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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

7 篇 专利

馆藏范围

7 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

2 篇 中国南方电网有限...
2 篇 常州银河电器有限...
1 篇 布鲁克纳米公司
1 篇 哈尔滨工程大学
1 篇 杭州中安电子有限...

作者

2 篇 罗远峰
2 篇 樊友平
2 篇 唐海名
2 篇 郝良收
2 篇 梁维群
2 篇 雷朝煜
2 篇 李家羊
2 篇 戴甲水
2 篇 钟昆禹
2 篇 王磊
1 篇 廖剑
1 篇 贺庭玉
1 篇 孙枫
1 篇 柴俊标
1 篇 高峰
1 篇 齐昭
1 篇 胡世松
1 篇 余亮
1 篇 马杨波
1 篇 王秋滢

语言

7 篇 中文

检索条件"主题词=估算器件"

共 7 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种快速估算器件高温工作时结温的方法

一种快速估算器件高温工作时结温的方法

引用

作者：梁维群 213000 江苏省常州市新北区高新技术产业开发区河海西路168号

本发明公开了一种快速估算器件高温工作时结温的方法，包括以下步骤：步骤S1，将器件放置在某一环境温度T1中足够时间，以使器件芯片温度与环境温度相同，此时测出器件漏电流IRT1；步骤S2，将器件放置在高温环境中持续工作足够时间，所... 详细信息

标准号: CN107329070B

本发明公开了一种快速估算器件高温工作时结温的方法，包括以下步骤：步骤S1，将器件放置在某一环境温度T1中足够时间，以使器件芯片温度与环境温度相同，此时测出器件漏电流IR_T1；步骤S2，将器件放置在高温环境中持续工作足够时间，所述高温环境的温度范围为75℃至150℃，待状态稳定后，即漏电流稳定后，测出此时的漏电流IR_T2,此时芯片的温度T2即是结温TJ；步骤S3，根据公式IR_T2＝IR_(T1)*{2^[(T2‑T1)/10]}，可推出TJ＝T2＝a*10+T1，其中a＝log₂^IR_T2‑log₂^IR_T1；本发明提拱一种快速估算器件高温工作时结温的方法，它能快速估算出器件结温，并有利于找出器件高温漏电的规律。

关键词：漏电流结温高温环境估算器件器件放置漏电器件芯片状态稳定器件结估算芯片

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一种快速估算器件高温工作时结温的方法

一种快速估算器件高温工作时结温的方法

引用

作者：梁维群 213000 江苏省常州市新北区高新技术产业开发区河海西路168号

标准号: CN107329070A

关键词：漏电流结温高温环境估算器件器件放置漏电器件芯片状态稳定器件结估算芯片

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由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备

由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备

引用

作者：陈东美国加利福尼亚州

本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流‑电压关系的电流... 详细信息

标准号: CN102955116B

本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流‑电压关系的电流‑电压曲线（I‑V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，通过从（I‑V）模型减去由拟合该（I‑V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算器件的电流‑电压曲线（I‑V_d）。

关键词：导电探针电压曲线电阻半导体晶片测试反向饱和电流半导体器件方法和设备二极管测量数据电压关系电致发光估算器件晶片制造理想因子模型产生模型拟合特征参数晶片级预测减去测量

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一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置

一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置

引用

作者：罗远峰雷朝煜郝良收戴甲水钟昆禹唐海名李家羊王磊樊友平 562499 贵州省黔西南布依族苗族自治州兴义市桔山办瑞金南路58号

本发明提供了一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置，获得晶闸管基区宽度WB、掺杂浓度NB、栅极区宽度Wg、掺杂浓度Ng和有效区域A的初始值；细化晶闸管基区宽度WB和掺杂浓度NB；根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿... 详细信息

标准号: CN111639446B

本发明提供了一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置，获得晶闸管基区宽度W_B、掺杂浓度N_B、栅极区宽度W_g、掺杂浓度N_g和有效区域A的初始值；细化晶闸管基区宽度W_B和掺杂浓度N_B；根据元件关断阶段的电流波形估计晶闸管基区中的双极寿命值；估算器件关断瞬态过程中栅极区宽度W_g和掺杂浓度N_g的值；细化设备有效区域A，其中，晶闸管设计参数的提取过程是基于仿真结果和实验结果的比较计算，同时考虑了元件的物理特性，可大大增强功率半导体器件和相关设计参数的准确模型的可用性，更好的实现综合电力系统设计中预测其电气行为的精确仿真的目标。

关键词：晶闸管设计参数掺杂基区有效区域栅极区关断功率半导体器件综合电力系统比较计算电流波形仿真结果估算器件瞬态过程提取装置物理特性细化设备准确模型可用性双极细化预测

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一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置

一种晶闸管设计参数的提取方法及提取装置

引用

作者：罗远峰雷朝煜郝良收戴甲水钟昆禹唐海名李家羊王磊樊友平 562499 贵州省黔西南布依族苗族自治州兴义市桔山办瑞金南路58号

标准号: CN111639446A

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一种微波器件的结温控制系统和方法

一种微波器件的结温控制系统和方法

引用

作者：卜建明马杨波柴俊标胡世松贺庭玉廖剑余亮 311123 浙江省杭州市余杭区余杭街道圣地路6号

本发明涉及结温控制技术，公开了一种微波器件的结温控制系统和方法，其通过实时采集器件的工作参数，漏电压Vd、漏电流Id、输入功率Rfin、输出功率Rfout以及壳温Tc，计算器件的并估算结温Tj，比较设置的结温与计算的结温之间的偏差，... 详细信息

标准号: CN116520059A

本发明涉及结温控制技术，公开了一种微波器件的结温控制系统和方法，其通过实时采集器件的工作参数，漏电压Vd、漏电流Id、输入功率Rfin、输出功率Rfout以及壳温Tc，计算器件的并估算结温Tj，比较设置的结温与计算的结温之间的偏差，超过一定范围时调节壳温Tc，以保持结温的稳定。通过调节壳温来保证结温的稳定性，其操作简单，而且结温的检测稳定性好。本发明同时能够针对多组不同品种的微波器件进行老炼测试，且测试方法简单。对于估算器件寿命的结温准确。

关键词：结温微波器件检测稳定性工作参数估算器件计算器件控制系统老炼测试实时采集输出功率输入功率漏电流漏电压估算测试保证

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一种基于双解算程序的光纤陀螺常值误差标定方法

一种基于双解算程序的光纤陀螺常值误差标定方法

引用

作者：孙枫王秋滢齐昭高伟高峰 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号

本发明公开了一种基于双解算程序的光纤陀螺常值误差标定方法。该方法利用旋转机构带动惯性组件分别旋转至各轴陀螺沿导航系z轴正向和反向的六个位置，每个位置停留过程中，将一组惯性组件的测量值同时作为两组导航解算程序的输入值，... 详细信息

标准号: CN103076025B

本发明公开了一种基于双解算程序的光纤陀螺常值误差标定方法。该方法利用旋转机构带动惯性组件分别旋转至各轴陀螺沿导航系z轴正向和反向的六个位置，每个位置停留过程中，将一组惯性组件的测量值同时作为两组导航解算程序的输入值，其中两组程序中导航参数设定值不同。再将两组解算姿态信息进一步耦合运算，估算各轴陀螺常值漂移和刻度因数误差。本发明则是提出了在导航计算机中以一组惯性组件的测量值作为输入，同时进行两组导航程序解算，利用两组解算结果进一步估算器件误差，不需要任何外界基准信息，计算量小、简单易操作，并且两组导航解算程序具有相同的输入信息，不存在任何安装偏差和时间延迟，输出信息具有相关性。

关键词：两组惯性组件解算导航解算程序陀螺一组刻度因数误差导航计算机安装偏差标定方法常值漂移常值误差导航参数导航程序分别旋转估算器件光纤陀螺基准信息计算量小解算结果输出信息输入信息同时进行位置停留旋转机构姿态信息耦合不存在不需要导航系输入值易操作一种正向运算估算相同带动公开

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