间平均无源负载综合效能主观偏移量主客观方差量表无源下肢肌肉验证采集缓解

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一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器

一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器

引用

作者：胡聪潘静茹万春霆李越 541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路一号

本发明公开一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器，包括二氧化硅衬底和两个平行邻近的混合表面等离子体波导。其中波导结构模型由矩形有机聚合物纳米线、二氧化硅层、和银层自上而下叠加而成，其中矩形有机聚合物纳米线材料... 详细信息

标准号: CN116953847A

本发明公开一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器，包括二氧化硅衬底和两个平行邻近的混合表面等离子体波导。其中波导结构模型由矩形有机聚合物纳米线、二氧化硅层、和银层自上而下叠加而成，其中矩形有机聚合物纳米线材料由IPC‑E和聚砜(Polysulfone)制备的主客掺杂型电光聚合物(25％IPC‑E+Polysulfone)(折射率为1.67)。本发明具有尺寸小，优异的传输特性和耦合特性。在一定程度上解决了传统表面等离子体定向耦合器传输损耗偏大、弱耦合条件与实际制作加工难度、难以同时实现较强的场局域性与良好的传输特性的问题，对相关微纳光子器件的研究有借鉴意义，在未来的光片上网络领域将有很好的应用前景。

关键词：等离子体定向耦合器光片上网络有机聚合物传输特性混合表面纳米线等离子体波导微纳光子器件电光聚合物二氧化硅层波导结构传输损耗传统表面二氧化硅耦合特性掺杂型局域性弱耦合折射率衬底聚砜银层制备叠加平行邻近制作加工应用研究

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