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文献类型

  • 4 篇 专利

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  • 4 篇 电子文献
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  • 1 篇 中芯国际集成电路...
  • 1 篇 三星电子株式会社
  • 1 篇 联发科技股份有限...
  • 1 篇 高通股份有限公司

作者

  • 1 篇 李炷昌
  • 1 篇 邱议德
  • 1 篇 a·b·帕勒拉
  • 1 篇 金亨哲
  • 1 篇 崔泰敏
  • 1 篇 李灿昊
  • 1 篇 晶昌镐
  • 1 篇 郑春明
  • 1 篇 苏柏松
  • 1 篇 苏柏青
  • 1 篇 崔圭源
  • 1 篇 郭裔平
  • 1 篇 尹锡
  • 1 篇 何超
  • 1 篇 金柾均

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=伪双端口存储器"
4 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
伪双端口存储器及其控制方法
伪双端口存储器及其控制方法
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作者: 郭裔平 邱议德 中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号
本发明提供了伪双端口存储器伪双端口存储器包括单端口存储器,多工,时序控制电路和输出电路。多工被配置为将第一地址和第二地址顺序地输出至单端口存储器。输出电路被配置为从单端口存储器接收输出数据,以生成对应于第一地址... 详细信息
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伪双端口存储器设备
伪双端口存储器设备
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作者: 李灿昊 崔泰敏 金柾均 金亨哲 尹锡 李炷昌 崔圭源 韩国京畿道
提供了一种提高操作速度且提高稳定性的伪双端口存储器设备。伪双端口存储器设备可以包括:存储器单元;位线对,其连接到存储器单元;写入驱动;感应放大;和列复用,其连接到位线,接收写入复用控制信号和读取复用控制信号... 详细信息
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伪双端口存储器及其位线控制方法、装置
伪双端口存储器及其位线控制方法、装置
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作者: 苏柏青 何超 苏柏松 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
一种伪双端口存储器及其位线控制方法、装置,所述方法包括:当在一存取周期内执行读取操作和所述读取操作之后的写入操作时,获取对应的读取数据和写入数据的信息;当确定所述读取数据和写入数据相同时,生成对应的第一控制信号,以使... 详细信息
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具有突发模式地址比较双端口SRAM
具有突发模式地址比较器的伪双端口SRAM
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作者: A·B·帕勒拉 晶昌镐 郑春明 美国加利福尼亚州
提供了一种存储器,该存储器被配置为实践两种不同模式的读取操作,诸如正常读取操作和突发模式读取操作两者。在一个示例中,该存储器伪双端口存储器。该存储器可包括地址比较以执行时分多路复用,从而首先将读取地址与存储的地址... 详细信息
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